Questões da Prova FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica
Foram encontradas 25 questões
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Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569022
Engenharia Eletrônica
Para o sistema discreto definido por x(1+ k ) = Ax(k) + Bu(k) e y(k) = Cx(k) + Du(k) , cujas matrizes são: a matriz dinâmica 
, a matriz de entrada 
; C = [−1 2] e a matriz de transmissão direta é nula.
O ganho de realimentação de estados K que resulta num sistema discreto estável é dado pela alternativa:
, a matriz de entrada ; C = [−1 2] e a matriz de transmissão direta é nula.O ganho de realimentação de estados K que resulta num sistema discreto estável é dado pela alternativa:
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569020
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A figura 1 mostra um circuito amplificador que utiliza um transistor MOSFET do tipo N (NMOS) e que se encontra fechado em uma caixa, sendo seu único ponto de acesso o nó S.
A figura 2, por sua vez, mostra um gráfico, fora de escala, com a reta de carga do amplificador.
Sabendo que a tensão medida no nó A foi 5 V, pode-se afirmar que a corrente de dreno do transistor, em mA, é:
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569019
Engenharia Eletrônica
Dentre as alternativas seguintes, aquela que apresenta uma característica do amplificador operacional ideal é:
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569018
Engenharia Eletrônica
O amplificador cascode utilizando transistores TBJ (Transistor Bipolar de Junção) apresenta a vantagem de combinar uma alta impedância de entrada com baixo ganho de tensão, minimizando a Capacitância Miller de entrada, além de uma boa operação em altas frequências.
Tais características são alcançadas pelo uso dos seguintes estágios amplificadores em série:
Tais características são alcançadas pelo uso dos seguintes estágios amplificadores em série:
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569017
Engenharia Eletrônica
Considere um transistor MOSFET do tipo N (NMOS) com corpo aterrado e tensões de gate, dreno, fonte e limiar (threshold) dadas, respectivamente, por VG, VD, VS, e Vt.
Para que este transistor opere como uma fonte de corrente, é necessário que as seguintes relações sejam satisfeitas:
Para que este transistor opere como uma fonte de corrente, é necessário que as seguintes relações sejam satisfeitas:
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