Questões de Engenharia Eletrônica para Concurso - Página 14

Q3445767

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CAESB-DF Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Analista de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Engenheiro Eletrônico |

Q3445767 Engenharia Eletrônica

Admitindo que o subscrito no número 111_X indica que este número está sendo representado na base X, assinale a opção correta acerca do número AB₁₆.

A

O equivalente em código BCD desse número é 0001 0111 0011.

B

Se o número em questão for convertido para a base decimal, ele será divisível por 7.

C

Se o número em apreço for convertido para a base binária e, depois, for somado ao número 1 dessa mesma base, essa soma resultará no número 1010 1101₂.

D

Ao ser convertido para a base octal, esse número será igual a 254₈.

E

AB₁₆ + 1₁₆ = AC₁₆.

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Q3445766

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CAESB-DF Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Analista de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Engenheiro Eletrônico |

Q3445766 Engenharia Eletrônica

Aplicando-se as regras da álgebra booleana à expressão soma-de-produtos dada por Imagem associada para resolução da questão

é correto afirmar que Y será igual a 1

A

as variáveis A, B e C forem iguais a 1.

B

a variável C for igual a zero e as variáveis A e B forem iguais a 1.

C

a variável B for igual a zero e as variáveis A e C forem iguais a 1.

D

a variável B for igual a 1 e as variáveis A e C forem iguais a zero.

E

a variável A for igual a zero e as variáveis B e C forem iguais a 1.

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Q3445765

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CAESB-DF Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Analista de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Engenheiro Eletrônico |

Q3445765 Engenharia Eletrônica

Ao serem utilizados vários estágios amplificadores diferentes em um circuito integrado, obtém-se um amplificador operacional cujas características básicas incluem

A

ganho de tensão insignificante e resistências de entrada e saída muito baixas.

B

baixa resistência de entrada e alta resistência de saída, com nenhum ganho de tensão.

C

ganho de tensão unitário, baixa resistência de saída e baixa resistência de entrada.

D

ganho de tensão extremamente alto, resistência de entrada alta e resistência de saída baixa.

E

alto ganho de tensão e resistências de entrada e saída muito baixas.

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Q3445764

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CAESB-DF Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Analista de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Engenheiro Eletrônico |

Q3445764 Engenharia Eletrônica

Cristais de quartzo podem ser utilizados na construção de um oscilador de circuito sintonizado, na condição de circuito-tanque ressonante,

A

devido ao poder das pontas.

B

devido ao efeito piezoelétrico.

C

devido ao raio de curvatura.

D

visto que a frequência de oscilação independe do tamanho do cristal.

E

visto que a frequência de oscilação independe da tensão elétrica aplicada sobre as faces do cristal.

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Q3445763

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CAESB-DF Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Analista de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Engenheiro Eletrônico |

Q3445763 Engenharia Eletrônica

Em amplificadores de mais de um estágio, o aumento no número de estágios de um sistema em cascata

A

limitará a resposta em altas e em baixas frequências.

B

limitará somente a resposta em baixas frequências.

C

não limitará a resposta em altas e em baixas frequências.

D

limitará somente a resposta em altas frequências.

E

não altera a resposta em frequência, em comparação ao amplificador de um estágio.

Q3445762

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CAESB-DF Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Analista de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Engenheiro Eletrônico |

Q3445762 Engenharia Eletrônica

Um transistor do tipo npn

A

conduz quando está com as duas junções em polarização direta.

B

conduz quando uma das junções está em polarização direta e a outra, em polarização reversa.

C

conduz quando está com as duas junções em polarização indireta.

D

conduz quando está com as duas junções em polarização reversa.

E

conduz independentemente da polarização das junções.

Q3445761

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CAESB-DF Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Analista de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Engenheiro Eletrônico |

Q3445761 Engenharia Eletrônica

Haja vista o impacto do transistor de junção para a criação e a atualização de equipamentos eletrônicos, é correto afirmar que

I válvulas elétricas consumiam bem menos energia do que transistores eletrônicos.
II o surgimento do transistor possibilitou a integração e a miniaturização dos componentes eletrônicos.
III as mudanças advindas da criação do transistor foram mais perceptíveis na indústria da iluminação pública, impactando pouco na indústria de computadores.

Assinale a opção correta.

A

Apenas o item I está certo.

B

Apenas o item II está certo.

C

Apenas os itens I e III estão certos.

D

Apenas os itens II e III estão certos.

E

Todos os itens estão certos.

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Q3445760

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CAESB-DF Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Analista de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Engenheiro Eletrônico |

Q3445760 Engenharia Eletrônica

Um diodo ideal

A

atua como se fosse uma chave fechada quando está polarizado inversamente.

B

atua como se fosse uma chave aberta quando está polarizado diretamente.

C

atua como se fosse uma chave fechada quando está polarizado diretamente.

D

tem uma condução precária no sentido direto e uma boa condução no sentido inverso.

E

apresenta uma resistência de condução muito elevada.

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Q3445759

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CAESB-DF Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Analista de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Engenheiro Eletrônico |

Q3445759 Engenharia Eletrônica

Na análise de circuitos elétricos, para a identificação da frequência da ocorrência de eventos em uma série temporal de dados, é utilizada a ferramenta matemática denominada

A

transformada de Fourier.

B

transformada de Laplace.

C

equivalente de Thévènin.

D

método Hélio Creder para dimensionar circuitos.

E

método de valores por unidade (p.u.).

Q3445757

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CAESB-DF Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Analista de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Engenheiro Eletrônico |

Q3445757 Engenharia Eletrônica

Em radiofrequências, a fim de reduzir as correntes parasitas nos transformadores, geralmente são empregados núcleos de

A

ar.

