Questões de Concurso Público INPE 2008 para Tecnologista Júnior - TS11

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Q364648
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor , Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364648 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.
Alternativas
Q364649
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364649 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

O carbeto de silício (SiC) é, a princípio, um material promissor para construir BJTs de potência, considerando-se sua alta condutividade térmica e velocidade de saturação.
Alternativas
Q364659
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Modulação PWM ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364659 Engenharia Eletrônica
Acerca da técnica de controle de potência por PWM em reguladores, julgue os itens seguintes.

No controle de potência por PWM, a largura dos pulsos de chaveamento é modulada com o objetivo principal de reduzir o efeito de transitórios eletromagnéticos sobre a carga.
Alternativas
Q364660
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Modulação PWM ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364660 Engenharia Eletrônica
Acerca da técnica de controle de potência por PWM em reguladores, julgue os itens seguintes.

Na técnica de controle por PWM com histerese, existem níveis diferentes de comparação de tensão na saída para abrir e fechar a chave entre fonte e carga.
Alternativas
Q364661
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Modulação PWM ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364661 Engenharia Eletrônica
Acerca da técnica de controle de potência por PWM em reguladores, julgue os itens seguintes.

A técnica de controle por PWM com histerese faz que o sinal de chaveamento tenha uma frequência fixa bem estabelecida, reduzindo o ruído sobre a linha.
Alternativas
Respostas
1: E
2: C
3: E
4: C
5: E
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