Questões de Concurso
Comentadas sobre cargas elétricas e eletrização em física
Foram encontradas 62 questões
Ano: 2025
Banca:
VUNESP
Órgão:
SEDUC-SP
Prova:
VUNESP - 2025 - SEDUC-SP - Professor de Educação Básica II - Física - Promoção do QM 2022 |
Q3430188
Física
Leia a notícia presente em uma revista de divulgação
científica:
(https://revistapesquisa.fapesp.br/a-corrida-pelascelulas-solares-de-perovskita/ Acesso em 23.03.2025. Adaptado)
A nova geração de placas solares está sendo desenvolvida a partir do semicondutor perovskita, produzida em laboratório a partir de compostos químicos, como brometo de chumbo, iodeto de chumbo e brometo de césio. Esse material possui elevada capacidade de converter
(https://revistapesquisa.fapesp.br/a-corrida-pelascelulas-solares-de-perovskita/ Acesso em 23.03.2025. Adaptado)
A nova geração de placas solares está sendo desenvolvida a partir do semicondutor perovskita, produzida em laboratório a partir de compostos químicos, como brometo de chumbo, iodeto de chumbo e brometo de césio. Esse material possui elevada capacidade de converter
Ano: 2025
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
IF-AM
Prova:
FUNDATEC - 2025 - IF-AM - Engenheiro - Área Elétrica |
Q3273789
Física
Uma fonte de energia com uma corrente constante de 5 A passa por uma lâmpada
por 20 s. Se forem liberados 2,3 kJ na forma de energia luminosa e calorífica, qual será a carga total?
Ano: 2025
Banca:
INAZ do Pará
Órgão:
Prefeitura de Bocaina do Sul - SC
Prova:
INAZ do Pará - 2025 - Prefeitura de Bocaina do Sul - SC - Professor de Ciências |
Q3179327
Física
Os fenômenos elétricos e magnéticos estão
interligados, formando a base do eletromagnetismo,
que explica desde o comportamento de partículas
carregadas até a geração de campos magnéticos em
correntes elétricas.
Sobre eletricidade e magnetismo, assinale a alternativa CORRETA.
Sobre eletricidade e magnetismo, assinale a alternativa CORRETA.
Ano: 2025
Banca:
AMAUC
Órgão:
Prefeitura de Jaborá - SC
Prova:
AMAUC - 2025 - Prefeitura de Jaborá - SC - Professor de Ciências |
Q3173566
Física
A energia solar é uma forma menos danosa ao meio ambiente, nela a energia da luz do Sol é convertida diretamente em energia elétrica pelas células fotovoltaicas que formam os painéis solares. Sobre a mesma, julgue os excertos a seguir:
Excerto I. Uma célula fotovoltaica é um dispositivo constituído de materiais semicondutores à base do elemento químico silício, inclusive esses materiais são os mesmos utilizados na fabricação dos chips de computadores.
Excerto II. Na célula fotovoltaica, quando os fótons da luz do Sol incidem sobre a placa, ocorre a separação de cargas elétricas no material. Uma região fica com excesso de elétrons, enquanto na outra há falta deles, formando-se então dois polos, um negativo e um positivo. Quando os polos são conectados a um dispositivo, como uma lâmpada, flui corrente elétrica pelo dispositivo, fazendo-a funcionar.
Fonte: Mortimer E. et al. Matéria, energia e vida, uma abordagem interdisciplinar − O mundo atual: questões sociocientíficas. São Paulo: Editora Scipione, 2020.
Sobre os excertos, assinale a alternativa CORRETA.
Q3164950
Física
Uma partícula de massa m=2.10-6 kg e carga q=4.10-5 C está em
repouso entre duas placas metálicas paralelas e horizontais
eletricamente carregadas.
Considerando a aceleração da gravidade g=10 m/s2 , é possível afirmar que o módulo do vetor campo elétrico existente entre as placas é
Considerando a aceleração da gravidade g=10 m/s2 , é possível afirmar que o módulo do vetor campo elétrico existente entre as placas é
Q3025028
Física
O raio de um condutor esférico isolado e de potencial 400 V é igual a 5 cm. Use a
permissividade elétrica igual a 9 X10-12 C
2
/Nm2 e π = 3. A energia armazenada no condutor é,
APROXIMADAMENTE:
Ano: 2024
Banca:
UFMT
Órgão:
UFMT
Prova:
UFMT - 2024 - UFMT - Técnico de Laboratório/ Área: Física |
Q2803326
Física
A figura abaixo mostra duas partículas fixas, Q1 e Q2, separadas por uma distância d, carregadas com cargas
elétricas iguais a +16q e -4q, respectivamente. Coloca-se uma terceira partícula, Q3, cuja carga é +q em um
ponto x à direita da partícula Q2. Para que a força elétrica resultante sobre a partícula Q3 seja nula, marque a
alternativa que apresenta a distância que ela deve estar situada a partir da partícula Q1.