B

água.

C

cimento.

D

ferro maciço.

E

limalha de ferro.

Q3445756

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CAESB-DF Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Analista de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Engenheiro Eletrônico |

Q3445756 Engenharia Eletrônica

Correntes parasitas resultam em aquecimento por efeito joule no núcleo do transformador. A fim de reduzir essas correntes, o núcleo do transformador é construído com

A

alumínio maciço.

B

cerâmica.

C

chapas finas ou lâminas de ferro isoladas eletricamente umas das outras.

D

chapas finas ou lâminas de ferro conectadas eletricamente umas às outras.

E

lâminas descontínuas na direção do fluxo magnético existente.

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Q3378647

Ano: 2025 Banca: VUNESP Órgão: UNESP Prova: VUNESP - 2025 - UNESP - Assistente de Suporte Acadêmico II - Recursos Audiovisuais |

Q3378647 Engenharia Eletrônica

Observe a figura a seguir:

Imagem associada para resolução da questão

(https://www.hitexxmusic.com.br/. Adaptado)

No dispositivo periférico de áudio mostrado na imagem, o acionamento da chave PAD, indicada pela seta amarela, produz

A

uma atenuação do sinal de entrada.

B

uma filtragem das interferências elétricas.

C

o isolamento entre os aterramentos de entrada e de saída.

D

um casamento da impedância de entrada com a de saída.

E

o aterramento do sinal de entrada.

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Q3345071

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: UNIVESP Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - UNIVESP - Supervisor Pedagógico - Área de Atuação 2: Computação e Áreas Afins |

Q3345071 Engenharia Eletrônica

Captura_de tela 2025-05-12 134042.png (754×309)

É correto afirmar que o circuito da figura precedente

A

é capaz de retirar ruído do circuito, se for conectado na saída de um amplificador.

B

permite a passagem de sinais abaixo de 0,5 V.

C

não deve ser utilizado na saída de um amplificador de tensão.

D

utiliza diodos Zener.

E

é um duplicador de tensão.

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Q3345070

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: UNIVESP Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - UNIVESP - Supervisor Pedagógico - Área de Atuação 2: Computação e Áreas Afins |

Q3345070 Engenharia Eletrônica

Uma característica das fontes chaveadas é

A

a utilização de conversores DC/DC em suas saídas.

B

a utilização de diodos, apenas.

C

a utilização de transformadores de entrada.

D

a operação em frequências mais baixas que as fontes lineares.

E

o fato de que não possuem retificador nem filtro.

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Q3345069

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: UNIVESP Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - UNIVESP - Supervisor Pedagógico - Área de Atuação 2: Computação e Áreas Afins |

Q3345069 Engenharia Eletrônica

Captura_de tela 2025-05-12 133947.png (432×68)

Considerando as informações da fonte apresentada na tabela precedente e que a saída de 3,3 V é retirada do +5 V, é correto afirmar que a potência total dessa fonte é de

A

275 W.

B

288,1 W.

C

300 W.

D

301,5 W.

E

314,6 W.

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Q3338424

Ano: 2025 Banca: FGV Órgão: MPU Prova: FGV - 2025 - MPU - Analista do MPU - Perito em Engenharia Elétrica |

Q3338424 Engenharia Eletrônica

A figura abaixo apresenta um circuito digital que possui três entradas digitais A, B e C e uma saída S.
Imagem associada para resolução da questão

A operação booleana realizada pelo circuito pode ser descrita como:

A

(A̅ + B) ∙ (B̅. C̅);

B

(A̅ + B̅) ∙ (B̅ + C̅);

C

(A + B̅̅) ∙ (B̅. C̅);

D

(A̅ + B) ∙ (B + C̅);

E

(A̅ + B) ∙ (B̅ + C̅).

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Q3315441

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: EMBRAPA Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - EMBRAPA - Pesquisador – Área: Espectroscopia Aplicada – Subárea: Instrumentação em Ressonância Magnética Nuclear |

Q3315441 Engenharia Eletrônica

Julgue o item a seguir, a respeito da interação da radiação com a matéria.

Quando, geralmente na forma de luz visível ou ultravioleta, incide sobre a junção p-n de um dispositivo semicondutor, a radiação pode excitar os elétrons da faixa de valência desse dispositivo e os liberar para a faixa de condução, criando pares elétron-lacuna.

Certo

Errado

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Q3315185

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: EMBRAPA Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - EMBRAPA - Pesquisador – Área: Nanotecnologia – Subárea: Nanotecnologia |

Q3315185 Engenharia Eletrônica

Acerca de técnicas de nanofabricação, julgue o item subsequente.

Na técnica de self-assembly, átomos e moléculas são deliberadamente manipulados e colocados, um por um, em determinada ordem.

Certo

Errado

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Q3315184

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: EMBRAPA Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - EMBRAPA - Pesquisador – Área: Nanotecnologia – Subárea: Nanotecnologia |

Q3315184 Engenharia Eletrônica

Acerca de técnicas de nanofabricação, julgue o item subsequente.

As técnicas de síntese por chama e descarga por arco são métodos comuns de nanoestruturação com abordagem bottom-up.

Certo

Errado

Q3315183

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: EMBRAPA Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - EMBRAPA - Pesquisador – Área: Nanotecnologia – Subárea: Nanotecnologia |

Q3315183 Engenharia Eletrônica

Acerca de técnicas de nanofabricação, julgue o item subsequente.

A nanofabricação positional assembly é um tipo de técnica bottom-up na qual átomos e moléculas são manipulados e colocados em ordem aleatória.

Certo

Errado

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Questões de Concurso Sobre engenharia eletrônica

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