Questões de Concurso Público CTI 2024 para Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia

Foram encontradas 33 questões

Q2364421 Engenharia Eletrônica

Considerando as tecnologias de empacotamento de circuito integrado (CI), julgue o item a seguir.



A tecnologia de empilhamento 3D de chips utilizando vias de silício oferece a possibilidade de solucionar problemas de interconexão, ao mesmo tempo em que possibilita o uso de funções integradas para melhoria de desempenho. 

Alternativas
Q2364423 Engenharia Eletrônica

Considerando as tecnologias de empacotamento de circuito integrado (CI), julgue o item a seguir.



No que se refere ao atendimento do aumento de requisitos de frequência de operação e de demanda por maior número de interconexões internas, a capacidade de empacotamento de (CI) é ilimitada, devido à tecnologia de wire-bonding na periferia do componente.

Alternativas
Q2364425 Engenharia Eletrônica
Considerando o empacotamento BGA (ball grid array) na tecnologia de montagem superficial SMT, julgue o próximo item. 

O empacotamento do tipo CBGA é o de maior custo efetivo entre os tipos de empacotamento BGA e possui entre 300 e 600 contatos ou terminais de entrada e saída.
Alternativas
Q2364426 Engenharia Eletrônica

A respeito de empacotamento de circuitos integrados, julgue o seguinte item.



Ball bonding é uma forma de ligação conhecida como termosônica, em que se combina compressão ultrassônica e termocompressão. 

Alternativas
Q2364428 Engenharia Eletrônica

A respeito de empacotamento de circuitos integrados, julgue o seguinte item.



Wire bonding envolve uma pressão localizada precisamente entre o fio e uma região metalizada do circuito ou do terminal do empacotamento a ser soldado, sem aquecer excessivamente toda a estrutura.  

Alternativas
Q2364429 Engenharia Eletrônica
Julgue o item subsecutivo, a respeito da tecnologia de filme espesso e do processo de soldagem por refusão em circuitos com componentes SMD (surface mounting devices).

A tecnologia de filme espesso é uma forma de interligar componentes eletrônicos por meio da aplicação de pastas condutivas, resistivas e dielétricas, sobre um substrato cerâmico isolante por um processo serigráfico sequencial e seletivo.  
Alternativas
Q2364430 Engenharia Eletrônica
Julgue o item subsecutivo, a respeito da tecnologia de filme espesso e do processo de soldagem por refusão em circuitos com componentes SMD (surface mounting devices).

O objetivo do processo de soldagem por refusão empregado em componentes SMD é fundir as partículas de solda, “molhar” as superfícies a serem unidas e solidificar a solda em uma junta, metalurgicamente, forte.
Alternativas
Q2364432 Engenharia Eletrônica

Com relação à tecnologia de empacotamento em módulos de multi-chip (MCM), julgue o item seguinte.



Apesar de oferecerem melhoras no desempenho, MCM não são capazes de reduzir o tamanho de um dispositivo.

Alternativas
Q2364433 Engenharia Eletrônica

Com relação à tecnologia de empacotamento em módulos de multi-chip (MCM), julgue o item seguinte.



Em um MCM, vários componentes são montados em substratos diferentes e conectados por meio de ligação de fita ou por ligação tipo flip-chip.

Alternativas
Q2364434 Engenharia Eletrônica

Com relação à tecnologia de empacotamento em módulos de multi-chip (MCM), julgue o item seguinte.



Um MCM é um empacotamento eletrônico que consiste em vários circuitos integrados montados em um único dispositivo.  

Alternativas
Q2364435 Engenharia Eletrônica

Julgue o item a seguir, relativo a fundamentos de montagem de circuitos integrados.  


O processo de montagem de circuitos integrados permite conectar eletricamente os pads de ligação do circuito integrado e os pads de ligação do receptáculo.

Alternativas
Q2364440 Engenharia Eletrônica
Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10−6 Ωm, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m2 /(Vs) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C−1.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.


A velocidade de arraste no dispositivo, considerando-se a aplicação de um campo elétrico de 30 V/m, é igual a 15 mm/s. 
Alternativas
Q2364441 Engenharia Eletrônica
Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10−6 Ωm, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m2 /(Vs) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C−1.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.


A tensão Hall no dispositivo é igual a 10 μV para uma corrente de 25 A, com um campo magnético de 4 teslas imposto a uma direção perpendicular à corrente.
Alternativas
Respostas
14: C
15: E
16: C
17: C
18: C
19: C
20: C
21: E
22: E
23: C
24: C
25: C
26: C