Questões de Concurso Público FIOCRUZ 2010 para Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica

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Q569013
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569013 Engenharia Eletrônica
Com relação à operação física dos diodos, analise as afirmativas a seguir.

I. Na condição de circuito aberto, haverá uma região de depleção de portadores em ambos os lados da junção pn, com o lado n dessa região carregado negativamente e o lado p carregado positivamente.

II. Na condição de polarização inversa, a capacitância de depleção diminui com o aumento da tensão de polarização.

III. Na condição de polarização direta, o maior número de cargas fixas descobertas resulta num aumento de tensão na região de depleção e, consequentemente, numa maior corrente de polarização direta.
Assinale:
Alternativas
Q569014
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569014 Engenharia Eletrônica
                                  Imagem associada para resolução da questão


No amplificador diferencial da figura acima, os transistores apresentam fator β igual a 70 e resistência interna de base (rb) igual a 40 kΩ.

O seu ganho de modo comum vo/vi é igual a:
Alternativas
Q569016
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica ,
Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569016 Engenharia Eletrônica
Imagem associada para resolução da questão


No circuito acima, considere os componentes como sendo ideais. Ao aplicar-se na entrada do circuito um sinal senoidal da forma Vsen(ωt), o sinal de saída vo será, aproximadamente, o de:
Alternativas
Q569018
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569018 Engenharia Eletrônica
O amplificador cascode utilizando transistores TBJ (Transistor Bipolar de Junção) apresenta a vantagem de combinar uma alta impedância de entrada com baixo ganho de tensão, minimizando a Capacitância Miller de entrada, além de uma boa operação em altas frequências.

Tais características são alcançadas pelo uso dos seguintes estágios amplificadores em série:
Alternativas
Q569020
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,
Ano: 2010 Banca: FGV Órgão: FIOCRUZ Prova: FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569020 Engenharia Eletrônica
A figura 1 mostra um circuito amplificador que utiliza um transistor MOSFET do tipo N (NMOS) e que se encontra fechado em uma caixa, sendo seu único ponto de acesso o nó S.


A figura 2, por sua vez, mostra um gráfico, fora de escala, com a reta de carga do amplificador.

Sabendo que a tensão medida no nó A foi 5 V, pode-se afirmar que a corrente de dreno do transistor, em mA, é:
Alternativas
Respostas
1: B
2: B
3: D
4: E
5: B
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