Questões de Concurso Sobre engenharia elétrica para if-rn

Foram encontradas 10 questões

Resolva questões gratuitamente!

Junte-se a mais de 4 milhões de concurseiros!

Q846754 Engenharia Elétrica

Para responder à questão, quando necessário, considere: 


                                      π = 3,14      √2 = 1,41 

Em um dispositivo semicondutor constituído de silício monocristalino, uma junção pn abrupta, na temperatura de 300 K, possui concentração de dopantes aceitadores NA= 1016 cm-3 e concentração de dopantes doadores ND= 1015 cm-3 .


Considerando kT= 26 meV, ln10= 2,3026, concentração de portadores do silício intrínseco ni= 1010 cm-3 e constante dielétrica do semicondutor εs = 1,045 pF/cm, estando a junção pn em equilíbrio e sem polarização, a altura da barreira de potencial e a largura total da região de depleção são, respectivamente,

Alternativas
Q846748 Engenharia Elétrica

Para responder à questão, quando necessário, considere: 


                                      π = 3,14      √2 = 1,41 

Analise a figura abaixo que representa um circuito de polarização DC do amplificador fonte comum (FC), com tensão entre a porta e a fonte (VGS) igual a 2,39 V e transistor de efeito de campo (FET) com as seguintes características: tensão de limiar de condução Vth= 1,2 V, parâmetros de processo Imagem associada para resolução da questão e λ = 0,004V-1 .


Imagem associada para resolução da questão

Fonte: FUNCERN, 2017.


Para a condição de polarização estabelecida, os respectivos valores da transcondutância (gm) e do resistor de saída para pequenos sinais do FET são

Alternativas
Q846747 Engenharia Elétrica

Para responder à questão, quando necessário, considere: 


                                      π = 3,14      √2 = 1,41 

A medição das características elétricas de um dispositivo sensor que utiliza o efeito fotovoltaico apresentou os seguintes resultados: tensão de máxima potência VMP = - 0,33 V; corrente de máxima potência IMP = 1,21x10-9 A; tensão de circuito aberto VOC = - 0,40 V; e corrente de curto circuito ISC = 1,31 x 10-9 A.


A partir dos parâmetros medidos, o Fator de Forma (FF) do sensor é de

Alternativas
Q846746 Engenharia Elétrica

Para responder à questão, quando necessário, considere: 


                                      π = 3,14      √2 = 1,41 

Analise a figura abaixo que representa um circuito em que a diferença de potencial medida entre os pontos A e B é igual a zero Volt.


Imagem associada para resolução da questão

Fonte: FUNCERN, 2017.


Para atender à condição imposta, os respectivos valores de Cx e Rx são

Alternativas
Q846742 Engenharia Elétrica

Para responder à questão, quando necessário, considere: 


                                      π = 3,14      √2 = 1,41 

Analise a figura abaixo que projeta um circuito em que o resistor Rx representa o comportamento de um sensor piezoresistivo, cuja sensibilidade linear e positiva é S= 52 mΩ/N e sua resistência é de 615 Ω quando nenhuma força é aplicada.


Imagem associada para resolução da questão

Fonte: FUNCERN, 2017.


Considerando que a ponte resistiva é posta em equilíbrio pelo ajuste do potenciômetro Rv, na condição de carga nula (Força = 0 N) aplicada ao sensor, quando esse sensor é submetido a uma força de 150 N, um voltímetro DC conectado aos pontos A e B do circuito indicará o valor, em módulo, de

Alternativas
Respostas
1: A
2: A
3: B
4: C
5: B