Um sistema de cabeamento estruturado é dividido, basicamente, em dois subsistemas: o Cabeamento Horizontal e o Cabeamento Vertical (Backbone). NÃO é espaço conectado por esses subsistemas:

Para responder a questão, considere o texto abaixo.

Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação  em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm² /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm² .

Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 kΩ com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é

Para responder a questão, considere o texto abaixo.
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação  em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm² /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm² .

Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 μA, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é

Observe a figura abaixo, que representa um circuito em que o transistor bipolar NPN foi especificado para ter β (hFE) na faixa de 15 a 75.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Para que o transistor Q1 opere na saturação (VCE de saturação= 0,2 V e VBE= 0,67 V), com Fator Forçado igual a 20, o valor da resistência de base (RB) será de

Analise a figura abaixo que representa um circuito amplificador de instrumentação, em que são utilizados resistores com tolerância de 5%.

Fonte: FUNCERN, 2017.

O valor do ganho diferencial mínimo (Ad) é de

Analise a figura abaixo, que representa um circuito com diodos ideais.

Fonte: FUNCERN, 2017.

O valor de pico da tensão de saída (vo) é de

Um retificador de onda completa em ponte, que utiliza diodos de silício (V_D= 0,7 V), possui uma entrada senoidal de 220 Vrms e uma carga de 3,3 kΩ.

Os valores da tensão CC aplicada na carga, da especificação da tensão de pico inversa (PIV) máxima para os diodos e da corrente máxima por meio dos diodos durante a condução, respectivamente, são

Analise a figura abaixo, que representa um circuito sequencial.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Assinale a opção em que estão representadas, corretamente, as formas de onda das saídas Q0 e Q1.

Em relação ao controle e acionamento de máquinas elétricas, é correto afirmar que

Analise a descrição do sistema digital abaixo.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Após a prototipagem dessa descrição, os valores obtidos de a, b e c foram, respectivamente, 110, 100 e 110.

O valor da constante x declarada na arquitetura GERAL para os resultados obtidos é

Em relação aos dispositivos lógicos programáveis, o FPGA

No momento em que ocorre uma transição ativa na entrada de clock de um flip-flop, o tempo de preparação e o tempo de manutenção são importantes para a confiabilidade da resposta às entradas de controle.

De acordo com esses parâmetros, o tempo de

Em uma edificação, a instalação da rede de comunicação de dados deve possuir passagens diferentes da rede de energia elétrica. Mesmo tomando esse cuidado, pode ocorrer interferência eletromagnética sobre o cabeamento metálico de dados. Para reduzir esse efeito, desenvolveu-se um cabo com uma malha de blindagem que cobre, de uma vez, os 4 pares de fios, sem que cada par possua uma blindagem própria. O cabo com essa característica é especificado comercialmente como

Abaixo é apresentada a conexão de três botões, B1, B2 e B3 a uma interface de entrada de um Controlador Lógico Programável − CLP, que possui uma lâmpada L conectada à sua interface de saída.



Considerando que B1 e B2 são botões normalmente abertos, e B3 é um botão normalmente fechado, deseja-se que:
− caso B3 esteja fechado, L acenda quando B1 ou B2 estejam fechados.
− caso B3 esteja aberto, L não deve acender.

Um possível programa elaborado em Diagrama em Escada que atende à condição especificada é:

A distorção harmônica total, ou THD, é uma medida da distorção harmônica presente em um determinado sinal e é definida como a relação entre a soma das potências de todos os componentes harmônicos e a potência da frequência fundamental. Dado que um resistor R é submetido a um sinal de tensão cujo conteúdo harmônico é apresentado na tabela abaixo. 

                                        

O valor da THD desse sinal, em valor percentual, é: 

A capacidade de chaveamento de corrente e a velocidade de comutação dos dispositivos semicondutores de potência varia conforme a sua construção e aplicação. Com relação a frequência de comutação típica de alguns tipos de tiristores, a ordem crescente da frequência é

A função de um retificador é converter:

A figura abaixo representa um circuito com AOPs (amplificador operacional) ideais ligados em cascata, ou seja, a saída de um amplificador é a entrada do próximo. Na saída do circuito o valor de v_o será:

No teste de um audioamplificador foi aplicado um sinal que elevou a potência de entrada de 30 mW para uma potência de saída de 3 W. O ganho de potência em dB desse amplificador é:

Em relação aos tiristores, é correto afirmar que: