Questões de Concurso para Engenharia Eletrônica

Q112748

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112748 Engenharia Eletrônica

Texto associado

Na situação acima, para que o sistema em malha fechada seja estável e sobreamortecido, o valor de k₁deve ser

A

inferior a -8.

B

superior a -8 e inferior 0.

C

superior a 0 e inferior a 8.

D

superior a 8 e inferior a 16.

E

superior a 16.

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Q112747

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112747 Engenharia Eletrônica

Texto associado

Considerando que a máquina acima descrita esteja inicialmente no estado S₀ e que seja aplicada na entrada a sequência de bits 0-0-1-0- 0-1-0-0-1-0-0-1 (um bit para cada ciclo de relógio), assinale a opção que apresenta a sequência correta de bits de saída correspondente a essa sequência de entrada.

A

0-1-1-0-1-1-0-1-1-0-1-1

B

1-0-0-1-0-0-1-0-0-1-0-0

C

1-1-0-1-1-0-1-1-0-1-1-0

D

0-1-0-1-1-1-0-1-1-1-0-1

E

0-1-0-1-0-1-1-0-0-1-1-1

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Q112746

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112746 Engenharia Eletrônica

Texto associado

Com base no diagrama e nas informações acima, assinale a opção que apresenta a expressão correta para a saída X, em função das entradas.

A

B

C

D

E

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Q112745

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112745 Engenharia Eletrônica

Um sistema dinâmico linear, causal e invariante no tempo, é modelado pela função de transferência G (s) = Imagem 069.jpg

, no SI. Deseja-se implementar um controlador proporcional para esse sistema, segundo o diagrama de blocos mostrado abaixo, em que X(s) e Y(s) representam a transformada de Laplace da entrada e da saída do sistema em malha fechada, respectivamente, e k_p é o ganho
Imagem 071.jpg

Considerando essas informações, assinale a opção que apresenta o valor do ganho k_p de forma que a constante de tempo em malha fechada, no diagrama mostrado, seja de meio segundo.

A

0,1

B

1,5

C

10

D

30

E

60

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Q112743

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112743 Engenharia Eletrônica

Considerando que uma barra semicondutora de comprimento L, largura w e espessura s seja percorrida por uma corrente elétrica no sentido do comprimento, que está posicionado na direção x, e esteja sujeita a um campo magnético perpendicular aplicado na direção z, assinale a opção correta.

A

A diferença de potencial entre os dois lados da barra é zero.

B

Se a barra semicondutora for do tipo N, aparecerá uma força magnética na direção negativa de y atuando sobre os portadores de carga.

C

Quando as forças elétricas e magnéticas que atuam sobre os portadores de carga se igualarem, aparecerá uma diferença de potencial constante entre os lados da barra, que é conhecida como tensão Hall.

D

A intensidade do campo magnético aplicado não influencia no valor da tensão Hall.

E

A polaridade da tensão Hall é a mesma para a barra semicondutora do tipo N e para a barra semicondutora do tipo P.

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Q112742

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112742 Engenharia Eletrônica

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A figura I acima mostra o diagrama de um circuito não linear e a figura II mostra um trecho da forma de onda da tensão

A

B

C

D

E

Q112741

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112741 Engenharia Eletrônica

Com relação a transistores de efeito de campo do tipo MOS, assinale a opção correta.

A

Em um transistor do tipo enriquecimento, NMOS, deve ser aplicada uma diferença de potencial negativa entre porta e fonte para que seja induzido um canal N.

B

No transistor MOS, o substrato deve ser fortemente dopado, e a fonte e o dreno devem ser levemente dopados.

C

O transistor MOS, quando é usado como amplificador linear, deve ser operado na região de triodo.

D

No transistor NMOS do tipo enriquecimento, o corpo é composto por material tipo P.

E

Por usar um canal induzido, o transistor NMOS tem impedância de entrada muito menor que a do transistor bipolar.

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Q112738

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112738 Engenharia Eletrônica

Texto associado

Na figura acima, que ilustra a estrutura básica de um oscilador por deslocamento de fase, o símbolo indicado por –K é um amplificador com ganho negativo, com um limitador de amplitude. O módulo do ganho K é um pouco maior que o recíproco da amplitude, na frequência de oscilação, da função de transferência da malha RC, formada por três capacitores e três resistores.
Considerando-se as informações acima, é correto afirmar que ocorrerá a oscilação do circuito quando o deslocamento de fase provido pela malha RC for de

A

0 grau.

B

90 graus.

C

120 graus.

D

180 graus.

E

270 graus.

