Questões de Concurso Sobre eletromagnetismo na engenharia elétrica em engenharia elétrica

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Q2367432 Engenharia Elétrica
Uma empresa comercializadora de materiais elétricos usa a seguinte codificação para identificar dois dos produtos vendidos por ela:

• Tipo 01 – mini disjuntor termomagnético 3kA curva B bipolar 16 A.
• Tipo 02 – mini disjuntor termomagnético 3kA curva B monopolar 6 A.
Ocorre que numa determinada data foram realizadas duas entregas no almoxarifado da empresa com estes produtos. Entretanto os formulários de entrada de materiais não foram preenchidos corretamente, indicando apenas que na Carga A foram entregues 300 unidades do disjuntor do Tipo 01 e 200 unidades do disjuntor do Tipo 02 com um custo total de R$ 9100,00 e na Carga B foram entregues 120 unidades do disjuntor do Tipo 01 e 500 unidades do disjuntor do Tipo 02, a um custo total de R$ 8260,00. Considerando que os valores unitários dos disjuntores permanecem constantes no período considerado, determinar o custo total para uma encomenda de 50 unidades do disjuntor do Tipo 01 e 60 unidades do disjuntor do tipo 02.
Alternativas
Q2367427 Engenharia Elétrica
Em um experimento realizado num laboratório de pesquisas em eletricidade, foi feito o cálculo do valor da capacitância de um capacitor de placas paralelas, construído com placas quadradas de dimensões de 15 cm x 15 cm, separadas entre si por 1,5 mm. Como dielétrico foi empregado um material cuja permissividade relativa é de 5000. O valor da capacitância calculado, usando a constante dielétrica absoluta para o vácuo de ε0 = 8,85 ∙ 10-12 F/m, será 
Alternativas
Q2367426 Engenharia Elétrica

Considere um campo vetorial dado por   Imagem associada para resolução da questão

Marque a alternativa que corresponde ao valor do divergente deste campo vetorial no ponto Q(1, 3, 1), em coordenadas retangulares.

Alternativas
Q2367072 Engenharia Elétrica

        Ao contrário de capacitores convencionais, que são preenchidos por dielétricos, supercapacitores eletrostáticos de dupla camada funcionam com um eletrólito entre os eletrodos. Ao se aplicar uma diferença de potencial entre os terminais do dispositivo, cátions aproximam-se da placa negativamente polarizada e ânions, da placa positivamente polarizada. Como resultado, a região interna fica distribuída da seguinte forma: o eletrodo positivo acumula uma camada de cargas negativas e o eletrodo negativo acumula uma camada de cargas positivas. A distância entre as placas e a película de carga é da ordem do tamanho do próprio íon correspondente.


A partir do texto precedente, julgue o item a seguir. 


Um modelo de capacitor de placas planas e paralelas pode ajudar a entender o elevado valor da capacitância de um supercapacitor, uma vez que a separação da dupla camada tem dimensões moleculares e que, nesse modelo, a capacitância é inversamente proporcional a essa separação. 

Alternativas
Q2367071 Engenharia Elétrica

        Ao contrário de capacitores convencionais, que são preenchidos por dielétricos, supercapacitores eletrostáticos de dupla camada funcionam com um eletrólito entre os eletrodos. Ao se aplicar uma diferença de potencial entre os terminais do dispositivo, cátions aproximam-se da placa negativamente polarizada e ânions, da placa positivamente polarizada. Como resultado, a região interna fica distribuída da seguinte forma: o eletrodo positivo acumula uma camada de cargas negativas e o eletrodo negativo acumula uma camada de cargas positivas. A distância entre as placas e a película de carga é da ordem do tamanho do próprio íon correspondente.


A partir do texto precedente, julgue o item a seguir. 


Além dos supercapacitores eletrostáticos de dupla camada descritos no texto, há outras tecnologias disponíveis atualmente para a criação de supercapacitores. 

Alternativas
Q2367065 Engenharia Elétrica

Julgue o item subsequente, a respeito de filmes finos inorgânicos. 


Somente filmes finos inorgânicos podem ser utilizados em optoeletrônica em razão da natureza condutora que sempre exibem, distinta dos materiais orgânicos, que são isolantes por natureza.  

Alternativas
Q2367054 Engenharia Elétrica

Em relação à fotônica em silício, julgue o item que se segue. 


