Questões de Concurso

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Q900771 Engenharia Eletrônica
Para o circuito da figura, todos os componentes são de potência nominal ideal. O transistor Q1 tem β = 200. O valor conhecido de VBE = 0,8V.
Analisando o circuito, é correto afirmar que a queda de tensão em:
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Alternativas
Q841265 Engenharia Eletrônica
A capacidade de chaveamento de corrente e a velocidade de comutação dos dispositivos semicondutores de potência varia conforme a sua construção e aplicação. Com relação a frequência de comutação típica de alguns tipos de tiristores, a ordem crescente da frequência é
Alternativas
Q838719 Engenharia Eletrônica
Em relação aos tiristores, é correto afirmar que:
Alternativas
Q836056 Engenharia Eletrônica
O tiristor do tipo SCR, ou seja, retificador controlado de silício,
Alternativas
Q830806 Engenharia Eletrônica
O invólucro do transistor de potência mostrado na Figura 6 abaixo possui diâmetro D=10 mm e comprimento L=8 mm. Uma corrente de ar que resfria o transistor está a 20°C e sob condições em que mantém um coeficiente de convecção médio de h=90 W/m².K na superfície do invólucro. Sabendo que a temperatura superficial do transistor não deve exceder 80°C, assinale a alternativa que indica a máxima potência admissível para as condições descritas.
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Alternativas
Respostas
21: D
22: B
23: A
24: D
25: C