Questões de Concurso para Pesquisador - Engenharia Eletrônica

Q112728

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112728 Engenharia Eletrônica

Um sistema de conversão analógico/digital de sinais contém um filtro anti-aliasing imediatamente antes da entrada do conversor, garantindo que a frequência máxima de uma componente significativa do sinal seja igual a 1.500 Hz. Nessa situação, a mínima frequência de amostragem para que o sinal amostrado possa ser posteriormente reconstruído é igual a

A

150 Hz.

B

750 Hz.

C

1.500 Hz.

D

3.000 Hz.

E

15.000 Hz.

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Q112727

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112727 Engenharia Eletrônica

Em um conversor analógico/digital de 8 bits, monopolar, as tensões de entrada de 0 volt e 10 volts correspondem, respectivamente, aos números binários 0 e 11111111 (2⁸- 1, em números binários, que são proporcionais aos valores em 0 e 10 volts. Nessa situação, se a tensão a ser convertida for igual a 4 volts, então, o número binário na saída desse conversor será igual a

A

10010.

B

11011.

C

101001.

D

1100110.

E

11100101.

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Q112726

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112726 Engenharia Eletrônica

Texto associado

Considerando a figura acima, que mostra um esquema de decodificação de memórias RAM, assinale a opção que apresenta a faixa de memória correspondente ao módulo 2, no sistema hexadecimal.

A

0000-03FF

B

0400-07FF

C

0800-0BFF

D

0C00-0FFF

E

0400-05FF

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Q112725

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112725 Engenharia Eletrônica

Uma onda eletromagnética é capaz de transportar energia, e a taxa de transporte de energia por unidade de área é dada pelo vetor de Poynting. Com relação a esse vetor e às ondas eletromagnéticas em geral, assinale a opção correta.

A

O módulo do vetor de Poynting tem a unidade de energia/comprimento. No Sistema Internacional de Unidades (SI), uma unidade adequada para o módulo do vetor de Poynting é J/m.

B

Se uma fonte pontual emite radiação eletromagnética isotropicamente, então, no vácuo, a intensidade da onda não varia em função da distância ao ponto de geração da radiação.

C

Se a onda eletromagnética é plana e polarizada em apenas uma direção, o vetor campo elétrico faz sempre um ângulo de 45 graus com o vetor campo magnético.

D

Como a direção dos vetores campo elétrico e campo magnético é igual à direção de propagação, as ondas eletromagnéticas são um exemplo de onda longitudinal.

E

A direção do vetor de Poynting é perpendicular tanto ao vetor campo elétrico quanto ao vetor campo magnético.

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Q112724

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112724 Engenharia Eletrônica

Em determinada aplicação, um microprocessador é usado como parte de um sistema de controle, em conjunto com memórias semicondutoras e dispositivos de entrada e saída. A esse respeito, assinale a opção correta.

A

Para armazenar um programa que deve permanecer na memória quando o computador for desligado, deve-se utilizar uma memória RAM, que é não volátil.

B

Se o microprocessador e as memórias se comunicam com o uso de um barramento de dados, então os pinos de dados do microprocessador e da memória conectados ao barramento nunca deverão assumir o estado de alta impedância.

C

Para o armazenamento de dados durante o processamento, os quais podem ser apagados quando o computador é desligado, a memória ROM é a mais adequada para uso, por ser volátil e permitir a escrita de dados por parte do microprocessador.

D

A memória EPROM é não volátil e permite a escrita de dados que não são perdidos com o desligamento da energia do sistema. Os dados armazenados nesse tipo de memória podem ser apagados com o uso de luz ultravioleta aplicada por uma janela no chip.

E

As memórias EEPROM são não voláteis e permitem apenas uma escrita, já que os dados gravados não podem ser apagados.

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Q112723

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112723 Engenharia Eletrônica

Texto associado

Com relação ao circuito sequencial acima, montado a partir de dois flip-flops do tipo D, assinale a opção que apresenta a sequência correta das saídas Q₁Q₀

A

00, 11, 10, 01, 00, 11, 10, 01, 00, ...

B

00, 01, 10, 11, 00, 01, 10, 11, 00, ...

