Questões de Concurso Público ABIN 2010 para Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica
Foram encontradas 3 questões
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE - 2010 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica |
Q184697
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A figura acima mostra um modelo de circuito para pequenos
sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão
constituído de um transistor bipolar de junção na configuração
emissor-comum. Nesse circuito, considere os seguintes dados:
= 19 × 10-3 S,
= 8,0 kΩ e 
= 70 kΩ.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A figura acima mostra um modelo de circuito para pequenos
sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão
constituído de um transistor bipolar de junção na configuração
emissor-comum. Nesse circuito, considere os seguintes dados:
= 19 × 10-3 S,
= 8,0 kΩ e = 70 kΩ. Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Para que haja máxima absorção de potência pela carga 
conectada à saída do circuito amplificador, é necessário que a resistência da carga seja exatamente de 2,5 kΩ.
conectada à saída do circuito amplificador, é necessário que a resistência da carga seja exatamente de 2,5 kΩ.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE - 2010 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica |
Q184698
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A figura acima mostra um modelo de circuito para pequenos
sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão
constituído de um transistor bipolar de junção na configuração
emissor-comum. Nesse circuito, considere os seguintes dados:
= 19 × 10-3 S, = 8,0 kΩ e = 70 kΩ.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A figura acima mostra um modelo de circuito para pequenos
sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão
constituído de um transistor bipolar de junção na configuração
emissor-comum. Nesse circuito, considere os seguintes dados:
= 19 × 10-3 S,
= 8,0 kΩ e = 70 kΩ. Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A resistência de entrada do circuito amplificador, designada por 
na figura, corresponde exatamente a 20 kΩ.
na figura, corresponde exatamente a 20 kΩ.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE - 2010 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica |
Q184699
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A figura acima mostra um modelo de circuito para pequenos
sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão
constituído de um transistor bipolar de junção na configuração
emissor-comum. Nesse circuito, considere os seguintes dados:
= 19 × 10-3 S, = 8,0 kΩ e = 70 kΩ.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A figura acima mostra um modelo de circuito para pequenos
sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão
constituído de um transistor bipolar de junção na configuração
emissor-comum. Nesse circuito, considere os seguintes dados:
= 19 × 10-3 S,
= 8,0 kΩ e = 70 kΩ. Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
O ganho de tensão do circuito amplificador 
é aproximadamente igual a 32 
. Para alimentação senoidal, os sinais de entrada e saída estão em fase.
é aproximadamente igual a 32 . Para alimentação senoidal, os sinais de entrada e saída estão em fase.