Questões de Concurso
Para unicamp
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(__)Em áreas do grupo 2, como centros cirúrgicos e UTIs, é obrigatória a alimentação dos equipamentos eletromédicos por sistemas de aterramento isolado com transformador de separação e monitor de isolamento contínuo, conforme previsto em norma.
(__)A verificação de compatibilidade de corrente de fuga entre o equipamento eletromédico e o sistema de aterramento deve ser realizada antes da instalação definitiva, sendo admissível corrente de fuga total de até 10 mA em ambientes críticos, desde que o equipamento esteja registrado na Anvisa.
(__)O engenheiro clínico, ao aprovar tecnicamente a instalação de um equipamento de imagem em ambiente do grupo 2, deve considerar a corrente de partida do equipamento no dimensionamento do circuito, ainda que essa responsabilidade primária seja do engenheiro eletricista.
(__) A instalação de equipamentos com conectores bipolares em ambientes do grupo 2 requer a verificação da classe de proteção elétrica e do grau de proteção contra penetração de líquidos (IP), mesmo que o fabricante já tenha declarado esses dados em manual técnico validado.
Após análise, assinale a alternativa que apresenta a sequência correta dos itens acima, de cima para baixo:
I.Artefatos eletromagnéticos oriundos de equipamentos médicos próximos podem induzir sinais espúrios ao traçado eletrocardiográfico, sobretudo se o sistema de aterramento e blindagem do circuito de aquisição for inadequado.
II.A ausência intermitente da onda P pode indicar erro no algoritmo de detecção do início do ciclo cardíaco, especialmente se o sistema usa algoritmos baseados em derivadas da curva ECG ou filtragem passiva sem correlação entre canais.
III.As alterações na onda T, quando associadas à operação de equipamentos em rede elétrica comum, são evidência de que a faixa de frequência de rejeição do filtro notch implementado pode estar inadequadamente centrada ou insuficientemente estreita.
Está correto o que se afirma em:
Afirmativas:
I.O transistor BJT é controlado por corrente na base, enquanto o transistor MOSFET é controlado por tensão no gate, o que influencia diretamente o consumo de potência do circuito de comando.
II.O transistor MOSFET apresenta menor dissipação de potência em chaveamento de alta frequência em comparação ao BJT, pois possui menor carga armazenada e não sofre efeito de tempo de armazenamento de portadores.
III.O transistor MOSFET sempre dissipa menos calor do que o BJT, independentemente do regime de operação e da frequência de chaveamento.
IV.O transistor BJT é mais resistente a surtos de tensão do que o MOSFET, pois não sofre efeitos de ruptura da junção porta-dreno.
V.O transistor MOSFET é controlado por corrente de porta, o que o torna menos eficiente energeticamente do que o BJT em circuitos de baixa potência.
Qual combinação abaixo apresenta somente as afirmativas corretas?
1.O fator de potência desse circuito.
2.O valor da potência aparente consumida.
3.Se o circuito opera com um fator de potência indutivo ou capacitivo.
Qual das opções abaixo apresenta corretamente os itens supracitados?
-Uma fonte de tensão independente de 12 V, responsável pela alimentação direta dos LEDs de alta potência.
-Uma fonte de corrente controlada por tensão, cuja corrente de saída é proporcional à tensão medida por um sensor de luminosidade ambiente.
-Uma fonte de corrente independente, que fornece corrente constante a um circuito de referência.
-Uma fonte de tensão controlada por corrente, cuja tensão de saída depende da corrente que passa por um resistor shunt posicionado em série com a carga.
Com base nessas informações e considerando o comportamento ideal dos componentes, assinale a única alternativa correta:
-Corrente de coletor (Ic): 30 A
-Tensão coletor-emissor (Vce): 600 V
-Tensão de gate-emissor (Vge): 15 V
-Resistência térmica junção-case (θjc): 0,5 °C/W
-Dissipador de calor com resistência térmica case-ambiente (θca): 2,0 °C/W
-Potência dissipada pelo IGBT (Pdiss): 60 W
-Temperatura ambiente (Tamb): 40°C
Considerando os dados acima, analise as afirmativas abaixo:
I.O aumento excessivo da temperatura do IGBT pode estar relacionado à inadequada dissipação térmica do dispositivo.
II.A temperatura de junção do IGBT é inferior a 150°C, garantindo sua operação segura.
III.A corrente de coletor (Ic) do IGBT pode ser diretamente controlada pela tensão de gate-emissor (Vge).
IV.Um possível modo de falha do IGBT em operação pode ser o fenômeno de latch-up térmico, causado pela realimentação interna positiva do dispositivo.
Qual das opções abaixo apresentam somente as afirmativas corretas?
(__)A elaboração do plano de gerenciamento de risco elétrico deve considerar a classificação dos ambientes hospitalares quanto ao grau de criticidade, incluindo áreas do grupo 2, como centros cirúrgicos e UTIs, que exigem continuidade absoluta de alimentação.
(__)A ocorrência de falha elétrica em equipamentos de suporte à vida pode ser considerada aceitável desde que haja um plano de recuperação rápida e o tempo de resposta não ultrapasse 90 segundos, conforme tolerância definida por norma.
(__)O uso de sistemas redundantes, como geradores, integra o gerenciamento de risco elétrico, devendo ser projetado com base na avaliação da probabilidade de falha e impacto clínico, considerando inclusive falhas simultâneas.
(__)O engenheiro eletricista é o profissional legalmente habilitado a elaborar e assumir a responsabilidade técnica pelo plano de gerenciamento de risco elétrico hospitalar, inclusive quanto à definição de periodicidade de testes e critérios de contingência.
Após análise, assinale a alternativa que apresenta a sequência correta dos itens acima, de cima para baixo:
I.O micrótomo é um equipamento utilizado para realizar cortes ultrafinos de tecidos embebidos em parafina, permitindo a análise histológica detalhada.
II.A inclusão de tecidos em parafina ocorre por meio de resfriamento súbito, garantindo a preservação instantânea da estrutura celular.
III.A automação laboratorial permite maior padronização nos processos de histologia, reduzindo o risco de variabilidade entre amostras.
Está correto o que se afirma em: