Questões de Concurso Público FIOCRUZ 2010 para Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica
Foram encontradas 25 questões
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569012
Engenharia Eletrônica
Assinale a alternativa que indique a técnica de proteção de dados que espelha os dados entre dois discos rígidos:
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569013
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com relação à operação física dos diodos, analise as afirmativas a seguir.
I. Na condição de circuito aberto, haverá uma região de depleção de portadores em ambos os lados da junção pn, com o lado n dessa região carregado negativamente e o lado p carregado positivamente.
II. Na condição de polarização inversa, a capacitância de depleção diminui com o aumento da tensão de polarização.
III. Na condição de polarização direta, o maior número de cargas fixas descobertas resulta num aumento de tensão na região de depleção e, consequentemente, numa maior corrente de polarização direta.
Assinale:
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569014
Engenharia Eletrônica
No amplificador diferencial da figura acima, os transistores apresentam fator β igual a 70 e resistência interna de base (rb) igual a 40 kΩ.
O seu ganho de modo comum vo/vi é igual a:
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569015
Engenharia Eletrônica
Ao artifício pelo qual utiliza-se uma pequena memória SRAM veloz para armazenar códigos ou dados mais frequentes e uma memória grande DRAM, mais barata, para armazenar a grande quantidade de códigos ou dados que não são acessados com grande frequência, dá-se o nome de:
Ano: 2010
Banca:
FGV
Órgão:
FIOCRUZ
Prova:
FGV - 2010 - FIOCRUZ - Tecnologista em Saúde - Engenharia Eletrônica |
Q569016
Engenharia Eletrônica
No circuito acima, considere os componentes como sendo ideais. Ao aplicar-se na entrada do circuito um sinal senoidal da forma Vsen(ωt), o sinal de saída vo será, aproximadamente, o de: