Questões de Concurso Público CTI 2024 para Tecnologista Pleno 2 - I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Nanotecnologia e Materiais Avançados Aplicados A Fotônica ou Energia
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Julgue o item seguinte, a respeito das propriedades dos nanomateriais.
Semicondutores nanoestruturados tendem a apresentar maior
condutividade elétrica quando comparados à sua contraparte
na macroescala.
A figura a seguir ilustra o circuito simplificado de um diodo fotovoltaico, baseado em silício: o resultado do processo de fotoexcitação é representado pelo surgimento de uma tensão que, como consequência, gera a corrente i_gen; R_S representa a resistência da célula e R_SH, uma resistência interna shunt; i_d representa a corrente no diodo, i_sh, a corrente que flui pela resistência shunt e i_L, a corrente que flui pela carga resistiva.
Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue.
Em uma célula fotovoltaica de silício, a luz deve atingir a
região de depleção para que, após a fotogeração do éxciton,
elétrons e buracos tendam a migrar e serem coletados pelos
eletrodos antes de uma eventual recombinação, que ocorreria
com maior probabilidade nas regiões n e p.
Ao contrário de capacitores convencionais, que são preenchidos por dielétricos, supercapacitores eletrostáticos de dupla camada funcionam com um eletrólito entre os eletrodos. Ao se aplicar uma diferença de potencial entre os terminais do dispositivo, cátions aproximam-se da placa negativamente polarizada e ânions, da placa positivamente polarizada. Como resultado, a região interna fica distribuída da seguinte forma: o eletrodo positivo acumula uma camada de cargas negativas e o eletrodo negativo acumula uma camada de cargas positivas. A distância entre as placas e a película de carga é da ordem do tamanho do próprio íon correspondente.
A partir do texto precedente, julgue o item a seguir.
Considerando-se a situação do supercapacitor carregado,
cujo processo foi descrito no texto, observa-se o efetivo
aparecimento no sistema de duas capacitâncias em série,
cada uma relativa a uma das placas e seus íons adjacentes, o
que incrementa ainda mais a capacitância do dispositivo,
pois nessa configuração as capacitâncias se somam.