Pretende-se construir dois equipamentos eletrônicos, com características específicas de operação, em que o equipamento A deve ser mais estável em relação à temperatura, com impedância de entrada elevada e economia de potência para sinais digitais, ao passo que o equipamento B deve apresentar maior robustez quanto às descargas de eletricidade estática quando for manuseado e um ganho de tensão mais elevado.

Considerando-se as características apontadas e os dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente. 

Pelas características de impedância de entrada mais elevada e economia de potência para sinais digitais, o equipamento A deve ser construído com transistores de efeito de campo, em lógica complementar.

Circuitos eletrônicos analógicos são formados por dispositivos que apresentam comportamentos específicos, mas que, como um todo, estão conectados de modo a operar conforme especificações de projeto. Acerca de componentes eletrônicos, julgue o item.
Transistores de junção bipolar são formados por três terminais: base; coletor; e emissor. 

Julgue o próximo item, relativo à eletrônica analógica e digital.

Os circuitos integrados construídos com base na tecnologia MOS geralmente são constituídos de MOSFETs, que são transistores de efeito de campo cuja estrutura básica contém um eletrodo de metal e um óxido isolante sobre um substrato de semicondutor. 

Acerca das aplicações possíveis dos dispositivos eletrônicos, julgue o item seguinte.

Em isoladores ópticos, pode-se utilizar a associação de dois transistores bipolares de junção para aumentar o ganho de corrente total do isolador.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.

A lógica transistor–transistor refere-se à família de circuitos digitais que operam em níveis de tensão de 0 V e 5 V. Em sua construção, usam internamente transistores bipolares de junção (BJT) e resistores.

Retificadores não controlados utilizam diodos como elementos de retificação, ao passo que os retificadores controlados utilizam tiristores ou transistores como elementos de retificação.

Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.

O controle do fluxo de corrente no transistor de efeito de campo (FET) é feito por corrente, ao passo que, no transistor bipolar de junção (BJT), esse controle é feito por tensão.

Na operação de um transistor em região linear, para se obter ganho de corrente entre o que é injetado na base e o que trafega entre emissor e coletor, a junção entre emissor e base precisa ser polarizada diretamente e a junção base e coletor, polarizada inversamente.

Os elementos básicos dos circuitos integrados TTL são os transistores de efeito de campo MOS tipo N.

Os circuitos integrados CMOS têm em sua constituição transistores NMOS e PMOS.

Para que um transistor bipolar de junção opere na região ativa, a junção entre a base e o emissor deve estar polarizada diretamente e a junção entre o coletor e a base deve estar polarizada reversamente.

Um regulador de Buck é um regulador chaveado utilizado em conversores CC-CC com tensão média de saída menor que a tensão de entrada.

Na denominada autopolarização do JFET por derivação de corrente, a corrente de dreno é muito maior que a corrente de porta.