Questões de Concurso Público UFES 2014 para Técnico em Eletrotécnica

Foram encontradas 6 questões

Ano: 2014 Banca: UFES Órgão: UFES Prova: UFES - 2014 - UFES - Técnico em Eletrotécnica |
Q822214 Engenharia Eletrônica
Considere-se um retificador de onda completa, a diodo, utilizando um transformador com derivação central. Sabe-se que os dois secundários do transformador apresentam tensões iguais, com valor de pico dado por Vp. O diodo deverá ser especificado para suportar uma tensão de pico inversa de valor, no mínimo, igual a
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Ano: 2014 Banca: UFES Órgão: UFES Prova: UFES - 2014 - UFES - Técnico em Eletrotécnica |
Q822215 Engenharia Eletrônica
Uma fonte CC está ligada, adequadamente, ao conjunto bobina de relé em série com um transistor bipolar de junção (TBJ) do tipo NPN. Com a corrente de base (IB) positiva, o TBJ é ligado (conduz), a bobina é energizada e o relé é acionado. Com a IB caindo a zero, a bobina desenvolverá uma grande tensão sobre o transistor, o que poderá destruí-lo. Para evitar isso, coloca-se um
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Ano: 2014 Banca: UFES Órgão: UFES Prova: UFES - 2014 - UFES - Técnico em Eletrotécnica |
Q822216 Engenharia Eletrônica
Aplica-se uma fonte de tensão senoidal de 120 µV na entrada não inversora de um amplificador operacional 741. Na entrada inversora, liga-se, para a terra, um resistor de 2,4 kΩ e, entre essa entrada inversora e a saída, liga-se um resistor de 240 kΩ. A tensão a ser obtida e medida no terminal de saída será
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Ano: 2014 Banca: UFES Órgão: UFES Prova: UFES - 2014 - UFES - Técnico em Eletrotécnica |
Q822217 Engenharia Eletrônica
Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN é polarizado por divisor de tensão, sendo R1 = 20 kΩ o resistor que conecta a base à tensão VCC e R2 = 1 kΩ o resistor que conecta a base ao GND (terra do circuito). Sendo Re = 100 Ω o resistor que conecta o emissor ao GND, o mínimo valor do ganho do transistor, β, que permite aplicar análise aproximada de polarização é
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Ano: 2014 Banca: UFES Órgão: UFES Prova: UFES - 2014 - UFES - Técnico em Eletrotécnica |
Q822218 Engenharia Eletrônica

No circuito da figura, o transistor TBJ (transistor bipolar de junção) apresenta, na região linear, um ganho β = 140. Ao aplicar-se 5 V em VB, o valor de VD, em V, será

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Respostas
1: D
2: A
3: E
4: D
5: B