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Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364645
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
A presença de portadores minoritários na corrente do BJT ajuda a diminuir o tempo de chaveamento, quando comparado ao MOSFET.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364644
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
O BJT é denominado bipolar porque funciona de maneira semelhante para tensões positivas e negativas.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364643
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
Um transistor bipolar de junção (BJT) é fundamentalmente uma chave controlada por corrente, enquanto o MOSFET se aproxima de uma chave controlada por tensão, com porta de controle isolada. Assim, a potência demandada no terminal de controle para chaveamento é, para condições semelhantes de operação, maior no MOSFET.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364642
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.
Se, para determinada polarização e topologia, o amplificador tem o produto ganho × banda passante igual a fT, então a banda passante do sistema usado como seguidor de tensão será aproximadamente igual a fT.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364641
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.
Por razões de estabilidade, deseja-se que o ganho em malha aberta, na frequência na qual a defasagem do amplificador alcança 180 graus, seja significativamente inferior a 0 dB. Nesse caso, a distância entre esse ganho e o nível 0 dB é denominada margem de ganho.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364640
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.
Uma das vantagens de um ganho elevado em malha aberta é que, ficando o ganho em malha fechada determinado fundamentalmente pela malha de realimentação, pode assim, em geral, ser determinado com maior precisão.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364639
Engenharia Eletrônica
A figura acima mostra um gráfico com as assíntotas de um diagrama de Bode para um circuito RC de primeira ordem, constituído por um único resistor R e um único capacitor C. Com base nas informações da figura e nas características desse tipo de circuito, julgue os itens a seguir.
A função de transferência, H(s), desse circuito é expressa por H(s)=
A função de transferência, H(s), desse circuito é expressa por H(s)=
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364638
Engenharia Eletrônica
A figura acima mostra um gráfico com as assíntotas de um diagrama de Bode para um circuito RC de primeira ordem, constituído por um único resistor R e um único capacitor C. Com base nas informações da figura e nas características desse tipo de circuito, julgue os itens a seguir.
A largura de banda desse circuito é igual a 2f0.
A largura de banda desse circuito é igual a 2f0.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364637
Engenharia Eletrônica
A figura acima mostra um gráfico com as assíntotas de um diagrama de Bode para um circuito RC de primeira ordem, constituído por um único resistor R e um único capacitor C. Com base nas informações da figura e nas características desse tipo de circuito, julgue os itens a seguir.
Na frequência f0, o módulo da impedância do capacitor C é igual ao módulo da impedância do resistor R.
Na frequência f0, o módulo da impedância do capacitor C é igual ao módulo da impedância do resistor R.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364636
Engenharia Eletrônica
A figura acima mostra um gráfico com as assíntotas de um diagrama de Bode para um circuito RC de primeira ordem, constituído por um único resistor R e um único capacitor C. Com base nas informações da figura e nas características desse tipo de circuito, julgue os itens a seguir.
Na frequência f0, o valor esperado para o ganho de tensão é, na realidade, igual a -3 dB.
Na frequência f0, o valor esperado para o ganho de tensão é, na realidade, igual a -3 dB.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364635
Engenharia Eletrônica
A figura acima mostra um gráfico com as assíntotas de um diagrama de Bode para um circuito RC de primeira ordem, constituído por um único resistor R e um único capacitor C. Com base nas informações da figura e nas características desse tipo de circuito, julgue os itens a seguir.
O produto R×C é
O produto R×C é
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364634
Engenharia Eletrônica
A figura acima mostra um gráfico com as assíntotas de um diagrama de Bode para um circuito RC de primeira ordem, constituído por um único resistor R e um único capacitor C. Com base nas informações da figura e nas características desse tipo de circuito, julgue os itens a seguir.
O valor de x, no gráfico, é igual a - 6 dB.
O valor de x, no gráfico, é igual a - 6 dB.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS12 |
Q364164
Engenharia Eletrônica
Considerando a figura acima, que mostra diagramas de Bode de um sistema linear de uma entrada e uma saída, julgue os itens que se seguem.
A frequência de corte desse sistema é igual a 100 rad/s.
A frequência de corte desse sistema é igual a 100 rad/s.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS12 |
Q364163
Engenharia Eletrônica
Considerando a figura acima, que mostra diagramas de Bode de um sistema linear de uma entrada e uma saída, julgue os itens que se seguem.
O sistema não possui zeros.
O sistema não possui zeros.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS12 |
Q364162
Engenharia Eletrônica
Considerando a figura acima, que mostra diagramas de Bode de um sistema linear de uma entrada e uma saída, julgue os itens que se seguem.
O sistema é de primeira ordem.
O sistema é de primeira ordem.
Ano: 2008
Banca:
FGV
Órgão:
Senado Federal
Prova:
FGV - 2008 - Senado Federal - Engenheiro Elétrico |
Q174402
Engenharia Eletrônica
Os inversores são conversores eletrônicos utilizados para o acionamento de motores de indução em aplicações de velocidade variável, como a tração elétrica. Considere as seguintes afirmativas a respeito dos inversores:
I. Os inversores fonte de tensão (VSI) apresentam uma corrente constante em sua saída, independentemente da carga conectada.
II. A modulação por largura de pulso (PWM) é o método mais comum para controlar a tensão de saída AC do inversor.
III. Os dispositivos mais utilizados em inversores comerciais são os MOSFETS.
IV. Em aplicações de tração elétrica, o dispositivo mais utilizado em inversores é o GTO.
Estão corretas apenas as afirmativas:
I. Os inversores fonte de tensão (VSI) apresentam uma corrente constante em sua saída, independentemente da carga conectada.
II. A modulação por largura de pulso (PWM) é o método mais comum para controlar a tensão de saída AC do inversor.
III. Os dispositivos mais utilizados em inversores comerciais são os MOSFETS.
IV. Em aplicações de tração elétrica, o dispositivo mais utilizado em inversores é o GTO.
Estão corretas apenas as afirmativas:
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161885
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.
Fisicamente, a condução em um JFET se dá pela passagem de portadores de carga da fonte para o dreno, através do canal.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161884
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.
Na denominada autopolarização do JFET por derivação de corrente, a corrente de dreno é muito maior que a corrente de porta.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161883
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.
Um transistor JFET é inadequado para ser usado em estágios de amplificador, pois o mesmo, quando polarizado, funciona como resistor controlado por tensão
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161882
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base no circuito apresentado na figura acima, julgue os itens
subseqüentes.
Com base no circuito apresentado na figura acima, julgue os itens
subseqüentes.
O transistor usado no circuito é do tipo bipolar.
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