Questões de Concurso Sobre engenharia eletrônica

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Q781940 Engenharia Eletrônica

                                    

Considerando o circuito apresentado na figura acima, em que Vi = 5 V, VCC = 10 V e o transistor possui β = 200, julgue o próximo item.

Para que o transistor sature com corrente de coletor igual a 40 mA, o valor da resistência RC deve ser igual a 250 Ω .

Alternativas
Q781939 Engenharia Eletrônica

                                    

Considerando o circuito apresentado na figura acima, em que Vi = 5 V, VCC = 10 V e o transistor possui β = 200, julgue o próximo item.

A corrente na base é 100 vezes menor que a corrente no coletor.

Alternativas
Q781938 Engenharia Eletrônica

Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.

O rendimento do amplificador classe C é maior que o dos amplificadores classes A, B e AB, de modo que seu ganho é máximo na frequência de ressonância.

Alternativas
Q781937 Engenharia Eletrônica

Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.

O comportamento do diodo de Schottky baseia-se na barreira de potencial na junção de semicondutores dopados dos tipos N e P.

Alternativas
Q781936 Engenharia Eletrônica

Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.

O controle do fluxo de corrente no transistor de efeito de campo (FET) é feito por corrente, ao passo que, no transistor bipolar de junção (BJT), esse controle é feito por tensão.

Alternativas
Q781935 Engenharia Eletrônica

Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.

O SCR (silicon controlled rectifier) é composto pela junção de duas camadas P e duas N, alternadas entre si, com três terminais: anodo, catodo e porta. O circuito equivalente ao SCR pode ser representado pela associação de um transistor PNP com um NPN.


Alternativas
Q781914 Engenharia Eletrônica

                     

A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e RE são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada vI (t) e à carga RL nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.

Se vI (t) > 0, então vO(t) > 0.

Alternativas
Q781913 Engenharia Eletrônica

                     

A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e RE são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada vI (t) e à carga RL nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.

O parâmetro RE não influencia no ganho de transcondutância iL(t)/vI (t) do circuito.

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Q781912 Engenharia Eletrônica

                     

A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e RE são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada vI (t) e à carga RL nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.

Em análise do circuito pelo método dos nós, observa-se que existem duas restrições em relação a dois nós, excetuando-se o nó de terra.

Alternativas
Q781911 Engenharia Eletrônica

                     

A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e RE são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada vI (t) e à carga RL nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.

A impedância de Norton vista à esquerda da seta S1 é dada por GRL.

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Q781910 Engenharia Eletrônica

                     

A figura acima ilustra, entre os nós B, C e E, um possível modelo de circuito para pequenos sinais de um transistor bipolar de junção. Os parâmetros G e RE são característicos do modelo, que é aterrado no nó E e conectado à fonte de tensão de entrada vI (t) e à carga RL nos nós B e C, respectivamente. Com base nessas informações, julgue o seguinte item.

O ganho de tensão que relaciona as tensões de saída vO(t) eentrada vI(t) é dado por -RLG.

Alternativas
Q781908 Engenharia Eletrônica

                     

A figura acima ilustra um circuito elétrico linear, em que o parâmetro K é constante e positivo, vI (t) é a tensão de entrada e vO(t) é a tensão de saída. A respeito desse circuito, julgue o item que se segue.

A impedância de entrada do circuito, vista pela fonte vI (t), é dada por Imagem associada para resolução da questão em que j 2 = -1 e ω é a frequência expressa em rad/s.

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Q781907 Engenharia Eletrônica

                     

A figura acima ilustra um circuito elétrico linear, em que o parâmetro K é constante e positivo, vI (t) é a tensão de entrada e vO(t) é a tensão de saída. A respeito desse circuito, julgue o item que se segue.

Esse circuito corresponde a um filtro passa-baixas de primeira ordem.

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Q781906 Engenharia Eletrônica

                     

A figura acima ilustra um circuito elétrico linear, em que o parâmetro K é constante e positivo, vI (t) é a tensão de entrada e vO(t) é a tensão de saída. A respeito desse circuito, julgue o item que se segue.

A constante de tempo do circuito é dada por Imagem associada para resolução da questão

Alternativas
Q781905 Engenharia Eletrônica

                     

A figura acima ilustra um circuito elétrico linear, em que o parâmetro K é constante e positivo, vI (t) é a tensão de entrada e vO(t) é a tensão de saída. A respeito desse circuito, julgue o item que se segue.

O ganho estático do circuito, relacionando-se a tensão de saída com a tensão de entrada, sem carregamento na saída, é dado por Imagem associada para resolução da questão

Alternativas
Q586075 Engenharia Eletrônica
Acerca de um sistema de controle estável e de fase não mínima, assinale a opção correta.
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Q586074 Engenharia Eletrônica
                          

A figura acima apresenta um diagrama de blocos que representa uma planta industrial. Nessa figura, U(s) corresponde à transformada de Laplace do sinal de entrada ut, e Y(s) corresponde à transformada de Laplace do sinal de saída y(t), em que t é o tempo em segundos.
Se x(t) for um estado do sistema, então sua representação na forma de variáveis de estado poderá ser descrita por
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Q586073 Engenharia Eletrônica
                          

A figura acima apresenta um diagrama de blocos que representa uma planta industrial. Nessa figura, U(s) corresponde à transformada de Laplace do sinal de entrada ut, e Y(s) corresponde à transformada de Laplace do sinal de saída y(t), em que t é o tempo em segundos.
Com relação a esse sistema de controle, assinale a opção correta.
Alternativas
Q586072 Engenharia Eletrônica
                                           Imagem associada para resolução da questão

A figura acima ilustra um circuito que utiliza uma parte de um decodificador de 3 para 8, que é um circuito utilizado na implementação de microcomputadores, em associação com algumas portas lógicas adicionais. Se as entradas binárias forem C = 1, B = 0 e A = 1, então os valores digitais das saídas S2, S1 e S0 serão, respectivamente,
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Q586071 Engenharia Eletrônica
Acerca das memórias semicondutoras e dos diversos dispositivos de armazenamento de um microcomputador, assinale a opção correta.
Alternativas
Respostas
3001: C
3002: E
3003: C
3004: E
3005: E
3006: C
3007: E
3008: C
3009: E
3010: E
3011: C
3012: C
3013: C
3014: C
3015: E
3016: A
3017: E
3018: C
3019: C
3020: E