Observe a figura a seguir.



Considerando-se que os diodos do circuito foram modelados como ideais, os valores das quedas de tensão nos diodos D1 e D2 e da resistência R1 são, respectivamente,

Determine no transistor BJT a corrente de base (I_b), corrente do coletor (I_c) e a diferença de potencial entre o coletor e o emissor (V_ce) para o circuito a seguir, onde a diferença de potencial entre a base e o emissor (V_be) = 1V e o ganho da corrente (β) = 100.  



Os valores de I_b, I_c e V_ce são, respectivamente,

Utilizando o transistor bjt como chave e em função do nível lógico (alto ou baixo) de Va e Vb determine a saída Vo.



A sequência correta que apresenta a saída Vo do quadro anterior é

Informe (V) para verdadeiro e (F) para falso acerca do que se afirma sobre o diodo.

( ) Na ausência de uma tensão de polarização, o fluxo resultante de carga em qualquer direção é diferente de zero.
( ) A corrente que surge sob condições de polarização reversa é chamada de corrente de saturação reversa.
( ) Um diodo semicondutor é polarizado diretamente quando a associação tipo p e positivo, e tipo n e negativo, for estabelecida.
( ) O potencial máximo de polarização reversa permitido para que o diodo não entre na região zener é chamado de tensão de pico reversa ou tensão de pico inversa.
( ) A tensão de polarização direta para alcançar a região de condução dos diodos de silício é da ordem de 0,3 V.

A sequência correta é

Observe os circuitos a seguir.

Os circuitos passivos I, II e III dispostos na figura representam, respectivamente,