Questões de Concurso
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No processo de produção e construção de dispositivos semicondutores, uma das formas de dopagem é realizada com a introdução de impurezas trivalentes a um semicondutor intrínseco.
Nesse caso, o número de elétrons da camada de valência da impureza introduzida, o tipo de material dopado obtido e o portador majoritário de cargas criado nesse material são, respectivamente,
A norma técnica brasileira que estabelece as condições a que devem satisfazer as instalações elétricas de baixa tensão, a fim de garantir o seu funcionamento adequado, a segurança de pessoas e de animais domésticos e a conservação dos bens, é a
Considere o circuito de eletrônica digital mostrado na figura a seguir:

Trata-se de um
( ) O estado possui uma matriz energética diversificada, com participação de fontes renováveis como a energia eólica e solar.
( ) Toda a transmissão de energia elétrica no estado é feita por empresas públicas.
( ) O estado está ligado não somente ao sistema elétrico do Brasil, mas também ao da Argentina e do Uruguai.
( ) A maior parte da energia elétrica gerada no Rio Grande do Sul vem de termelétricas.
A ordem correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é:
Considerando que a área Aacc é menor que a área Adec, é correto afirmar que
Em relação à curva de magnetização apresentada acima, é correto afirmar que
Em relação à instalação elétrica representada no unifilar, é correto afirmar que
Em relação a esse coordenograma é correto afirmar que
A figura a seguir apresenta um sistema trifásico com fonte isolada.

Considerando-se o sistema apresentado acima, é correto afirmar que
Em relação ao dispositivo DR, é correto afirmar que ele atua para
Considerando-se que o ângulo do fator de potência da carga em estrela é θ atrasado (carga indutiva), a defasagem angular entre a tensão de linha da Vab e a corrente de linha Ia é
Considerando-se a impedância de magnetização ZM infinita, o valor obtido pela divisão da tensão E0 e a corrente I0 será
I Os materiais condutores possuem elétrons localizados mais distantes do núcleo atômico em comparação aos materiais não condutores. Esses elétrons estão sob a ação de forças atrativas mais fracas exercidas pelos prótons no núcleo.
II Os elétrons mais distantes do núcleo são chamados de elétrons livres ou de condução e facilitam o fluxo de corrente elétrica nos condutores.
III Os materiais condutores tendem a acumular carga estática com mais facilidade.
Das afirmações apresentadas, estão corretas apenas:
Considere o sistema de aterramento apresentado a seguir.

De acordo com a NBR 5410, o sistema de aterramento apresentado na figura acima é denominado