Questões da Prova FUNCERN - 2017 - IF-RN - Professor - Eletrônica

Observe a figura abaixo, que representa um circuito em que o transistor bipolar NPN foi especificado para ter β (hFE) na faixa de 15 a 75.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Para que o transistor Q1 opere na saturação (VCE de saturação= 0,2 V e VBE= 0,67 V), com Fator Forçado igual a 20, o valor da resistência de base (RB) será de

Analise a figura abaixo que representa um circuito amplificador de instrumentação, em que são utilizados resistores com tolerância de 5%.

Fonte: FUNCERN, 2017.

O valor do ganho diferencial mínimo (Ad) é de

Analise a figura abaixo que representa um circuito de polarização DC do amplificador fonte comum (FC), com tensão entre a porta e a fonte (V_GS) igual a 2,39 V e transistor de efeito de campo (FET) com as seguintes características: tensão de limiar de condução Vth= 1,2 V, parâmetros de processo e λ = 0,004V^-1 .

Fonte: FUNCERN, 2017.

Para a condição de polarização estabelecida, os respectivos valores da transcondutância (gm) e do resistor de saída para pequenos sinais do FET são

A medição das características elétricas de um dispositivo sensor que utiliza o efeito fotovoltaico apresentou os seguintes resultados: tensão de máxima potência V_MP = - 0,33 V; corrente de máxima potência I_MP = 1,21x10^-9 A; tensão de circuito aberto V_OC = - 0,40 V; e corrente de curto circuito I_SC = 1,31 x 10^-9 A.

A partir dos parâmetros medidos, o Fator de Forma (FF) do sensor é de

Analise a figura abaixo que representa um circuito em que a diferença de potencial medida entre os pontos A e B é igual a zero Volt.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Para atender à condição imposta, os respectivos valores de Cx e Rx são