Para o circuito da figura, todos os componentes são de potência nominal
ideal. O transistor Q1 tem β = 200. O valor conhecido de VBE = 0,8V.
Analisando o circuito, é correto afirmar que a queda de tensão em:
A capacidade de chaveamento de corrente e a velocidade de comutação dos dispositivos semicondutores de potência varia
conforme a sua construção e aplicação. Com relação a frequência de comutação típica de alguns tipos de tiristores, a ordem
crescente da frequência é
O invólucro do transistor de
potência mostrado na Figura 6 abaixo possui
diâmetro D=10 mm e comprimento L=8 mm.
Uma corrente de ar que resfria o transistor
está a 20°C e sob condições em que mantém
um coeficiente de convecção médio de h=90
W/m².K na superfície do invólucro. Sabendo
que a temperatura superficial do transistor
não deve exceder 80°C, assinale a alternativa
que indica a máxima potência admissível para
as condições descritas.