Questões da Prova CESPE - 2013 - TRT - 17ª Região (ES) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica

Considerando o circuito apresentado na figura acima, em que V_i = 5 V, V_CC = 10 V e o transistor possui β = 200, julgue o próximo item.

A corrente na base é 100 vezes menor que a corrente no coletor.

Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.

O rendimento do amplificador classe C é maior que o dos amplificadores classes A, B e AB, de modo que seu ganho é máximo na frequência de ressonância.

Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.

O comportamento do diodo de Schottky baseia-se na barreira de potencial na junção de semicondutores dopados dos tipos N e P.

Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.

O controle do fluxo de corrente no transistor de efeito de campo (FET) é feito por corrente, ao passo que, no transistor bipolar de junção (BJT), esse controle é feito por tensão.

Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.

O SCR (silicon controlled rectifier) é composto pela junção de duas camadas P e duas N, alternadas entre si, com três terminais: anodo, catodo e porta. O circuito equivalente ao SCR pode ser representado pela associação de um transistor PNP com um NPN.