Questões de Concurso
Sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
Foram encontradas 986 questões
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364643
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
Um transistor bipolar de junção (BJT) é fundamentalmente uma chave controlada por corrente, enquanto o MOSFET se aproxima de uma chave controlada por tensão, com porta de controle isolada. Assim, a potência demandada no terminal de controle para chaveamento é, para condições semelhantes de operação, maior no MOSFET.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364642
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.
Se, para determinada polarização e topologia, o amplificador tem o produto ganho × banda passante igual a fT, então a banda passante do sistema usado como seguidor de tensão será aproximadamente igual a fT.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364641
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.
Por razões de estabilidade, deseja-se que o ganho em malha aberta, na frequência na qual a defasagem do amplificador alcança 180 graus, seja significativamente inferior a 0 dB. Nesse caso, a distância entre esse ganho e o nível 0 dB é denominada margem de ganho.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364640
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A realimentação negativa, usada em amplificadores eletrônicos, produz várias melhorias de desempenho com relação a ganho de tensão, impedância de entrada e resposta em frequência. Com relação à resposta em frequência de amplificadores em malha aberta e malha fechada, julgue os itens seguintes.
Uma das vantagens de um ganho elevado em malha aberta é que, ficando o ganho em malha fechada determinado fundamentalmente pela malha de realimentação, pode assim, em geral, ser determinado com maior precisão.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161885
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.
Fisicamente, a condução em um JFET se dá pela passagem de portadores de carga da fonte para o dreno, através do canal.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161884
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.
Na denominada autopolarização do JFET por derivação de corrente, a corrente de dreno é muito maior que a corrente de porta.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161883
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A respeito do transistor JFET, julgue os próximos itens.
Um transistor JFET é inadequado para ser usado em estágios de amplificador, pois o mesmo, quando polarizado, funciona como resistor controlado por tensão
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161882
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base no circuito apresentado na figura acima, julgue os itens
subseqüentes.
Com base no circuito apresentado na figura acima, julgue os itens
subseqüentes.
O transistor usado no circuito é do tipo bipolar.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161881
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base no circuito apresentado na figura acima, julgue os itens
subseqüentes.
Com base no circuito apresentado na figura acima, julgue os itens
subseqüentes.
A corrente Ie que circula no circuito é igual a 
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161880
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base no circuito apresentado na figura acima, julgue os itens
subseqüentes.
Com base no circuito apresentado na figura acima, julgue os itens
subseqüentes.
O circuito pode ser polarizado de modo a funcionar como fonte de corrente.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161846
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Considere os circuitos I e II mostrados a seguir.
Considerando que VB no circuito II é uma tensão que não é nula
durante todo intervalo de tempo, julgue os itens que se seguem.
Considerando que VB no circuito II é uma tensão que não é nula
durante todo intervalo de tempo, julgue os itens que se seguem.
O transistor utilizado nos dois circuitos são do tipo transistor de efeito de campo de junção JFET (junction field effect transistor).
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161845
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Considere os circuitos I e II mostrados a seguir.
Considerando que VB no circuito II é uma tensão que não é nula
durante todo intervalo de tempo, julgue os itens que se seguem.
Considerando que VB no circuito II é uma tensão que não é nula
durante todo intervalo de tempo, julgue os itens que se seguem.
No circuito II, o transistor encontra-se desligado, porque a tensão VB somada com VS resulta em tensão nula.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161844
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Considere os circuitos I e II mostrados a seguir.
Considerando que VB no circuito II é uma tensão que não é nula
durante todo intervalo de tempo, julgue os itens que se seguem.
Considerando que VB no circuito II é uma tensão que não é nula
durante todo intervalo de tempo, julgue os itens que se seguem.
Comparando as duas configurações, a dissipação de potência no transistor é maior no circuito I.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161833
Engenharia Eletrônica
Suponha que a tensão v(t) seja senoidal. Então a corrente i(t) também é senoidal, mas a tensão vL(t) é nula durante meio ciclo e apresenta freqüência maior que a freqüência da tensão da fonte.
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
SEPLAG-DF
Prova:
CESPE - 2008 - SEPLAG-DF - Professor - Eletrônica |
Q161832
Engenharia Eletrônica
O elemento indicado por D apresenta relação não-linear envolvendo a corrente i(t) e a tensão v0(t).
Ano: 2008
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
HEMOBRÁS
Prova:
CESPE - 2008 - HEMOBRÁS - Especialista em Produção de Hemoderivados - Engenheiro Eletrônico |
Q153916
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Em uma instalação crítica, seja industrial, residencial, de
laboratório etc., faz-se necessária a implantação de um sistema de
segurança que permita detectar condições hostis ou perigosas.
Entre essas condições podem-se citar, invasão, incêndio,
vazamentos de fluídos etc. A respeito de sensores de sistemas de
segurança, julgue os itens 93 a 95.
laboratório etc., faz-se necessária a implantação de um sistema de
segurança que permita detectar condições hostis ou perigosas.
Entre essas condições podem-se citar, invasão, incêndio,
vazamentos de fluídos etc. A respeito de sensores de sistemas de
segurança, julgue os itens 93 a 95.
Em um detetor óptico de fumaça, a luz emitida por um diodo do tipo LED, no interior de uma câmara do equipamento, é captada por um fotodiodo ou um fototransistor. Caso a fumaça invada essa câmara, ocorre dispersão da luz emitida, sendo a mesma percebida pelo fotodiodo ou fototransistor, o que leva ao disparo do detector.
Ano: 2007
Banca:
FCC
Órgão:
TRF - 2ª REGIÃO
Prova:
FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |
Q2252004
Engenharia Eletrônica
O valor aproximado da freqüência de oscilação é
Ano: 2007
Banca:
FCC
Órgão:
TRF - 2ª REGIÃO
Prova:
FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |
Q2251997
Engenharia Eletrônica
Considere que o amplificador esteja configurado em malha fechada, com carga de 4 Ω e sinal de entrada senoidal de 1 kHz.
Neste caso, o ganho de potência em decibel vale
Ano: 2007
Banca:
FCC
Órgão:
TRF - 2ª REGIÃO
Prova:
FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |
Q2251996
Engenharia Eletrônica
Para que o amplificador opere com tensão de alimentação de 14,4 V e potência de saída de 8 W, pode-se conectar em sua
saída dois alto-falantes de
Ano: 2007
Banca:
FCC
Órgão:
TRF - 2ª REGIÃO
Prova:
FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |
Q2251993
Engenharia Eletrônica
O circuito integrado 74LS47 é um tipo de decodificador
que prevê como entrada um código BCD com sete saídas
identificadas por a, b, c, d, e, f, g ativas em nível baixo e
serve para acionar um display de
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