Foram encontradas 4.418 questões

Resolva questões gratuitamente!

Junte-se a mais de 4 milhões de concurseiros!

Q876127 Engenharia Eletrônica

Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.


Na família TTL, o nível lógico 0 deve estar, no máximo, em torno de 1,5 V.

Alternativas
Q876126 Engenharia Eletrônica
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
Uma das vantagens da família TTL é a possibilidade de interligação entre as diversas subfamílias, pois elas compartilham as mesmas correntes de entrada e saída.
Alternativas
Q876125 Engenharia Eletrônica

Considere que o amplificador a transistor bipolar ilustrado anteriormente esteja polarizado na região ativa. Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.
O circuito corresponde a um amplificador na configuração emissor comum.
Alternativas
Q876124 Engenharia Eletrônica

Considere que o amplificador a transistor bipolar ilustrado anteriormente esteja polarizado na região ativa. Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.
Caso o capacitor C3 seja retirado do circuito, ocorrerá uma mudança nas correntes de polarização do transistor, acompanhada de um aumento no ganho de tensão do circuito.
Alternativas
Q876123 Engenharia Eletrônica

Considere que o amplificador a transistor bipolar ilustrado anteriormente esteja polarizado na região ativa. Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.
Caso ocorra um aumento de 5% no valor de RC, sem que haja grande mudança na polarização do circuito ou no parâmetro h¬fe, ocorrerá, em consequência, uma diminuição no ganho de tensão do amplificar.
Alternativas
Q876120 Engenharia Eletrônica
No circuito anterior, em que todos os componentes são considerados ideais, as transformadas de Laplace das tensões de entrada e de saída do circuito, vi(t) e vo(t), respectivamente, são dadas por Vi(s) e Vo(s). Acerca desse circuito, julgue o próximo item.
O circuito mostrado pode funcionar como um filtro passa baixa, com frequência de corte, em Hz, dada por Imagem associada para resolução da questão.
Alternativas
Q876119 Engenharia Eletrônica
No circuito anterior, em que todos os componentes são considerados ideais, as transformadas de Laplace das tensões de entrada e de saída do circuito, vi(t) e vo(t), respectivamente, são dadas por Vi(s) e Vo(s). Acerca desse circuito, julgue o próximo item.
A função de transferência H(s)=Vo(s)/Vi(s), no domínio da transformada de Laplace, é representada pela expressão a seguir, em que R é um resistor e C um capacitor.
Imagem associada para resolução da questão
Alternativas
Q876114 Engenharia Eletrônica

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.


Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.

Alternativas
Q876113 Engenharia Eletrônica

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.


Para que o diodo semicondutor retificador contendo uma junção PN esteja em polarização reversa, é necessário que o potencial elétrico no catodo seja maior que o do anodo.

Alternativas
Q876112 Engenharia Eletrônica

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.


No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como semicondutores do tipo P.

Alternativas
Q876111 Engenharia Eletrônica

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.


Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.

Alternativas
Q876110 Engenharia Eletrônica

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.


Nos transistores de uso geral do tipo NPN, a base, que deve ser fabricada com a maior largura possível, apresenta um grau de dopagem bem mais alto do que o coletor, característica essa importante por favorecer a minimização da recombinação dos portadores majoritários e minoritários na base.

Alternativas
Q876109 Engenharia Eletrônica

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.


Para que transistores bipolares do tipo NPN operem na região ativa, é necessário que a junção entre o coletor e a base seja submetida à polarização reversa, e a junção entre base e emissor seja polarizada diretamente.

Alternativas
Q876107 Engenharia Eletrônica

Com relação ao comportamento de campos elétricos e magnéticos na matéria e às propriedades térmicas da matéria, julgue o item que se segue.


Em um capacitor de placas paralelas separadas por vácuo, a capacitância, que é igual a diferença de potencial entre as duas placas dividida pela carga armazenada no capacitor, diminuirá se o vácuo for substituído por uma substância cerâmica, pois a constante dielétrica do vácuo é a maior possível.

Alternativas
Q2800974 Engenharia Eletrônica

Considere o diagrama LADDER representado a seguir.


Imagem associada para resolução da questão

A função lógica representativa do diagrama é

Alternativas
Q2756600 Engenharia Eletrônica

A figura abaixo mostra o diagrama de blocos de um oscilador de realimentação. A respeito dos ganhos promovidos nos blocos A e B, podemos afirmar, segundo os critérios de Barkhausen, sobre a saída Vs:


Imagem associada para resolução da questão

Alternativas
Q2754185 Engenharia Eletrônica

A tecnologia de acionamento, de baixo custo, que deve ser escolhida quando se deseja acionar um braço mecânico de precisão que suporta alta intensidade de força é a

Alternativas
Q2754180 Engenharia Eletrônica

Ao medir a temperatura na superfície de seu braço com um termômetro de contato, um operador de caldeira a vapor observa no termômetro o valor de 50ºC, quando se encontra a três metros da caldeira. Pode-se afirmar que, na situação apresentada, a transferência de energia térmica se dá por

Alternativas
Q1633148 Engenharia Eletrônica
O varistor (MOV) é um dos principais componentes de um filtro de linha. Quando esse dispositivo está danificado (aberto), a tensão de saída se apresentará:
Alternativas
Q1633147 Engenharia Eletrônica
Com relação às técnicas de solda em placas de circuito impresso, analise as afirmações a seguir:
I. Na tecnologia de montagem SMT os componentes são fixados na superfície da placa, sem haver necessidade de perfuração da mesma. II. Na tecnologia de montagem THT os componentes são fixados entre as superfícies da placa em uma formação conhecida como sanduíche. III. Na tecnologia de montagem BGA os componentes são fixados na superfície da placa, utilizando uma matriz de bolhas de solda aquecida em um forno de refusão. IV. Na tecnologia de montagem SMD os componentes são fixados em orifícios da placa, aplicando-se solda na superfície oposta à de fixação do componente.
Estão corretos os itens:
Alternativas
Respostas
1821: E
1822: E
1823: C
1824: E
1825: E
1826: C
1827: C
1828: C
1829: C
1830: E
1831: C
1832: E
1833: C
1834: E
1835: C
1836: C
1837: D
1838: B
1839: D
1840: B