Ano: 2024
Banca:
IVIN
Órgão:
Prefeitura de Santarém - PA
Prova:
IVIN - 2024 - Prefeitura de Santarém - PA - Professor de Ciências Físicas e Biológicas |
Q2564087
Física
Durante o processo de eletrização por atrito, dois objetos inicialmente neutros entram em contato e, como
resultado, um objeto adquire uma carga positiva enquanto o outro adquire uma carga negativa. Qual dos
seguintes processos microscópicos poderia explicar essa transferência de cargas?
Q2415611
Física
Caminhando sobre um tapete em tempo seco, pode-se
provocar uma descarga elétrica ao tocar na maçaneta metálica
de uma porta. A “eletricidade estática” está em toda parte, e
devemos estar atentos aos seus efeitos, pois alguns deles, como
por exemplo faíscas e choques elétricos, podem ser perigosos.
Em grande escala, pode-se citar o relâmpago, que é familiar a
todo mundo. Todos esses fenômenos de grande quantidade,
estão armazenados nos objetos familiares que nos cercam, até
mesmo em nossos corpos denomina-se:
Ano: 2024
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
UFCSPA - RS
Prova:
FUNDATEC - 2024 - UFCSPA - RS - Técnico de Laboratório - Física |
Q2381562
Física
O experimento de Millikan desempenhou um papel crucial na determinação da carga
elétrica do elétron. Consiste em um dispositivo que eletriza gotas de óleo por atrito, dispersando-as
entre duas placas metálicas conectadas a uma fonte de alta tensão, onde é estabelecido um campo
elétrico. Na configuração apresentada na Figura 3 abaixo, a gota de óleo, de massa m e carga q,
move-se com velocidade constante para baixo. Nesse cenário, o sentido da força elétrica sobre a gota
é para __________ e sua carga é __________.
Assinale a alternativa que preenche, correta e respectivamente, as lacunas do trecho acima.
Assinale a alternativa que preenche, correta e respectivamente, as lacunas do trecho acima.
Ano: 2023
Banca:
COPEVE-UFAL
Órgão:
UFAL
Prova:
COPEVE-UFAL - 2023 - UFAL - Técnico de Laboratório - Física |
Q2429186
Física
A figura representa uma série triboelétrica:
É correto afirmar que
Q2364543
Física
Uma casca esférica com raios interno a e externo b possui uma distribuição de densidade de carga definida como p = 
na região delimitada por a ≤ r ≤ b. Qual é a expressão que descreve o campo elétrico na região em que a < r < b?
na região delimitada por a ≤ r ≤ b. Qual é a expressão que descreve o campo elétrico na região em que a < r < b?
Q2364541
Física
O efeito túnel é um dos fenômenos mais intrigantes da física moderna. Uma das
aplicações para tal efeito é a descrição do comportamento de uma partícula alfa tentando escapar da
ação de uma barreira de potencial Coulombiana, onde sua energia é menor do que a energia da
barreira. Ao resolver a equação de Schrödinger para esse sistema, é possível mostrar que há uma
probabilidade não nula de a partícula, mesmo com energia menor do que o potencial, ser encontrada
após a região delimitada pela barreira. Considere uma barreira de potencial V0 , que se estende
de x = 0 a x = a . A representação gráfica da solução independente do tempo da equação de
Schrödinger para a densidade de probabilidade dessa barreira de potencial é:
Ano: 2023
Banca:
LJ Assessoria e Planejamento Administrativo Limita
Órgão:
Prefeitura de Presidente Sarney - MA
Prova:
LJ Assessoria e Planejamento Administrativo Limita - 2023 - Prefeitura de Presidente Sarney - MA - Eletricista de Automóvel |
Q2338913
Física
Analise a imagem abaixo e responda.
A fórmula representada na imagem faz referência a qual lei de Ohm?
