Questões de Concurso
Sobre diodo na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
Foram encontradas 283 questões
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MS
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2013 - MS - Engenheiro Eletricista |
Q331309
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A partir das informações apresentadas, é correto afirmar que V5 < 5 V para a = 2.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MS
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2013 - MS - Engenheiro Eletricista |
Q331308
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A figura abaixo apresenta corretamente a forma de onda das tensões V1 e V2.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
MS
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2013 - MS - Engenheiro Eletricista |
Q331307
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
As informações apresentadas permitem afirmar que V5 é aproximadamente nulo para a = 0,002.
Ano: 2013
Banca:
CETRO
Órgão:
ANVISA
Prova:
CETRO - 2013 - ANVISA - Especialista em Regulação - Vigilância Sanitária – Área 1 - Prova Anulada |
Q319776
Engenharia Eletrônica
Os diodos emissores de luz (LED) possuem, como base fundamental em suas confecções, os elementos semicondutores e convertem corrente elétrica em luz visível ou radiação infravermelha. Em relação aos tipos de cristais e sua dopagem, que caracterizam a coloração de sua luz, analise as assertivas abaixo.
I. A combinação dos elementos químicos arsênio e gálio formam o GaAs, que é amarelo.
II. A combinação dos elementos químicos arsênio, gálio e fósforo formam o GaAsP, que, dependendo da concentração de fósforo, é vermelho ou amarelo.
III. A combinação dos elementos químicos gálio e fósforo formam o GaP, que, com dopagem de zinco e oxigênio, é azul. IV. O GaP com dopagem de nitrogênio é verde ou amarelo.
É correto o que se afirma em:
I. A combinação dos elementos químicos arsênio e gálio formam o GaAs, que é amarelo.
II. A combinação dos elementos químicos arsênio, gálio e fósforo formam o GaAsP, que, dependendo da concentração de fósforo, é vermelho ou amarelo.
III. A combinação dos elementos químicos gálio e fósforo formam o GaP, que, com dopagem de zinco e oxigênio, é azul. IV. O GaP com dopagem de nitrogênio é verde ou amarelo.
É correto o que se afirma em:
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314063
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Recentes inovações no campo da optoeletrônica aplicada no desenvolvimento de dispositivos e equipamentos ópticos e de baixa potência têm sido empregadas na iluminação pública, na sinalização de trânsito e nas lâmpadas decorativas e residenciais. A respeito desse assunto, julgue os itens subsequentes.
Em um LED (diodo emissor de luz) com polarização direta, os elétrons livres atravessam a junção e se combinam com as lacunas, mudando de um estado de maior energia para um de menor energia e irradiando luz.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314058
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.
Um cristal de silício tem, à temperatura ambiente, uma maior quantidade de elétrons livres, se comparado a um cristal de germânio.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Telecomunicações, Computação e Eletrônica |
Q314057
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.
O germânio e o silício são semicondutores e exemplos de elementos tetravalentes.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Eletricidade |
Q313872
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Julgue os próximos itens, acerca de diodos.
A corrente passando por um diodo típico que esteja operando na região de polarização reversa é aproximadamente nula.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Eletricidade |
Q313871
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Julgue os próximos itens, acerca de diodos.
A tensão sobre um diodo zener operando na região de ruptura é aproximadamente nula.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Eletricidade |
Q313870
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Julgue os próximos itens, acerca de diodos.
Em um semicondutor dopado que não esteja sujeito à aplicação de campo elétrico, a corrente de difusão é nula.
Ano: 2013
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
INPI
Prova:
CESPE - 2013 - INPI - Pesquisador - Eletricidade |
Q313869
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Julgue os próximos itens, acerca de diodos.
As regiões P e N de um diodo são regiões vizinhas de um mesmo cristal semicondutor, criadas com dopagens diferentes.
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Chesf
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Chesf - Profissional de Nível Superior - Eletrônica ou Telecomunicações |
Q457409
Engenharia Eletrônica
Os diodos semicondutores são componentes eletrônicos empregados em diversos circuitos. Tais componentes são formados pela junção de dois materiais semicondutores com dopagens tipo N e tipo P, denominada junção PN.
Algumas características físicas do diodo dependem da concentração de dopantes que foi adicionada a cada um dos dois materiais da junção PN, durante o processo de fabricação do dispositivo.
Com relação a essas características físicas, considere as afirmações abaixo.
I - Submetendo dois diodos às mesmas condições de temperatura e tensão reversa, o diodo construído com materiais semicondutores contendo maior concentração de dopantes conduzirá a maior corrente reversa.
II - A tensão de ruptura (breakdown) pode ser reduzida, para a fabricação de diodos Zener, aumentando-se a dopagem dos materiais que constituem a junção PN.
III - A largura da região de depleção de uma junção PN, que tem impacto sobre a capacitância interna do diodo, é tão maior quanto maior a dopagem dos materiais que constituem a junção PN.
Está correto APENAS o que se afirma em
Algumas características físicas do diodo dependem da concentração de dopantes que foi adicionada a cada um dos dois materiais da junção PN, durante o processo de fabricação do dispositivo.
Com relação a essas características físicas, considere as afirmações abaixo.
I - Submetendo dois diodos às mesmas condições de temperatura e tensão reversa, o diodo construído com materiais semicondutores contendo maior concentração de dopantes conduzirá a maior corrente reversa.
