Questões de Concurso Público AMAZUL 2015 para Engenheiro Eletrônico
Foram encontradas 70 questões
Q1393565
Engenharia Elétrica
Sobre as equações de Maxwell, marque V para verdadeiro
ou F para falso e, em seguida, assinale a alternativa que
apresenta a sequência correta.
( ) São um grupo de quatro equações, assim chamadas em honra de James Clerk Maxwell, que descrevem o comportamento dos campos elétrico e magnético, bem como suas interações com a matéria.
( ) As quatro equações de Maxwell expressam, respectivamente, como cargas elétricas produzem campos elétricos (Lei de Ampère), a ausência experimental de cargas magnéticas, como corrente elétrica produz campo magnético (Lei de Gauss) e como variações de campo magnético produzem campos elétricos (Lei da indução de Faraday).
( ) Maxwell, em 1864, foi o primeiro a colocar todas as quatro equações juntas e a perceber que era necessária uma correção na lei de Gauss: alterações no campo elétrico atuam como correntes elétricas, produzindo campos magnéticos.
( ) São um grupo de quatro equações, assim chamadas em honra de James Clerk Maxwell, que descrevem o comportamento dos campos elétrico e magnético, bem como suas interações com a matéria.
( ) As quatro equações de Maxwell expressam, respectivamente, como cargas elétricas produzem campos elétricos (Lei de Ampère), a ausência experimental de cargas magnéticas, como corrente elétrica produz campo magnético (Lei de Gauss) e como variações de campo magnético produzem campos elétricos (Lei da indução de Faraday).
( ) Maxwell, em 1864, foi o primeiro a colocar todas as quatro equações juntas e a perceber que era necessária uma correção na lei de Gauss: alterações no campo elétrico atuam como correntes elétricas, produzindo campos magnéticos.
Q1393566
Engenharia Elétrica
Considerando os teoremas de Thévenin e Norton, analise as assertivas abaixo.
I. Esses teoremas são chamados de métodos de solução por redução de circuitos.
II. O teorema de Norton estabelece que qualquer circuito linear visto de um porto pode ser representado por uma fonte de tensão (igual à tensão do porto em circuito aberto) em série com uma impedância (igual à impedância do circuito vista desse porto).
III. O teorema de Thévenin estabelece que qualquer circuito linear visto de um porto pode ser representado por uma fonte de corrente (igual à corrente do porto em curto-circuito) em paralelo com uma impedância (igual à impedância do circuito vista desse porto).
É correto o que se afirma em
Q1393567
Engenharia Eletrônica
Nos receptores ótimos para comunicação de dados, o
propósito de detecção
Q1393568
Engenharia Eletrônica
Sobre os conversores A/D e D/A, assinale a alternativa
incorreta.
Q1393569
Engenharia Eletrônica
Existem várias configurações simples de circuitos,
também chamadas de redes, que são de grande
importância principalmente para os circuitos eletrônicos.
Essas redes são chamadas de filtros. Quanto à tecnologia
empregada, assinale a alternativa que apresenta o tipo do
filtro ao qual a descrição abaixo se refere.
“São os filtros que empregam na sua construção elementos passivos associados a algum elemento ativo amplificador, como por exemplo, transistores e amplificadores operacionais.”
“São os filtros que empregam na sua construção elementos passivos associados a algum elemento ativo amplificador, como por exemplo, transistores e amplificadores operacionais.”
Q1393570
Engenharia Eletrônica
Um circuito RLC pode comportar-se como um Filtro
Passivo Passa-Faixa. Diante do exposto, é correto afirmar
que é
Q1393571
Engenharia Eletrônica
Assinale a alternativa que apresenta a porta lógica do símbolo gráfico abaixo.
Q1393572
Engenharia Elétrica
Alguns materiais apresentam propriedades de condução
elétrica intermediárias entre aquelas inerentes aos
isolantes e aos condutores. Tais materiais são
denominados semicondutores. Sobre a constituição
química desses materiais semicondutores, marque V para
verdadeiro ou F para falso e, em seguida, assinale a
alternativa que apresenta a sequência correta.
( ) Os materiais semicondutores mais simples são constituídos de átomos de um único elemento químico com quatro elétrons na camada de valência. Átomos exibindo esta configuração eletrônica são denominados átomos trivalentes.
( ) Os átomos que possuem três elétrons na camada de valência tendem a se arranjar ordenadamente na formação do material segundo uma estrutura cristalina com átomos vizinhos compartilhando seus elétrons de valência.
( ) Na forma cristalina, o silício e o germânio puros são materiais semicondutores com propriedades elétricas próximas àquelas de um isolante perfeito.
( ) Os materiais semicondutores mais simples são constituídos de átomos de um único elemento químico com quatro elétrons na camada de valência. Átomos exibindo esta configuração eletrônica são denominados átomos trivalentes.
( ) Os átomos que possuem três elétrons na camada de valência tendem a se arranjar ordenadamente na formação do material segundo uma estrutura cristalina com átomos vizinhos compartilhando seus elétrons de valência.
( ) Na forma cristalina, o silício e o germânio puros são materiais semicondutores com propriedades elétricas próximas àquelas de um isolante perfeito.
Q1393573
Engenharia Eletrônica
Considerando a divisão das classes dos amplificadores de
potência, é correto afirmar que a classe que opera no
modo de chaveamento é
Q1393574
Engenharia Eletrônica
Um diodo semicondutor é formado a partir da junção entre
um semicondutor tipo p e um semicondutor tipo n. Diante
do exposto, analise as assertivas abaixo.
I. Logo após a formação da junção pn, alguns elétrons livres se difundem do semicondutor tipo n para o semicondutor tipo p. II. Durante o processo de difusão, parte dos elétrons livres recombinam-se com lacunas na região próxima à junção. III. No processo de recombinação, a diminuição do número de elétrons livres existentes inicialmente do lado n que conseguiram se difundir e recombinar com as lacunas do lado p, produz uma região de cargas negativas do lado n e positivas do lado p da junção.
É correto o que se afirma em
I. Logo após a formação da junção pn, alguns elétrons livres se difundem do semicondutor tipo n para o semicondutor tipo p. II. Durante o processo de difusão, parte dos elétrons livres recombinam-se com lacunas na região próxima à junção. III. No processo de recombinação, a diminuição do número de elétrons livres existentes inicialmente do lado n que conseguiram se difundir e recombinar com as lacunas do lado p, produz uma região de cargas negativas do lado n e positivas do lado p da junção.
É correto o que se afirma em
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