Questões da Prova FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica

Foram encontradas 25 questões

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Q569016
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569016 Engenharia Eletrônica
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No circuito acima, considere os componentes como sendo ideais. Ao aplicar-se na entrada do circuito um sinal senoidal da forma Vsen(ωt), o sinal de saída vo será, aproximadamente, o de:
Alternativas
Q569015
Engenharia Eletrônica Sistemas Embarcados , Arquitetura na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569015 Engenharia Eletrônica
Ao artifício pelo qual utiliza-se uma pequena memória SRAM veloz para armazenar códigos ou dados mais frequentes e uma memória grande DRAM, mais barata, para armazenar a grande quantidade de códigos ou dados que não são acessados com grande frequência, dá-se o nome de:
Alternativas
Q569014
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569014 Engenharia Eletrônica
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No amplificador diferencial da figura acima, os transistores apresentam fator β igual a 70 e resistência interna de base (rb) igual a 40 kΩ.

O seu ganho de modo comum vo/vi é igual a:
Alternativas
Q569013
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569013 Engenharia Eletrônica
Com relação à operação física dos diodos, analise as afirmativas a seguir.

I. Na condição de circuito aberto, haverá uma região de depleção de portadores em ambos os lados da junção pn, com o lado n dessa região carregado negativamente e o lado p carregado positivamente.

II. Na condição de polarização inversa, a capacitância de depleção diminui com o aumento da tensão de polarização.

III. Na condição de polarização direta, o maior número de cargas fixas descobertas resulta num aumento de tensão na região de depleção e, consequentemente, numa maior corrente de polarização direta.
Assinale:
Alternativas
Q569012
Engenharia Eletrônica Redes Industriais ,
Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569012 Engenharia Eletrônica
Assinale a alternativa que indique a técnica de proteção de dados que espelha os dados entre dois discos rígidos:
Alternativas
Respostas
21: D
22: C
23: B
24: B
25: D
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