Questões de Concurso
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No circuito representado na figura precedente, se β = 50, VBE = 0,7 V e R = 2 kΩ, o valor da corrente I, em mA, será igual a
A figura a seguir ilustra o circuito simplificado de um diodo fotovoltaico, baseado em silício: o resultado do processo de fotoexcitação é representado pelo surgimento de uma tensão que, como consequência, gera a corrente i_gen; R_S representa a resistência da célula e R_SH, uma resistência interna shunt; i_d representa a corrente no diodo, i_sh, a corrente que flui pela resistência shunt e i_L, a corrente que flui pela carga resistiva.
Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue.
Idealmente a célula fotovoltaica deve ser construída com
silício 100% puro, já que qualquer impureza pode introduzir
níveis de energia indesejados nas bandas do sistema,
atrapalhando o fluxo de corrente.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
A ilustração mostra a estrutura de um transistor PMOS do
tipo depleção.
Considere o transistor NPN da figura a seguir:
Antes de ser colocado em um circuito, esse componente
pode ser verificado com um multímetro na configuração
para teste de diodos. No funcionamento normal do
transistor, há duas medições que resultarão em leituras de
tensão. Assinale a alternativa que apresenta o terminal do
multímetro (positivo e negativo) e o ponto (B, C e E) ao
qual ele estará conectado para essas duas medições:
Nessas condições, a corrente que passa pelo diodo Zener é de:
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