C

00, 10, 11, 01, 00, 10, 11, 01, 00, ...

D

00, 11, 01, 10, 00, 11, 01, 10, 00, ...

E

00, 01, 11, 10, 00, 01, 11, 10, 00, ...

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Q112722

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112722 Engenharia Eletrônica

Texto associado

A figura acima mostra um circuito combinacional com cinco entradas — X, Y, Z, W e Q — e uma saída — S, construído com o uso de cinco tipos diferentes de portas lógicas TTL, identificadas pelas letras de A a E. Com relação a esse circuito, assinale a opção correta.

A

Se a entrada Z estiver no valor lógico 0, então a saída S estará no valor lógico 0, independentemente dos valores assumidos pelas demais variáveis de entrada.

B

Se a entrada Y assumir o valor lógico 1, então a saída S estará sempre no valor lógico 0, independentemente dos valores assumidos pelas demais variáveis de entrada.

C

As portas lógicas A, B, C, D e E são, respectivamente, portas E, INVERSORA, OU, OU-EXCLUSIVO e NÃO-E.

D

Se a entrada da porta inversora B estiver flutuando, ou seja, estiver desconectada de qualquer potencial elétrico, então o valor lógico na saída dessa porta será 1

E

Se as entradas W e Q tiverem o mesmo valor lógico, então a saída S assumirá sempre o valor lógico 1.

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Q112721

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112721 Engenharia Eletrônica

Texto associado

A tabela-verdade acima corresponde a uma função lógica com 4 entradas — X, Y, Z e W — e uma saída — S. Assinale a opção que apresenta a expressão lógica mínima, na forma soma de produtos, que equivale à tabela-verdade em questão.

A

S = X.Y + Y. Z + X Y . Z + X .Y . Z

B

S = (X + Y) . (Y + Z) . (X + Y + Z) . (X + Y + Z)

C

S = X.Y + Z

D

S = X . Y + Y . Z + Y . W

E

S = X. Y + Y . Z

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Q112720

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112720 Engenharia Elétrica

Para realizar medidas de determinada tensão elétrica, cujo valor exato é conhecido e é igual a 100,00 volts, foram usados 4 diferentes dispositivos de medição — denominados medidores 1, 2, 3 e 4. Com cada medidor, foram feitas cem medidas da tensão e os resultados apresentavam-se um pouco diferentes a cada medida, com uma distribuição gaussiana, conforme apresentado a seguir.
> medidor 1: média 110,12 V e desvio padrão 0,07 V (média errada, baixa dispersão)
> medidor 2: média 100,00 V e desvio padrão 7,58 V (média certa, alta dispersão)
> medidor 3: média 100,00 V e desvio padrão 0,03 V (média certa, baixa dispersão)
> medidor 4: média 112,71 V e desvio padrão 6,32 V (média errada, alta dispersão)
Com relação a essa situação, assinale a opção correta.

A

O medidor 1 apresenta um exemplo de erro aleatório.

B

O medidor 2 apresenta um exemplo de erro sistemático.

C

O medidor 3 apresenta a melhor precisão e a melhor exatidão.

D

O medidor 4 apresenta boa exatidão, mas precisão ruim.

E

O medidor 2 apresenta maior precisão que o medidor 1.

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Q112719

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112719 Engenharia Eletrônica

No que concerne às tecnologias de fabricação de circuitos integrados digitais, assinale a opção correta.

A

Para que as portas lógicas TTL do tipo tri-state funcionem corretamente, é necessário que se conecte, entre a saída da porta e a tensão de alimentação, um resistor de pull-up.

B

Portas lógicas do tipo CMOS utilizam tanto transistores PMOS como transistores NMOS em sua fabricação. Em virtude de diferenças na mobilidade de elétrons e lacunas, é comum que os transistores PMOS e NMOS em um mesmo circuito integrado tenham dimensões diferentes.

C

Por utilizar transistores maiores, circuitos integrados fabricados com a tecnologia CMOS apresentam consumo de potência maior que os dispositivos fabricados com tecnologia TTL.

