Questões Militares
Sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
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Considerando que no circuito acima Vbe= 0,7V; ß= 50; e Ic=Ie, é correto afirmar que o valor de Ve, Ic e Ib de polarização CC são, respectivamente:
I - Uma associação série é normalmente empregada em situações em que se deseja uma tensão CC de saída elevada, que não poderia ser obtida com um retificador único.
II - Uma associação em paralelo é feita quando a carga exige uma corrente que não poderia ser fornecida por um único retificador.
III- As associações de retificadores (série e em paralelo) são utilizadas quando se deseja reduzir o conteúdo harmônico da corrente drenada da rede.
IV - Uma associação em série é feita quando a carga exige uma corrente que não poderia ser fornecida por um único retificador.
Assinale a opção correta.
Qual o símbolo que representa o diodo retificador?

Associe a coluna da direita com a da esquerda e assinale a alternativa que apresenta a relação correta.
1. Deve possuir alta impedância de entrada e saída.
2. Deve possuir alta impedância de entrada e baixa impedância de saída.
3. Deve possuir baixa impedância de entrada e alta impedância de saída.
4. Deve possuir baixa impedância de entrada e saída.
( ) Amplificador de voltagem.
( ) Amplificador de corrente.
( ) Amplificador de transcondutância.
( ) Amplificador de
transresistência.
Muitos circuitos amplificadores possuem realimentação. Sobre os efeitos de realimentação, analise as afirmações abaixo, marque V para verdadeiro e F para falso e, em seguida, assinale a alternativa que apresenta a sequência correta.
( ) O uso de realimentação reduz ruídos na saída.
( ) Pode fornecer controle sobre as impedâncias de entrada ou saída.
( ) Extende a largura de banda do amplificador.
( ) Reduz a distorção gerando ganho constante.
Associe a coluna da direita com a da esquerda e assinale a alternativa que apresenta a relação correta.
1. Utilizado para gerar um ponto “terra” ao emissor.
2. Utilizado para que o sinal a ser amplificado não gere distúrbios às tensões e às correntes de polarização.
3. Em um amplificador emissor-comum, é associado ao emissor para aumento de performance, ao custo de diminuição do ganho.
4. Influencia a impedância de entrada em amplificadores coletor-comum.
( ) Resistor de emissor.
( ) Capacitor de acoplamento.
( ) Capacitor de Derivação.
( ) Carga.
Analise as seguintes afirmativas e preencha as lacunas correta e respectivamente de acordo com as características de sinal CA de saída em amplificadores TJB.
Em amplificadores coletor-comum, o sinal de saída está _________ com o sinal de entrada.
Em amplificadores emissor-comum, o sinal de saída está _________ com o sinal de entrada.
Em amplificadores base-comum, o sinal de saída está _________ com o sinal de entrada.
Analise as afirmativas a seguir sobre estrutura de transistores TJB (Transistor de junção bipolar) e assinale a alternativa que preenche as lacunas correta e respectivamente.
Em TJBs, a corrente de _________ é, normalmente, desprezada por ser muito pequena, e apenas a corrente de _________ é considerada.
TJBs reais ___________ estrutura simétrica, portanto, se em um circuito o coletor e emissor forem
trocados por engano, o circuito resultante _________ mesmo efeito.
Analise o seguinte circuito CC de polarização de um transistor de junção bipolar e assinale a alternativa que corresponde corretamente à expressão de cálculo da corrente de emissor “Ie”. (Considere β=10)

O circuito representado abaixo pode ser chamado de

Analise o circuito que se segue.

Utilizando a modelagem re no transistor, calcule Av (Ganho de Tensão) no circuito acima, e , a seguir, assinale a opção correta, considerando os seguintes dados:

Observe o circuito a seguir.

Qual é o valor de VCE relativa ao ponto de operação do circuito
acima?
Coloque V (verdadeiro) ou F (falso) nas afirmativas abaixo, assinalando, a seguir, a opção correta.
( ) Um material semicondutor dopado é chamado de semicondutor extrínseco.
( ) À temperatura de 25° C, a barreira de potencial de um diodo de silício é maior que a barreira de potencial de um diodo de germânio.
( ) Em um semicondutor tipo P, os elétrons livres são chamados
de portadores majoritários, e as lacunas são
chamadas de portadores minoritários.