Questões Militares Comentadas sobre eletrônica
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I- O transistor NMOS possui este nome por conta das regiões de dreno (drain) e fonte (source) altamente dopadas com substrato tipo n.
ll- O terminal gate é eletricamente isolado do substrato por uma camada de dióxido de silício (SiO2).
III- Em um transistor NMOS, o canal induzido abaixo do gate tem origem na inversão da superfície do substrato do tipo n para o tipo p, e também é conhecido como camada de inversão.
IV- O substrato forma junções p-n com a região do dreno e da fonte que, em operação normal, devem ser mantidas reversamente polarizadas.
V. O transistores MOSFET são dispositivos simétricos, logo, é possível intercambiar a fonte (source) e dreno (drain) sem alterar as características do dispositivo.
Avalie as informações abaixo.
I - O acesso a uma dada localidade de memória pode ser feito de forma sequencial ou aleatória.
II - A memória RAM é o principal tipo de memória cujo acesso aos dados gravados é feito de forma sequencial.
III - A EPROM é a denominação dada a uma memória ROM que possui alta densidade de armazenamento.
Está correto o que se afirma apenas em