Julgue o próximo item, relativos a diodos semicondutores etransistores. 

Considere o circuito eletrônico da figura abaixo, sendo β_cc = 500 e V_BE = 0,7 V.

Pode-se afirmar que a corrente no coletor é igual a 50 mA.

Julgue o próximo item, relativos a diodos semicondutores e transistores.

Considere o circuito eletrônico da figura abaixo, sendo V_BE = 0,7 V. 

Pode-se afirmar que a corrente no emissor é menor que 100 mA.

Considerando que o amplificador da imagem possui largura de banda infinita e que os sinais transmitidos nos canais A, B e C estão sintonizados na mesma frequência, julgue o seguinte item. 

O módulo do valor da tensão pico a pico encontrado na saída do circuito (V_Saída) é maior que 2V_pp. 

Considerando que o amplificador da imagem possui largura de banda infinita e que os sinais transmitidos nos canais A, B e C estão sintonizados na mesma frequência, julgue o seguinte item.  

O ganho de tensão do Canal A, em malha fechada, é igual a ₋10. 

Considerando que o amplificador da imagem possui largura de banda infinita e que os sinais transmitidos nos canais A, B e C estão sintonizados na mesma frequência, julgue o seguinte item.  

Desconectando-se os Canais A e C e aplicando um filtro passa-baixas, com frequência de corte igual a 300 kHz, na saída do circuito considerado, o diagrama de Bode de saída do circuito resultante será o seguinte.

Considerando que o amplificador da imagem possui largura de banda infinita e que os sinais transmitidos nos canais A, B e C estão sintonizados na mesma frequência, julgue o seguinte item.  

Considere que sejam desconectados os canais A e B e seja inserido um diodo semicondutor da forma da seguinte representação.



O sinal obtido em V_Saída é na forma mostrada na seguinte figura. 

Considerando que o amplificador da imagem possui largura de banda infinita e que os sinais transmitidos nos canais A, B e C estão sintonizados na mesma frequência, julgue o seguinte item. 

Um amplificador operacional real possui impedância de saída não nula, em comparação com os amplificadores operacionais ideais, como única diferença perceptível em seu funcionamento.

O circuito digital representado faz o controle de acionamento de uma central telefônica que possui quatro ramais. As entradas R1, R2, R3 e R4 significam que o respectivo ramal solicitou uma ligação à central. As saídas S1, S2, S3 e S4 indicam se a ligação foi completada pela central ou não. Considerando esse circuito e as informações apresentadas, julgue o item a seguir. 

Para o circuito apresentado, apenas duas ligações podem ser completadas simultaneamente; os ramais R1 e R2 têm prioridade sobre o ramal R3; e o ramal R3 tem prioridade sobre o ramal R4, ao tentar realizar uma chamada.  

O circuito digital representado faz o controle de acionamento de uma central telefônica que possui quatro ramais. As entradas R1, R2, R3 e R4 significam que o respectivo ramal solicitou uma ligação à central. As saídas S1, S2, S3 e S4 indicam se a ligação foi completada pela central ou não. Considerando esse circuito e as informações apresentadas, julgue os itens a seguir. 

O circuito a seguir é equivalente ao circuito digital apresentado. 

O circuito digital representado faz o controle de acionamento de uma central telefônica que possui quatro ramais. As entradas R1, R2, R3 e R4 significam que o respectivo ramal solicitou uma ligação à central. As saídas S1, S2, S3 e S4 indicam se a ligação foi completada pela central ou não. Considerando esse circuito e as informações apresentadas, julgue o item a seguir. 

Considere que, para o circuito lógico combinacional que compreende as entradas R1, R2, R3 e R4 e a saída R4, se deseja implementar um circuito com a seguinte regra: o funcionamento do ramal R4 está condicionado ao não funcionamento dos ramais R1, R2 e R3 no ciclo de tempo anterior ao atual. Nesse caso, é necessário o uso de flip-flops do tipo RS ou JK no módulo de memória do circuito a ser implementado. 

O circuito digital representado faz o controle de acionamento de uma central telefônica que possui quatro ramais. As entradas R1, R2, R3 e R4 significam que o respectivo ramal solicitou uma ligação à central. As saídas S1, S2, S3 e S4 indicam se a ligação foi completada pela central ou não. Considerando esse circuito e as informações apresentadas, julgue o item a seguir.