D

O consumo de energia de dispositivos fabricados com tecnologia CMOS independe da frequência de operação do relógio (clock) que controla o dispositivo.

E

As portas lógicas TTL, que são construídas a partir de transistores bipolares e transistores NMOS, apresentam a vantagem de não necessitarem da implementação de resistores integrados.

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Q112718

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112718 Engenharia Eletrônica

O número 357 na base dez corresponde a

A

1101101, na base dois.

B

348, na base oito.

C

165, na base dezesseis.

D

216, em código BCD.

E

319, na base cinco.

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Q112717

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112717 Engenharia Eletrônica

Texto associado

No circuito ilustrado na figura acima, todos os resistores têm resistência de 100 k Imagem 005.jpg

e todos os componentes são ideais. Nessa situação, se a tensão de entrada é Imagem 018.jpg

e a tensão de saída é Imagem 019.jpg

, é correto afirmar que o circuito se comporta como um

A

filtro passa-alta.

B

filtro passa-baixa.

C

filtro passa-faixa.

D

filtro rejeita-faixa.

E

amplificador com ganho negativo e módulo maior que 1.

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Q112716

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112716 Engenharia Eletrônica

Texto associado

Nas entradas v₁ e v₂ do amplificador de diferença ilustrado na figura, são aplicados os sinais a seguir.

v₂ = 0,1sen (2π60t) + 0,001sen (2π2t) V

V₁ = 0,1sen (2π60t) - 0,001sen (2π2t) V

Nessa situação, se, para esse amplificador, o ganho de modo diferencial for de 2.000 e o CMRR for 80 dB, então, a tensão de saída v₀, em volts, será igual a

A

2 sen (2

2t).

B

0,02 sen (2

60t).

C

0,02 sen (2

60t) + 4 sen (2

2t).

D

0,2 sen (2

t) + 4 sen (2

2t).

E

0,2 sen (2

t) + sen (2

2t.)

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Q112715

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112715 Engenharia Eletrônica

Texto associado

Com relação ao amplificador de diferença ilustrado na figura, assinale a opção correta.

A

Considere que os resistores R₄tenham exatamente o mesmo valor de resistência, e, com esse valor, o amplificador mostrado tenha um CMRR de 80 dB. Nesse caso, se um desses resistores for substituído por outro com resistência de valor 2% maior, não haverá redução no CMRR.

B

A impedância de entrada vista a partir dos terminais de entrada v₁ e v₂ é igual ao valor da resistência do resistor R₁

C

O CMRR do amplificador de diferença mostrado independe dos valores de CMRR dos três amplificadores operacionais do circuito.

D

Se o resistor R₁for substituído por outro com o dobro da resistência, então o ganho do amplificador mostrado será multiplicado por 2.

E

Se os resistores R₄ forem substituídos por outros com valor de resistência exatamente igual ao dobro do valor atual, então o ganho total em modo diferencial do amplificador de diferença será o dobro do ganho original.

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Q112714

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112714 Engenharia Eletrônica

Com referência às características de amplificadores operacionais ideais e reais, assinale a opção correta.

A

A impedância de saída de um amplificador operacional (AO) ideal é igual a 0 volt.

B

O ganho em malha aberta de um AO ideal é igual a 1.

C

Quando um AO real é usado para se construir um amplificador não inversor, a realimentação negativa faz que a impedância de entrada desse amplificador seja menor que a impedância de entrada do AO em malha aberta.

D

Quando um AO real é usado para construir um amplificador que utiliza realimentação negativa, a banda passante do amplificador realimentado é menor que a banda passante do AO em malha aberta.

E

Amplificadores operacionais reais com entrada a JFET têm correntes de polarização maiores que os amplificadores operacionais com entrada a transistor bipolar.

Q112713

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112713 Engenharia Eletrônica

Texto associado

No circuito eletrônico acima, que mostra um amplificador a transistor, os potenciais quiescentes de polarizações V_B e V_C são iguais, respectivamente, a 8 V e 12 V, e V_cc é 16 V. O ganho AC do amplificador é igual a 100 e uma fonte de sinal com impedância de entrada muito mais baixa que a impedância de entrada do amplificador injeta, em v_i , uma tensão senoidal com frequência na faixa adequada do amplificador e tensão de pico a pico igual a 20 mV.