Q2297517
Física
Considere que, em um semicondutor intrínseco, com baixa concentração de portadores de carga, a
distribuição de elétrons entre as bandas de valência e de condução pode ser aproximada pela distribuição
de Maxwell-Boltzmann, que pode ser escrita na seguinte forma:
onde N(E) é número de partículas em uma determinada energia E; N é o número total de partículas no sistema; Z é uma função de partição; E0 é um nível de energia de referência; k é a constante de Boltzmann (8,617 × 10-5eV.K-1); e T é a temperatura de equilíbrio.
Sabendo que o band-gap do silício puro é de 1,1 eV, qual é aproximadamente a razão entre o número de elétrons na base da sua banda de condução e no topo da sua banda de valência em uma temperatura de 27 ºC?
onde N(E) é número de partículas em uma determinada energia E; N é o número total de partículas no sistema; Z é uma função de partição; E0 é um nível de energia de referência; k é a constante de Boltzmann (8,617 × 10-5eV.K-1); e T é a temperatura de equilíbrio.
Sabendo que o band-gap do silício puro é de 1,1 eV, qual é aproximadamente a razão entre o número de elétrons na base da sua banda de condução e no topo da sua banda de valência em uma temperatura de 27 ºC?
Q2297514
Física
Considere a figura 15 com as situações de polarização de junções Schottky.
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 249.
Assinale V para (verdadeiro) ou F para (falso) diante das afirmativas a seguir:
( ) Nos casos (a), a barreira não depende da tensão de polarização.
( ) Para polarização reversa severa, ocorrerá tunelamento.
( ) Para polarização reversa, a barreira é definida pela junção.
Assinale a alternativa com a sequência correta.
Q2297513
Física
Considere a figura 14 com os mecanismos de formação da barreira Schottky em uma junção metalsemicondutor:
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 247.
Assinale V para (verdadeira) ou F para (falsa) diante de cada afirmativa a seguir:
( ) Na inexistência de defeitos na superfície do semicondutor, a barreira dependerá da função trabalho do metal.
( ) A barreira Schottky surgirá sempre, porque o metal sempre causa defeitos no semicondutor.
( ) Superfícies semicondutoras ricas em defeitos tornam a barreira independente do metal.
Assinale a sequência correta.
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 247.
Assinale V para (verdadeira) ou F para (falsa) diante de cada afirmativa a seguir:
( ) Na inexistência de defeitos na superfície do semicondutor, a barreira dependerá da função trabalho do metal.
( ) A barreira Schottky surgirá sempre, porque o metal sempre causa defeitos no semicondutor.
( ) Superfícies semicondutoras ricas em defeitos tornam a barreira independente do metal.
Assinale a sequência correta.
Q2297506
Física
Em um microscópio eletrônico de varredura, um feixe de elétrons de 15 kV incide e interage com os
átomos de uma amostra, gerando elétrons e fótons de diversas energias. A figura 5 apresenta um
espectro de energia dispersiva de raio-X que capta e conta os fótons em função da energia.
Leia a tabela de energias de ionização (valores de energia em keV), na próxima página.
De acordo com essa tabela, podemos identificar os elementos presentes na amostra.
Dessa forma, é correto afirmar que os elementos presentes são:
Leia a tabela de energias de ionização (valores de energia em keV), na próxima página.
De acordo com essa tabela, podemos identificar os elementos presentes na amostra.
Dessa forma, é correto afirmar que os elementos presentes são:
Ano: 2023
Banca:
COMVEST UFAM
Órgão:
UFAM
Prova:
COMVEST UFAM - 2023 - UFAM - Técnico de Laboratório: Física |
Q2284702
Física
Assinale a alternativa INCORRETA:
Q2284064
Física
Texto associado
O texto a seguir é referência para a questão.
Em todas as questões, as medições são feitas por um referencial inercial. O módulo da aceleração gravitacional é representado
por g. Onde for necessário, use g = 10 m/s2 para o módulo da aceleração gravitacional.
Uma partícula contendo uma carga Q = 1,6 x 10-19 C entra numa região onde há um campo magnético de intensidade B = 1,0 T com uma velocidade de módulo v. Sobre ela, passa a agir uma força magnética de intensidade F = 3,2 x 10-16 N. O ângulo entre os vetores velocidade e campo magnético vale θ, e sabe-se que cos θ = √3/2 e
sen θ = 1/2. Considerando as informações apresentadas, assinale a alternativa que apresenta corretamente o valor do
módulo v da velocidade da partícula.
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