Questões TRT - 23ª REGIÃO (MT) 2011 para Analista Judiciário - Engenharia Elétrica

Q180890

Ano: 2011 Banca: FCC Órgão: TRT - 23ª REGIÃO (MT) Prova: FCC - 2011 - TRT - 23ª REGIÃO (MT) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |

Q180890 Engenharia Eletrônica

Um transistor bipolar de silício tipo NPN, operando como chave, é polarizado na configuração emissor comum com tensão de alimentação de 5 V. Quando ele se encontra saturado, as tensões VBEsat e VCEsat valem, aproximada e respectivamente,

5,0 V e 0,7 V

0,3 V e 5,0 V

2,5 V e 5,0 V

0,7 V e 0,3 V

0,7 V e 5,0 V

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Q180893

Ano: 2011 Banca: FCC Órgão: TRT - 23ª REGIÃO (MT) Prova: FCC - 2011 - TRT - 23ª REGIÃO (MT) - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |

Q180893 Engenharia Eletrônica

Texto associado

A denominação dos dispositivos Q1 e Q2 é:

Q1 Q2
silicon unilateral switch silicon controlled rectifier

Q1 Q2
silicon unilateral switch triode alternative current

Q1 Q2
silicon bilateral switch silicon unilateral transistor

Q1 Q2
unijunction transistor diode alternative current

Q1 Q2
diode alternative current triode alternative current

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Questões de Concurso Público TRT - 23ª REGIÃO (MT) 2011 para Analista Judiciário - Engenharia Elétrica

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