Considerando que, nesse circuito, o transistor esteja corretamente polarizado na região ativa, que as distorções do sinal amplificado sejam desprezíveis e que os capacitores têm valores de capacitância tal que, para as frequências dos sinais amplificados, eles funcionem como curto-circuito, assinale a opção correta.

A

O amplificador em questão está funcionando em configuração coletor comum.

B

O amplificador a transistor mostrado está funcionando em configuração base comum.

C

Em regime permanente, o valor médio da tensão no emissor do transistor é menor que 5 volts.

D

Em regime permanente, a tensão v₀tem valor médio igual a 0 volt.

E

A impedância de entrada do amplificador é igual à soma das resistências de R_B1 e R_B2

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Q112712

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112712 Engenharia Eletrônica

Texto associado

No circuito elétrico acima, cujo sinal de entrada é indicado por v_ia saída, indicada por v₀, em volts, é igual a

A

3v_i+ 2.

B

-3v_i- 2.

C

-4v_i- 2.

D

4v_i- 2.

E

3v_i- 2.

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Q112711

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112711 Engenharia Eletrônica

Texto associado

Considerando o circuito acima, caso os sinais e_i(t) e e₀(t) sejam representados, no domínio da transformada de Laplace, por E_t(s) e E₀(s) respectivamente, então a expressão H(s) = Imagem 010.jpg

é igual a

A

B

C

D

E

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Q112710

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112710 Engenharia Eletrônica

Texto associado

Na figura acima, que ilustra o circuito de uma fonte de alimentação, a tensão aplicada ao primário do transformador é de 220 V_RMS , o número de espiras do secundário é 22 vezes maior que o número de espiras do primário, o resistor de carga = 100Ω e a capacitância do capacitor C = 2.000μF . Considerando que, nesse circuito, o transformador seja ideal, assinale a opção correta.

A

A tensão média no resistor R_L é inferior a 10 volts.

B

Se o valor da capacitância do capacitor C diminuir, a ondulação da tensão na carga também irá diminuir.

C

Se o capacitor for retirado do circuito, ou seja, for substituído por um circuito aberto, a tensão média na carga irá aumentar.

D

No capacitor, a tensão de pico reversa será inferior a 12 volts.

E

Se o resistor de carga for trocado por outro de resistência igual a 200Ωa tensão média de saída na carga R_L irá aumentar.

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Q112709

Ano: 2010 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INMETRO Prova: CESPE - 2010 - INMETRO - Pesquisador - Engenharia Eletrônica |

Q112709 Engenharia Elétrica

Com relação ao cristal de silício e à operação física de componentes semicondutores, assinale a opção correta.

A

Um cristal de silício puro ou intrínseco tem uma estrutura com organização atômica regular em que os átomos são mantidos em suas posições por ligações iônicas, formadas por três elétrons de valência, os quais estão associados a cada um dos átomos de silício.

B

No cristal de silício puro ou intrínseco, as ligações covalentes formadas pelos quatro elétrons de valência de cada átomo estão completas, e, tanto a temperaturas muito baixas como à temperatura ambiente, não há disponibilidade de elétrons livres para a condução de corrente elétrica. Essa propriedade torna o silício intrínseco um isolante elétrico.

C

As lacunas e os elétrons se movem através de um cristal de silício por dois mecanismos: difusão e deriva. A deriva consiste no movimento aleatório dos portadores devido à agitação térmica, associado a gradientes de concentração de portadores. A difusão é o movimento de portadores que ocorre como resultado da aplicação de um campo elétrico a uma região com elétrons e lacunas livres.

D

Elétrons e lacunas têm mobilidades diferentes no cristal de silício intrínseco; as lacunas têm uma mobilidade superior a duas vezes a dos elétrons.

E

Na construção de transistores bipolares de junção do tipo NPN, é comum que o emissor seja fortemente dopado e que a base seja levemente dopada, de forma que o dispositivo tenha uma alta densidade de elétrons (portadores) no emissor e uma menor densidade de lacunas na base.

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