Questões de Concurso Sobre engenharia eletrônica
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Analise o circuito a seguir.
Após análise desse circuito, a função implementada é de um
Analise o mapa de Karnaugh a seguir.
A equação simplificada a partir desse mapa é:
Para o circuito mostrado na figura a seguir, com amplificadores operacionais ideais, assinale a alternativa que corresponda aos valores de V0 para Vi = +1V, 0V e -1V respectivamente.
Qual o ganho de tensão CQ(V0/Vi ) do circuito da figura abaixo? Considere VCC = 11,5 V; RB = 270kΩ; RE = 2,7kΩ; β=99 e,
para a temperatura ambiente, 
Determine, para o circuito abaixo, o valor da corrente Iz. Considerar que os diodos sejam de silício e a tensão de ruptura no diodo zener seja de 15 V.
Considere um conversor A/D de aproximação sucessiva de 5 bits e com uma frequência de clock de 100 Hz que faz a leitura de quatro grandezas diferentes, conforme mostrado na figura abaixo. As leituras dos canais do conversor A/D são multiplexadas com uma frequência de 2 Hz.
Quais são os valores das leituras em binário feitas pelo conversor A/D nos instantes de tempos de t0=400ms, t1=750ms,
t2=1,25s e t3=2s? (FS = Fundo de Escala; LSB = Bit Menos Significativo; MSB = Bit Mais Significativo).
A figura abaixo mostra um conversor cc - cc alimentando uma carga RL, estando S1 em operação complementar com S2 e S3 em operação complementar com S4. Considere que as quatro chaves controladas (S1, S2 S3 e S4) operam em alta frequência e que VAB>0 e IAB>0 (corrente na carga fluindo de A para B). Um comando é enviado ao conversor, e todas as chaves controladas são bloqueadas (S1, S2, S3 e S4 comportam-se como circuito aberto). Para a condição de todas as chaves controladas estarem bloqueadas e havendo energia armazenada na indutância, marque a alternativa correta.
Considere o circuito e curva corrente de base versus
tensão base-coletor apresentados na sequência para
responder à questão .
Considerando o ganho do transistor BDC = 200, a corrente no coletor (Ic) é igual a:
I. A memória FLASH é eletricamente apagável no próprio circuito, ao passo que a memória EPROM precisa ser retirada do circuito e exposta à luz ultravioleta para ser apagada. II. A memória FLASH é eletricamente apagável no próprio circuito, ao passo que a memória EEPROM precisa ser retirada do circuito e exposta à luz ultravioleta para ser apagada. III. A memória FLASH apresenta densidade mais elevada e custo mais baixo que a memória EEPROM.
Das afirmativas apresentadas acima, apenas:
Considere o conversor tiristorizado monofásico com carga
resistiva apresentado e as formas de onda de entrada e
saída apresentadas a seguir para responder à questão .
O valor eficaz da tensão Va em função do ângulo de disparo (a) e da tensão de pico na entrada do conversor (Vm) é dado por:
Considerando o ângulo de disparo a = 0°, o valor médio da tensão na carga resistiva será igual a:
O diagrama lógico apresentado abaixo representa o LATCH com portas NAND.
Quando as entradas SET e RESET são iguais a 1, o que
ocorre com as saídas 
Aplicando as regras de simplificação no circuito
combinacional apresentado acima, é possível obter uma
saída simplificada com o número de portas lógicas
reduzidas dado por:
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