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Q112736

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112736 Engenharia Eletrônica

Texto associado

O circuito com uma ponte de Wien, cujo diagrama é mostrado na figura acima, pode ser utilizado para medir os parâmetros de um capacitor, que, nesse diagrama, está representado por um modelo constituído de um capacitor ideal de capacitância C_x e de um resistor com resistência de fuga R_x. Para determinar os valores de C_x e R_x ,deve-se variar a resistência R₁ e a capacitância C₁até que a ponte atinja o equilíbrio, isto é, até que tensão medida pelo voltímetro, indicada pelo elemento M, seja igual a zero. Na figura, Vƒ representa uma fonte de tensão senoidal, de frequência angular ωƒ em rad/s. A partir dessas informações, assinale a opção que deve ser satisfeita quando apresenta a equação que a ponte está em equilíbrio, considerando que j = √-1 .

A

B

C

D

E

Q112733

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112733 Engenharia Eletrônica

O ruído é um dos problemas que devem ser minimizados em sistemas eletrônicos de medidas. Com relação a esse assunto, assinale a opção correta.

A

A tensão de ruído, em volts RMS, gerada em um resistor, quando filtrada de forma a restar apenas a porção de ruído em uma banda passante Δƒ é inversamente proporcional a Δƒ

B

A tensão de ruído, em volts RMS, desenvolvida em um resistor é diretamente proporcional à raiz quadrada da resistência elétrica do resistor.

C

A tensão de ruído, em volts RMS, desenvolvida em um resistor é diretamente proporcional ao quadrado da temperatura no corpo do resistor.

D

Em uma situação em que três amplificadores de ganho 10 com diferentes níveis de ruído funcionem em cascata, de forma a se obter um ganho total 1.000, para que o nível de ruído total seja mínimo, o amplificador com maior nível de ruído deve vir no primeiro estágio

E

A corrente de ruído desenvolvida em um resistor, em ampères RMS, é inversamente proporcional ao inverso do quadrado da temperatura.

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Q112728

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112728 Engenharia Eletrônica

Um sistema de conversão analógico/digital de sinais contém um filtro anti-aliasing imediatamente antes da entrada do conversor, garantindo que a frequência máxima de uma componente significativa do sinal seja igual a 1.500 Hz. Nessa situação, a mínima frequência de amostragem para que o sinal amostrado possa ser posteriormente reconstruído é igual a

A

150 Hz.

B

750 Hz.

C

1.500 Hz.

D

3.000 Hz.

E

15.000 Hz.

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Q112727

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112727 Engenharia Eletrônica

Em um conversor analógico/digital de 8 bits, monopolar, as tensões de entrada de 0 volt e 10 volts correspondem, respectivamente, aos números binários 0 e 11111111 (2⁸- 1, em números binários, que são proporcionais aos valores em 0 e 10 volts. Nessa situação, se a tensão a ser convertida for igual a 4 volts, então, o número binário na saída desse conversor será igual a

A

10010.

B

11011.

C

101001.

D

1100110.

E

11100101.

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Q112726

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112726 Engenharia Eletrônica

Texto associado

Considerando a figura acima, que mostra um esquema de decodificação de memórias RAM, assinale a opção que apresenta a faixa de memória correspondente ao módulo 2, no sistema hexadecimal.

A

0000-03FF

B

0400-07FF

C

0800-0BFF

D

0C00-0FFF

E

0400-05FF

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Q112725

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112725 Engenharia Eletrônica

Uma onda eletromagnética é capaz de transportar energia, e a taxa de transporte de energia por unidade de área é dada pelo vetor de Poynting. Com relação a esse vetor e às ondas eletromagnéticas em geral, assinale a opção correta.

A

O módulo do vetor de Poynting tem a unidade de energia/comprimento. No Sistema Internacional de Unidades (SI), uma unidade adequada para o módulo do vetor de Poynting é J/m.

B

Se uma fonte pontual emite radiação eletromagnética isotropicamente, então, no vácuo, a intensidade da onda não varia em função da distância ao ponto de geração da radiação.

C

Se a onda eletromagnética é plana e polarizada em apenas uma direção, o vetor campo elétrico faz sempre um ângulo de 45 graus com o vetor campo magnético.

D

Como a direção dos vetores campo elétrico e campo magnético é igual à direção de propagação, as ondas eletromagnéticas são um exemplo de onda longitudinal.

E

A direção do vetor de Poynting é perpendicular tanto ao vetor campo elétrico quanto ao vetor campo magnético.

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Q112724

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112724 Engenharia Eletrônica

Em determinada aplicação, um microprocessador é usado como parte de um sistema de controle, em conjunto com memórias semicondutoras e dispositivos de entrada e saída. A esse respeito, assinale a opção correta.

