Assinale a opção que apresenta duas famílias de componentes eletrônicos digitais.

Com relação às ondas em meios condutores, analise as afirmativas abaixo.

I - Define-se como profundidade de penetração a distância percorrida por uma onda até que sua amplitude caia para 50% de seu valor inicial.

II - Devido a sua facilidade de penetração em meios condutores, as altas frequências são utilizadas para transmitir ondas eletromagnéticas para submarinos imersos.

III- Altas frequências penetram com facilidade nos condutores.

IV - Para um condutor perfeito, a profundidade de penetração é nula, criando-se, assim, uma corrente superficial.

Assinale a opção correta.

Assinale a opção que apresenta a frequência de oscilação de um determinado oscilador Colpitts a FET.

Dados: C₁ = 750 _pF

C₂ = 2500 _pF

L = 40 µH

Assinale a opção que apresenta o equipamento capaz de determinar o estado de um transistor.

Considerando um JFET ideal, é correto afirmar que a sua impedância de entrada

As folhas de dados de um JFET fornecem os seguintes valores: I_DSS = 20 mA; e V_p = 4,5 Volts.
De acordo com essas informações, assinale a opção que apresenta, respectivamente, a corrente de dreno máxima (I_D) e a tensão de corte porta-fonte (V_GS(off)) .
Dados: less é a corrente de dreno para fonte com a porta curto-circuitada; e V_p é a tensão de constrição ou estrangulamento.

Correlacione as grandezas físicas abaixo com os transdutores a elas relacionados, e assinale a opção que apresenta a sequência correta.

GRANDEZAS FÍSICAS            TRANSDUTORES
I - Pressão                               ( ) Efeito Hall
II - Temperatura                      ( ) Cristal piezoelétrico.
III- Vazão de gases                 ( ) Termopar.
IV - Corrente elétrica               ( ) Strain-gages.
                                                ( ) Termistor
                                                ( ) Pirani.
                                                ( ) RTD.

Sobre os parâmetros híbridos (h) do transistor, é correto afirmar que

Determine o valor do ganho de corrente fornecido por uma conexão Darlington, sabendo que o β de um transistor é igual a 200 e o do outro transistor é igual a 300.

Marque V (verdadeiro) ou F (falso) e, em seguida, assinale a alternativa que contém a seqüência correta.

( ) Em um JFET, quando a V_GS=0, temos o menor valor de I_D.

( ) Mantendo-se a variação de V_GS constante, quanto maior a variação de I_D maior é o valor da transcondutância em um JFET.

( ) Os pontos de intersecção entre a curva de transcondutância de um JFET e os eixos cartesianos da sua curva característica de transferência são I_DSS e V_P. 

Qual dos dispositivos abaixo tem como denominação de seus terminais: anodo 2, anodo1 e porta?

Um técnico em eletrônica dispõe dos seguintes capacitores: 10µF/50V, 50µF/63, 100µF/50V, 100µF/63V, 150µF/250V e 250µF/120V. Qual é a capacitância total do circuito montado numa associação em paralelo para ser ligado a uma fonte de tensão de 63V?

Nos transistores de efeito de campo (JFET), quando a V_GS é igual a _________, a I_D passa a ser ________.

Um transistor NPN tem a sua junção base-emissor polarizada de forma direta e a sua junção base-coletor polarizada de forma reversa. Considerando este fato, podemos afirmar que

Marque V (verdadeiro) ou F (falso) e assinale a alternativa com a seqüência correta.

( ) O aumento da tensão reversa aumenta a capacitância de um Varicap.

( ) O Varicap pode ser utilizado em circuitos de sintonia de receptores de TV.

( ) O Varicap é um semicondutor feito inteiramente de silício tipo N.

Assinale a alternativa que completa, correta e respectivamente, as lacunas do texto abaixo.

“A análise CA de um circuito que utiliza dispositivos FET requer o desenvolvimento de um modelo CA de pequeno sinal para o dispositivo. Um dos principais componentes do modelo CA reflete o fato de que uma ___________ aplicada aos terminais porta-fonte do dispositivo controla a __________ entre os terminais dreno-fonte.

Coloque (V) para verdadeiro e (F) para falso. A seguir, assinale a alternativa que apresenta a sequência correta.

( ) Um diodo semicondutor é polarizado diretamente quando é estabelecida a associação do potencial positivo ao material tipo N e do negativo ao material tipo P.

( ) Na ausência de uma tensão de polarização, o fluxo de carga em um diodo semicondutor, em qualquer sentido, é máximo.

Assinale a alternativa que completa, correta e respectivamente, as lacunas da afirmativa abaixo.

“O _____ converte o sinal no formato __________ para o formato digital.”

Uma das características mais importantes do FET é

Marque Verdadeiro (V) ou Falso (F) para as afirmações abaixo, e assinale a alternativa correta.

( ) No SCR, a tensão reversa de ruptura é equivalente à região de zener.

( ) Além do gatilhamento da porta, o SCR também pode ser disparado por uma diminuição significativa na temperatura do dispositivo.

( ) A tensão direta de ruptura (V_BR) é aquela tensão acima da qual o SCR entra na região de corte.