Os circuitos integrados das famílias TTL (transistor transistor logic) e CMOS (metal oxide semicondutor) se diferenciam, essencialmente, em seus componentes básicos de construção: os circuitos da família TTL são construídos com base em transistores bipolares e os da família CMOS, com base em transistores MOSFET. Essa diferença de material de construção leva a pequenas diferenças de parâmetros operacionais. 

Para o sistema de comuniação sem fio no diagrama precedente, considere que: a modulação utilizada é AM-DSB, o sinal original é m(t) = 10.cos(30.2π.t) + 5.cos(100.2π.t), a frequência da portadora é ω_c = 10.10⁶.2π e a distância entre as duas antenas é de 1.000 m. Nessas condições, julgue o item a seguir.

No domínio da frequência, o sinal modulado é expresso como a seguir. 

M(ω) = 5. cos[(10. 10⁶ + 30).2π.ω] + 5. cos[(10. 10⁶- 30).2π.ω] + 2,5. cos[(10. 10⁶+ 100).2π.ω] + 2,5. cos[(10. 10⁶- 100).2π.ω]

Para o sistema de comunicação sem fio no diagrama precedente, considere que: a modulação utilizada é AM-DSB, o sinal original é m(t) = 10.cos(30.2π.t) + 5.cos(100.2π.t), a frequência da portadora é ω_c = 10.10^6.2π e a distância entre as duas antenas é de 1.000 m. nessas condições, julgue o item a seguir.

O sistema em questão pode ser utilizado em transmissões de televisão, telefonia celular, enlaces de micro-ondas e sistemas de comunicação pessoal.

Para o sistema de comunicação sem fio no diagrama precedente, considere que: a modulação utilizada é AM-DSB, o sinal original é m(t) = 10.cos(30.2π.t) + 5.cos(100.2π.t), a frequência da portadora é ω_c = 10.10⁶.2π e a distância entre as duas antenas é de 1.000 m. Nessas condições, julgue o item a seguir.

Se a propagação for realizada através do espaço livre, com linha de visada entre as antenas, então as perdas na propagação pelo espaço livre serão superiores a 50 dB.

Para o sistema de comunicação sem fio no diagrama precedente, considere que: a modulação utilizada é AM-DSB, o sinal original é m(t) = 10.cos(30.2π.t) + 5.cos(100.2π.t), a frequência da portadora é ω_c = 10.10⁶.2π e a distância entre as duas antenas é de 1.000 m. Nessas condições, julgue o item a seguir.

O filtro representado pelo circuito a seguir pode ser utilizado no sistema de comunicação em tela, na recepção do sinal.

Julgue o próximo item, relativos ao efeito do ruído em sistemas analógicos e digitais. 

Uma das formas de mitigar o ruído em antenas é reduzir os seus lóbulos laterais; em antenas do tipo corneta utilizando refletores parabólicos, é possível reduzir o efeito dos lóbulos laterais instalando uma malha de blindagem no limite do refletor. 

Julgue o próximo item, relativos ao efeito do ruído em sistemas analógicos e digitais.

Os ruídos, quanto à sua intensidade em função da frequência da transmissão, podem ser classificados em ruído branco, que tem uma amplitude decrescente com o aumento da frequência em determinada faixa do espectro eletromagnético; e ruído rosa, que possui uma intensidade média constante ao longo da sua faixa do espectro.

Julgue o próximo item, relativos ao efeito do ruído em sistemas analógicos e digitais. 

Se, para um sistema de comunicação modulado em frequência, a relação sinal-ruído for 2 e a frequência do sinal modulante for 600 Hz, então, nessas condições, o deslocamento de frequência causado pelo ruído é inferior a 300 Hz. 

Julgue o próximo item, relativos ao efeito do ruído em sistemas analógicos e digitais.

Uma das formas de conseguir um circuito gerador de ruído branco e ruído rosa é aproveitando o ruído térmico gerado pela junção entre emissor e base, em um transistor bipolar de junção do tipo npn. Amplificando o ruído térmico tem-se o ruído branco, que, quando submetido a um filtro passa baixas, gera o ruído rosa.

Considerando as informações precedentes, julgue o item a seguir. 

Na situação apresentada, o ângulo de propagação da onda no silício impuro é igual a 60º.