A

Para armazenar um programa que deve permanecer na memória quando o computador for desligado, deve-se utilizar uma memória RAM, que é não volátil.

B

Se o microprocessador e as memórias se comunicam com o uso de um barramento de dados, então os pinos de dados do microprocessador e da memória conectados ao barramento nunca deverão assumir o estado de alta impedância.

C

Para o armazenamento de dados durante o processamento, os quais podem ser apagados quando o computador é desligado, a memória ROM é a mais adequada para uso, por ser volátil e permitir a escrita de dados por parte do microprocessador.

D

A memória EPROM é não volátil e permite a escrita de dados que não são perdidos com o desligamento da energia do sistema. Os dados armazenados nesse tipo de memória podem ser apagados com o uso de luz ultravioleta aplicada por uma janela no chip.

E

As memórias EEPROM são não voláteis e permitem apenas uma escrita, já que os dados gravados não podem ser apagados.

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Q112723

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112723 Engenharia Eletrônica

Texto associado

Com relação ao circuito sequencial acima, montado a partir de dois flip-flops do tipo D, assinale a opção que apresenta a sequência correta das saídas Q₁Q₀

A

00, 11, 10, 01, 00, 11, 10, 01, 00, ...

B

00, 01, 10, 11, 00, 01, 10, 11, 00, ...

C

00, 10, 11, 01, 00, 10, 11, 01, 00, ...

D

00, 11, 01, 10, 00, 11, 01, 10, 00, ...

E

00, 01, 11, 10, 00, 01, 11, 10, 00, ...

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Q112722

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112722 Engenharia Eletrônica

Texto associado

A figura acima mostra um circuito combinacional com cinco entradas — X, Y, Z, W e Q — e uma saída — S, construído com o uso de cinco tipos diferentes de portas lógicas TTL, identificadas pelas letras de A a E. Com relação a esse circuito, assinale a opção correta.

A

Se a entrada Z estiver no valor lógico 0, então a saída S estará no valor lógico 0, independentemente dos valores assumidos pelas demais variáveis de entrada.

B

Se a entrada Y assumir o valor lógico 1, então a saída S estará sempre no valor lógico 0, independentemente dos valores assumidos pelas demais variáveis de entrada.

C

As portas lógicas A, B, C, D e E são, respectivamente, portas E, INVERSORA, OU, OU-EXCLUSIVO e NÃO-E.

D

Se a entrada da porta inversora B estiver flutuando, ou seja, estiver desconectada de qualquer potencial elétrico, então o valor lógico na saída dessa porta será 1

E

Se as entradas W e Q tiverem o mesmo valor lógico, então a saída S assumirá sempre o valor lógico 1.

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Q112721

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112721 Engenharia Eletrônica

Texto associado

A tabela-verdade acima corresponde a uma função lógica com 4 entradas — X, Y, Z e W — e uma saída — S. Assinale a opção que apresenta a expressão lógica mínima, na forma soma de produtos, que equivale à tabela-verdade em questão.

A

S = X.Y + Y. Z + X Y . Z + X .Y . Z

B

S = (X + Y) . (Y + Z) . (X + Y + Z) . (X + Y + Z)

C

S = X.Y + Z

D

S = X . Y + Y . Z + Y . W

E

S = X. Y + Y . Z

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Q112719

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112719 Engenharia Eletrônica

No que concerne às tecnologias de fabricação de circuitos integrados digitais, assinale a opção correta.

A

Para que as portas lógicas TTL do tipo tri-state funcionem corretamente, é necessário que se conecte, entre a saída da porta e a tensão de alimentação, um resistor de pull-up.

B

Portas lógicas do tipo CMOS utilizam tanto transistores PMOS como transistores NMOS em sua fabricação. Em virtude de diferenças na mobilidade de elétrons e lacunas, é comum que os transistores PMOS e NMOS em um mesmo circuito integrado tenham dimensões diferentes.

C

Por utilizar transistores maiores, circuitos integrados fabricados com a tecnologia CMOS apresentam consumo de potência maior que os dispositivos fabricados com tecnologia TTL.

D

O consumo de energia de dispositivos fabricados com tecnologia CMOS independe da frequência de operação do relógio (clock) que controla o dispositivo.

E

As portas lógicas TTL, que são construídas a partir de transistores bipolares e transistores NMOS, apresentam a vantagem de não necessitarem da implementação de resistores integrados.

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Q112718

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112718 Engenharia Eletrônica

O número 357 na base dez corresponde a

A

1101101, na base dois.

B

348, na base oito.

C

165, na base dezesseis.

D

216, em código BCD.

E

319, na base cinco.

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