Questões de Concurso

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Q2112147 Engenharia Eletrônica
No circuito a seguir, considere RL = 100 ohms; +V = 12V; VBE = 0,7V; e, uma saturação forte, onde Ic/Ib = 10. 
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O valor de Rb é, aproximadamente:
Alternativas
Q2112146 Engenharia Eletrônica
“Em um sistema ______________, o _______________ pressurizado é produzido por ________________.” Assinale a alternativa que completa correta e sequencialmente a afirmativa anterior.
Alternativas
Q2079933 Engenharia Eletrônica
No circuito a seguir, considere o diodo ideal, π = 3, 14 e √2 = 0, 707 . O valor CC da tensão (Vs) sobre o resistor em relação ao GND é, aproximadamente:
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Alternativas
Q2068607 Engenharia Eletrônica

    Pretende-se construir dois equipamentos eletrônicos, com características específicas de operação, em que o equipamento A deve ser mais estável em relação à temperatura, com impedância de entrada elevada e economia de potência para sinais digitais, ao passo que o equipamento B deve apresentar maior robustez quanto às descargas de eletricidade estática quando for manuseado e um ganho de tensão mais elevado.


Considerando-se as características apontadas e os dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente. 


O equipamento B deve ser construído com transistores de efeito de campo do tipo MOSFET.

Alternativas
Q2068605 Engenharia Eletrônica

    Pretende-se construir dois equipamentos eletrônicos, com características específicas de operação, em que o equipamento A deve ser mais estável em relação à temperatura, com impedância de entrada elevada e economia de potência para sinais digitais, ao passo que o equipamento B deve apresentar maior robustez quanto às descargas de eletricidade estática quando for manuseado e um ganho de tensão mais elevado.


Considerando-se as características apontadas e os dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente. 


As especificações desejadas para o equipamento B serão obtidas caso ele seja construído com díodos Zener. 

Alternativas
Respostas
11: C
12: C
13: A
14: E
15: E