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I – o primário em triângulo. II – o secundário estrela. III – o condutor neutro na saída do trafo está conectado no centro da estrela. IV – o condutor energizado na entrada do trafo está conectado no centro do triângulo.
Está (ão) correta (s):
V1/V2 = N1/N2
Onde:
I - Duas cargas são alimentadas pela mesma tensão, mas são atravessadas por intensidade de correntes diferentes.
PORQUE
II - Além da tensão aplicada ao circuito, o valor da corrente elétrica depende, também, da carga onde uma se opõe mais que a outra ao deslocamento dos elétrons.
Com base nas afirmativas a seguir:
I - Baixo fator de potência significa transformar em energia, calor, ou luz somente parte da potência total absorvida. II - Quando o FP (cos.) é 1 ou 80%, significa que a potência ativa é igual à potência total (VA). III - Quando o FP (cos.) é 0, significa que o circuito está absorvendo apenas potência ativa da rede.
Está (ão) correta (s):
Complete os espaços com uma das alternativas.
Sabendo que a reta que se estende do ponto Y ao ponto X é a reta de carga do transistor no arranjo, os pontos Y e X são dados
respectivamente por: 
Podemos associar (i), (ii) e (iii) às seguintes tecnologias de baterias:
De posse de um multímetro analógico na escala de resistência
x10k, suponha a realização dos seguintes ensaios:
A fim de atestar o funcionamento da chave, o resultado dos ensaios
I e II devem resultar, respectivamente• Máxima potência dissipada pelo encapsulamento PZ(max) = 500mW. • Corrente mínima de de Zener Iz = 0,5mA. • Tensão de Zener Vz =12V.
Supondo que o Diodo Zener esteja funcionando corretamente para a regulação de carga, calcule os valores aproximados de mínimo e máximo admissíveis para a carga resistiva RL.

Os valores obtidos foram, respectivamente

De forma analítica, o ganho total da corrente de coletor Ic em relação a corrente de base Ib é dado po
( ) Para o aumento da capacidade de condução de corrente, TBj's em paralelo devem ter observado seus coeficientes de temperatura (negativo para TBJ's) pois se um dos transistores conduzir mais corrente, sua resistência em sentido direto diminui e sua corrente aumenta ainda mais. ( ) Em IGBT's o paralelismo é mais simples, pois os mesmos possuem coeficientes de temperatura positivos e constantes de maneira a facilitar seu paralelismo para divisão da condução de corrente. ( ) Para conexão de TBJ's em série, o tempo de entrada e saída de condução devem ser observados de maneira a não permitir que o dispositivo mais lento para condução ou rápido para o desligamento seja submetido a toda tensão de coletor/emissor. ( ) Já para o paralelismo de MOSFET's, uma vez que o aquecimento da chave implica em um aumento na resistência em sentido direto, o desvio da corrente resultante impede o paralelismo deste tipo de chave.
Assinale a sequência correta, no sentido de cima para baixo.

Sobre o arranjo, é incorreto afirmar que