Julgue o item seguinte, acerca dos computadores digitais e das memórias principais de microprocessadores.

Uma memória de acesso sequencial possui um tempo de acesso variável.

Julgue o item seguinte, acerca dos computadores digitais e das memórias principais de microprocessadores.

Devido à volatilidade das memórias EPROM é comum a associação de baterias ao circuito dessa memória, a fim de que os dados não sejam perdidos com o corte da alimentação.

Julgue o item seguinte, acerca dos computadores digitais e das memórias principais de microprocessadores.

Uma célula de memória é um circuito ou dispositivo utilizado para armazenar uma palavra de memória.

Em relação aos sistemas digitais, julgue o próximo item.

Os flip-flop síncronos somente respondem às mudanças de entrada quando são simultâneas ao pulso de controle.

Em relação aos sistemas digitais, julgue o próximo item.

Nos contadores assíncronos, apesar da designação que recebem, as transições dos flip-flops são simultâneas.

Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.

O fator de carga de uma porta lógica representa a quantidade máxima de saídas que é possível ligar a uma entrada.

Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.

Quando não se deseja utilizar uma entrada de uma porta lógica TTL, pode-se conectar essa entrada a uma tensão de +5 V por meio de um resistor de 1 kΩ.

Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.

Na família TTL, o nível lógico 0 deve estar, no máximo, em torno de 1,5 V.

Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
Uma das vantagens da família TTL é a possibilidade de interligação entre as diversas subfamílias, pois elas compartilham as mesmas correntes de entrada e saída.

Caso o capacitor C₃ seja retirado do circuito, ocorrerá uma mudança nas correntes de polarização do transistor, acompanhada de um aumento no ganho de tensão do circuito.

Caso ocorra um aumento de 5% no valor de R_C, sem que haja grande mudança na polarização do circuito ou no parâmetro h¬_fe, ocorrerá, em consequência, uma diminuição no ganho de tensão do amplificar.

O circuito mostrado pode funcionar como um filtro passa baixa, com frequência de corte, em Hz, dada por .

A função de transferência H(s)=V_o(s)/V_i(s), no domínio da transformada de Laplace, é representada pela expressão a seguir, em que R é um resistor e C um capacitor.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Para que o diodo semicondutor retificador contendo uma junção PN esteja em polarização reversa, é necessário que o potencial elétrico no catodo seja maior que o do anodo.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como semicondutores do tipo P.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Nos transistores de uso geral do tipo NPN, a base, que deve ser fabricada com a maior largura possível, apresenta um grau de dopagem bem mais alto do que o coletor, característica essa importante por favorecer a minimização da recombinação dos portadores majoritários e minoritários na base.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Para que transistores bipolares do tipo NPN operem na região ativa, é necessário que a junção entre o coletor e a base seja submetida à polarização reversa, e a junção entre base e emissor seja polarizada diretamente.

Com relação ao comportamento de campos elétricos e magnéticos na matéria e às propriedades térmicas da matéria, julgue o item que se segue.

Em um capacitor de placas paralelas separadas por vácuo, a capacitância, que é igual a diferença de potencial entre as duas placas dividida pela carga armazenada no capacitor, diminuirá se o vácuo for substituído por uma substância cerâmica, pois a constante dielétrica do vácuo é a maior possível.