Um passo importante para o desenvolvimento de um circuito integrado fotônico foi a integração de uma junção p-n a um guia de onda, criando-se um modulador de fase. 

Alternativas
Q2367053 Engenharia Elétrica

Em relação à fotônica em silício, julgue o item que se segue. 


O especial interesse em utilizar-se silício em fotônica decorre da transparência do material para o espectro visível, o que permite a concepção de sistemas que aliem transporte de carga e de radiação com eficiência. 

Alternativas
Q2367052 Engenharia Elétrica

Em relação à fotônica em silício, julgue o item que se segue. 


Um dos desafios para o desenvolvimento da fotônica em silício é a dispersão de luz no material. 

Alternativas
Q2367051 Engenharia Elétrica

Em relação à fotônica em silício, julgue o item que se segue. 


Uma das desvantagens da fotônica em silício é sua restrição ao regime de baixas e médias frequências, de até 10 KHz, o que torna limitada a perspectiva de aplicação do campo em telecomunicações. 

Alternativas
Q2367045 Engenharia Elétrica

Acerca dos fotodetectores, julgue o item a seguir. 


Mapeando-se o comportamento da variação da resistência elétrica de um dispositivo na presença de luz a ponto de gerar uma função e atribuir uma escala, será possível conceber-se um tipo de fotodetector. 

Alternativas
Q2367043 Engenharia Elétrica

Acerca dos fotodetectores, julgue o item a seguir. 


Respeitada a faixa de funcionamento nominal de cada dispositivo, em altas temperaturas, o ruído de Johnson-Nyquist é minimizado, razão pela qual nesse regime o uso de fotomultiplicadores é, em regra, preferível ao uso de fotodiodos. 

Alternativas
Q2367042 Engenharia Elétrica

Acerca dos fotodetectores, julgue o item a seguir. 


Fotodetectores somente convertem em sinal elétrico a radiação na região espectral do visível. 

Alternativas
Q2367041 Engenharia Elétrica

Acerca dos fotodetectores, julgue o item a seguir. 


Um fotodetector pode ser utilizado na entrada de um receptor óptico para converter o sinal elétrico em sinal óptico.

Alternativas
Q2367040 Engenharia Elétrica

Em relação a diodos emissores de luz (LED), julgue o item que se segue.  


O LED é um dispositivo tipicamente não ôhmico; portanto, a resistência elétrica observada em determinado ponto de operação não pode ser calculada pela razão entre a tensão aplicada e a corrente que flui pelos seus terminais.

Alternativas
Q2367024 Engenharia Elétrica

Julgue o próximo item, acerca da caracterização de nanomateriais. 


As propriedades elétricas dos nanomateriais podem ser analisadas por sua resistência e(ou) por sua condutividade elétrica, utilizando-se instrumentos como um multímetro digital, um medidor de impedância, uma sonda de quatro pontas e um componente semicondutor isolante de metal. 

Alternativas
Q2367022 Engenharia Elétrica

Julgue o próximo item, acerca da caracterização de nanomateriais. 


Pode-se caracterizar completamente um nanomaterial sem que sejam quantificadas suas dimensões. 

Alternativas
Q2367017 Engenharia Elétrica

Julgue o item seguinte, a respeito das propriedades dos nanomateriais. 


Os nanomateriais apresentam elevada razão área de superfície por volume e, consequentemente, uma maior densidade de átomos é encontrada na sua superfície em comparação com o interior, o que implica o aumento da reatividade desses materiais e sua consequente menor estabilidade química, sendo eles amplamente empregados como catalisadores. 

Alternativas
Q2367016 Engenharia Elétrica

Julgue o item seguinte, a respeito das propriedades dos nanomateriais. 


Uma estratégia para melhorar as propriedades mecânicas de matrizes poliméricas é a adição de nanomateriais inorgânicos, formando-se nanocompósitos. 

Alternativas
Q2364443 Engenharia Elétrica
Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10−6 Ωm, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m2 /(Vs) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C−1.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.


A condutividade elétrica do material de construção do dispositivo em questão é maior que 2×10m)−1.
Alternativas
Respostas
281: D
282: A
283: A
284: C
285: C
286: E
287: C
288: E
289: C
290: E
291: C
292: E
293: E
294: E
295: E
296: C
297: E
298: C
299: C
300: E