Questões de Concurso Público CTI 2024 para Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia

Foram encontradas 33 questões

Q2364405 Engenharia Eletrônica
A partir dos diagramas de blocos e esquemático de um amplificador operacional, apresentados anteriormente, julgue o próximo item. 


No amplificador operacional CMOS mostrado, o amplificador diferencial deve fornecer a maior parte do ganho do sistema, enquanto o estágio de ganho em fonte comum serve principalmente para prover a compensação de frequência necessária; o buffer de saída é utilizado para equalizar as tensões de entrada diferencial sem amplificar o sinal. 
Alternativas
Q2364406 Engenharia Eletrônica
A partir dos diagramas de blocos e esquemático de um amplificador operacional, apresentados anteriormente, julgue o próximo item. 


No processo de design de um amplificador operacional CMOS, a seleção do tamanho dos dispositivos MOSFET e das correntes de polarização tem influência direta em parâmetros tais como ganho, CMRR, dissipação de potência, ruído e taxa de variação (slew rate). Esse processo é iterativo e requer ajustes baseados em simulações, em que aumentar o tamanho dos MOSFETs (aumentando W) com uma menor VGS (tensão entre porta e fonte) pode melhorar o emparelhamento, aumentar o ganho e reduzir o ruído, porém, podendo resultar em uma área de layout maior e potencialmente em menor velocidade de operação.
Alternativas
Q2364407 Engenharia Eletrônica

Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir. 


Na ilustração, a dimensão identificada por W corresponde à largura do canal do MOSFET.

Alternativas
Q2364408 Engenharia Eletrônica

Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir. 



A ilustração mostra a estrutura de um transistor PMOS do tipo depleção. 

Alternativas
Q2364409 Engenharia Eletrônica

Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir. 



Nas regiões de dreno e fonte do MOSFET ilustrado, a dopagem é superior àquela aplicada ao substrato tipo p. 

Alternativas
Respostas
6: E
7: C
8: C
9: E
10: C