Questões de Concurso Sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica

Foram encontradas 961 questões

Q2746796 Engenharia Eletrônica
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O valor de VEC é:
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Q2746795 Engenharia Eletrônica
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O valor de IC é:
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Q2746794 Engenharia Eletrônica
Um amplificador tem um ganho de malha aberta de 50. O amplificador possui realimentação negativa com razão de realimentação 0,5. O ganho de malha fechada é:
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Ano: 2014 Banca: FCC Órgão: SABESP Prova: FCC - 2014 - SABESP - Engenheiro Elétrico |
Q923985 Engenharia Eletrônica

Analise a estrutura do circuito integrado MOC 3011 abaixo.


Imagem associada para resolução da questão


Trata-se de um

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Ano: 2014 Banca: FCC Órgão: SABESP Prova: FCC - 2014 - SABESP - Engenheiro Elétrico |
Q923981 Engenharia Eletrônica

O circuito abaixo corresponde a uma interface de potência para acionamento de um solenoide a partir de um circuito de controle.


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O valor comercial mais adequado de Rb é

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Ano: 2014 Banca: FCC Órgão: SABESP Prova: FCC - 2014 - SABESP - Engenheiro Elétrico |
Q923977 Engenharia Eletrônica
Cristal de silício dopado com átomos pentavalentes corresponde a
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Ano: 2014 Banca: UFES Órgão: UFES Prova: UFES - 2014 - UFES - Técnico em Eletrotécnica |
Q822219 Engenharia Eletrônica
Ao ser conectado a uma tomada de 110V/60Hz, o valor médio da tensão de saída de um retificador a diodos de onda completa, com carga resistiva, pode ser considerado 100 V. Se for conectado um retificador a diodos de meia onda a uma tomada de 220V/50Hz, a tensão média na carga será
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Ano: 2014 Banca: UFES Órgão: UFES Prova: UFES - 2014 - UFES - Técnico em Eletrotécnica |
Q822218 Engenharia Eletrônica

No circuito da figura, o transistor TBJ (transistor bipolar de junção) apresenta, na região linear, um ganho β = 140. Ao aplicar-se 5 V em VB, o valor de VD, em V, será

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Ano: 2014 Banca: UFES Órgão: UFES Prova: UFES - 2014 - UFES - Técnico em Eletrotécnica |
Q822217 Engenharia Eletrônica
Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN é polarizado por divisor de tensão, sendo R1 = 20 kΩ o resistor que conecta a base à tensão VCC e R2 = 1 kΩ o resistor que conecta a base ao GND (terra do circuito). Sendo Re = 100 Ω o resistor que conecta o emissor ao GND, o mínimo valor do ganho do transistor, β, que permite aplicar análise aproximada de polarização é
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Ano: 2014 Banca: UFES Órgão: UFES Prova: UFES - 2014 - UFES - Técnico em Eletrotécnica |
Q822215 Engenharia Eletrônica
Uma fonte CC está ligada, adequadamente, ao conjunto bobina de relé em série com um transistor bipolar de junção (TBJ) do tipo NPN. Com a corrente de base (IB) positiva, o TBJ é ligado (conduz), a bobina é energizada e o relé é acionado. Com a IB caindo a zero, a bobina desenvolverá uma grande tensão sobre o transistor, o que poderá destruí-lo. Para evitar isso, coloca-se um
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Ano: 2014 Banca: UFES Órgão: UFES Prova: UFES - 2014 - UFES - Técnico em Eletrotécnica |
Q822214 Engenharia Eletrônica
Considere-se um retificador de onda completa, a diodo, utilizando um transformador com derivação central. Sabe-se que os dois secundários do transformador apresentam tensões iguais, com valor de pico dado por Vp. O diodo deverá ser especificado para suportar uma tensão de pico inversa de valor, no mínimo, igual a
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Q540840 Engenharia Eletrônica
Analise o circuito apresentado na figura abaixo.

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Os valores de IL e PZ são respectivamente: 


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Q462978 Engenharia Eletrônica
Uma corrente elétrica de natureza aleatória tem sua função densidade de probabilidade distribuída conforme mostrado no Gráfico acima, onde i é uma variável aleatória. Considere, nesse caso, que o valor eficaz ou r.m.s. do sinal de corrente é obtido pela expressão Irms= √E[i2], onde E [ . ] representa o valor esperado ou expectância da variável aleatória.

Qual é o valor r.m.s. desse sinal aleatório?
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Q462965 Engenharia Eletrônica
No circuito abaixo, considere que o transistor Q1 apresenta uma tensão VEB = 0,7 V quando a junção base-emissor está diretamente polarizada, e que o seu parâmetro β é muito grande. Considere também o Gráfico da evolução no tempo da tensão VB aplicada à base do transistor Q1 .

imagem-038.jpg

O Gráfico da corrente I R2 que circula pelo resistor R2 será
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Q462946 Engenharia Eletrônica
Em algumas aplicações na área de instrumentação, é necessário amplificação com elevado ganho de malha fechada. Nesse sentido, é possível acoplar vários estágios de amplificadores com alta impedância de entrada, formando uma ligação conhecida como cascata.

Se três estágios de amplificadores idênticos com ganho de tensão de 2 dB forem ligados em cascata, qual será o ganho total, em dB, e qual o efeito que ocorre na largura de faixa resultante dessa ligação?
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Q454072 Engenharia Eletrônica
A fonte de alimentação regulada da Figura abaixo usa um transistor de junção NPN e um diodo zener, ambos consideradosideais. O zener serve para manter a tensão de referência, com o objetivo de regular a tensão sobre a carga resistiva. 

Considerando-se que a carga resistiva dissipa uma potência de 600 mW, qual o valor, em mA, da corrente I Z no diodo zener?
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Q454071 Engenharia Eletrônica
A Figura abaixo mostra um circuito eletrônico, composto de um diodo de junção considerado ideal, que alimenta uma carga resistiva de 10 Ω.

imagem-039.jpg
Aplicando-se na entrada Vi a onda quadrada periódica mostrada na Figura, o valor da potência média, em W, dissipada na carga resistiva de 10Ω, é
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Q445948 Engenharia Eletrônica
O esquema eletrônico a seguir apresenta um dispositivo de disparo utilizando SCR.

imagem-002.jpg
Na condição em que o SCR está conduzindo, a potência dissipada no resistor de 100 Ω que está ligado ao anodo é 25 W e a corrente de gatilho é 450 mA. A tensão de gatilho do SCR para essas condições é igual a:
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Q438735 Engenharia Eletrônica
A Figura a seguir apresenta um circuito, no qual o diodo D1 é ideal, e o gráfico da evolução no tempo da tensão entregue pela fonte VS desse circuito.

                                imagem-042.jpg

Qual é a correspondente forma de onda da corrente iD no diodo?
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Q438734 Engenharia Eletrônica
A Figura abaixo apresenta um circuito no qual o transistor bipolar Q1 é utilizado para controlar a potência dissipada pelo resistor de carga RL , e o gráfico com a evolução no tempo da tensão de controle VCTRL .

                            imagem-041.jpg

Considere que o transistor Q1 apresenta parâmetro β = 80, |VBE| = 0,7 V quando conduzindo corrente elétrica e |VCE| = 0,2 V quando operando em saturação.

Dessa forma, a potência média, em watts, dissipada pelo resistor de carga RL é
Alternativas
Respostas
661: C
662: A
663: A
664: A
665: B
666: D
667: A
668: B
669: D
670: A
671: D
672: A
673: D
674: A
675: D
676: A
677: D
678: E
679: C
680: A