II - A tensão de ruptura (breakdown) pode ser reduzida, para a fabricação de diodos Zener, aumentando-se a dopagem dos materiais que constituem a junção PN.
III - A largura da região de depleção de uma junção PN, que tem impacto sobre a capacitância interna do diodo, é tão maior quanto maior a dopagem dos materiais que constituem a junção PN.
Está correto APENAS o que se afirma em
Ano: 2012
Banca:
FMP Concursos
Órgão:
PROCEMPA
Prova:
FMP Concursos - 2012 - PROCEMPA - Engenheiro |
Q443615
Engenharia Eletrônica
Com relação aos materiais eletrônicos abaixo listados, analise as afirmativas abaixo.
I - Um transistor é basicamente constituído de três camadas de matérias semicondutores formando as junções NPN ou PNP.
II - O diodo Zener é especialmente fabricado para trabalhar em polarização reserva, pois nessas circunstancias apresenta uma característica de tensão constante para uma faixa de corrente.
III - Capacitor é um componente que tem como finalidade armazenar energia elétrica.
IV - Resistores são componentes que tem por finalidade oferecer uma oposição à passagem de corrente elétrica por meio de seu material e são classificados como fixos ou constantes.
V - Em um resistor, a ausência da faixa de tolerância indica que esta é maior que 30%.
Estão corretas as afirmativas
I - Um transistor é basicamente constituído de três camadas de matérias semicondutores formando as junções NPN ou PNP.
II - O diodo Zener é especialmente fabricado para trabalhar em polarização reserva, pois nessas circunstancias apresenta uma característica de tensão constante para uma faixa de corrente.
III - Capacitor é um componente que tem como finalidade armazenar energia elétrica.
IV - Resistores são componentes que tem por finalidade oferecer uma oposição à passagem de corrente elétrica por meio de seu material e são classificados como fixos ou constantes.
V - Em um resistor, a ausência da faixa de tolerância indica que esta é maior que 30%.
Estão corretas as afirmativas
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Petrobras - Engenheiro de Equipamento Júnior - Elétrica-2012 |
Q431455
Engenharia Eletrônica
Na figura acima, é apresentado o circuito de um conversor CC-CC do tipo Buck-boost.
Sobre esse conversor, considere as afirmativas a seguir.
I - A tensão na saída V0 apresenta uma polaridade invertida em relação à tensão na entrada Vl do conversor.
II - O módulo da tensão na saída V0 será menor que o da tensão na entrada Vl, como ocorre em um conversor Buck, apenas quando o conversor Buck-boost estiver operando em modo descontínuo.
III - O módulo da tensão na saída V0 será maior que o da tensão na entrada Vl, como ocorre em um conversor Boost, apenas quando o conversor Buck-boost estiver operando em modo contínuo.
Está correto o que se afirma em
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Petrobras - Engenheiro de Equipamento Júnior - Elétrica-2012 |
Q431454
Engenharia Eletrônica
Na figura abaixo, é apresentado um retificador controlado a tiristor (SCR), alimentando uma carga resistiva RL= 20 Ω. Na mesma figura, são apresentadas as formas de onda da tensão senoidal VR no primário do transformador e do sinal VG aplicado ao gate do tiristor.
Sabendo-se que a razão de transformação do transformador é
, a potência média, em watts, dissipada na carga RL será de
Sabendo-se que a razão de transformação do transformador é
, a potência média, em watts, dissipada na carga RL será de
Ano: 2012
Banca:
CESGRANRIO
Órgão:
Petrobras
Prova:
CESGRANRIO - 2012 - Petrobras - Engenheiro de Equipamento Júnior - Eletrônica-2012 |
Q431347
Engenharia Eletrônica
Texto associado
No circuito da figura, considere que os diodos apresentam uma queda de tensão VD = 0,7 V quando estão conduzindo corrente e que não apresentam corrente de fuga quando estão em corte.
Assim, quando a chave S1 for fechada, a tensão na saída Vx, em volts, será
Ano: 2012
Banca:
FCC
Órgão:
TRF - 4ª REGIÃO
Prova:
FCC - 2012 - TRF - 4ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q381120
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Para responder às questões , considere o circuito abaixo, onde o diodo D1 encontra-se aberto por estar danificado.
Conforme a condição descrita, o formato do sinal de saída é, aproximadamente,
Ano: 2012
Banca:
FCC
Órgão:
TRF - 4ª REGIÃO
Prova:
FCC - 2012 - TRF - 4ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q381119
Engenharia Eletrônica
Texto associado
Para responder às questões , considere o circuito abaixo, onde o diodo D1 encontra-se aberto por estar danificado.
O valor aproximado da corrente de pico no pino 1 do 4N25 é
Ano: 2012
Banca:
FCC
Órgão:
TRF - 4ª REGIÃO
Prova:
FCC - 2012 - TRF - 4ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q381113
Engenharia Eletrônica
O esquema elétrico abaixo mostra o circuito de um dispositivo simples de alarme.
Sobre o funcionamento ou elementos desse circuito é correto afirmar:
Sobre o funcionamento ou elementos desse circuito é correto afirmar:
Q283847
Engenharia Eletrônica
Considerando ideal o diodo D, no circuito limitador série abaixo:
A tensão de pico na saída será:
A tensão de pico na saída será:
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