Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.

Quando um fotorresiste negativo é aplicado no processo de fabricação, as regiões expostas são removidas e as regiões não expostas permanecem; no caso do fotorresistente positivo, as regiões expostas permanecem e as regiões não expostas são removidas.

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.

Fotolitografia é o processo que, para escrever em um material, utiliza luz ultravioleta, máscaras em escala nanométrica de diferentes materiais e polímeros resistentes a produtos químicos e sensíveis à luz, chamados de fotorresistes. 

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.

Na litografia ultravioleta extrema (EUVL), são emitidos, no substrato, feixes intensos de luz ultravioleta com comprimentos de ondas maiores e sem o emprego de máscaras, enquanto na litografia por feixe de elétrons (EBL), há o escaneamento de feixes de elétrons em máscaras reflexivas.

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.

A litografia por feixe de elétrons apresenta melhor resolução do que os processos clássicos de fotolitografia, por não ter limitações de difração óptica.

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Em tecnologia CMOS, dispositivos NMOS são fabricados em um substrato tipo n, ao passo que dispositivos PMOS são fabricados envolvidos em um poço tipo p.

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Em um transistor do tipo NMOS, à medida que aumenta a tensão elétrica na porta do dispositivo, ocorre o afastamento das cargas positivas, criando, assim, uma região de depleção no substrato, consequentemente, nessa região haverá um fluxo de corrente elétrica resultante do deslocamento de íons negativos da fonte para o dreno do dispositivo.

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Para que um transistor NMOS entre na região de saturação, é necessário que a tensão porta-dreno seja menor que o valor da tensão de limiar do dispositivo.

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.

A mobilidade de portadores em materiais semicondutores depende da intensidade do campo aplicado nos terminais do dispositivo, ou seja, quanto maior a intensidade do campo elétrico, menor será a mobilidade das cargas portadoras.

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.

Os semicondutores do tipo silício puro são classificados como materiais de baixa resistividade e, portanto, excelentes condutores de corrente elétrica; por isso, formam a base da indústria de circuitos microeletrônicos.

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.

A energia da banda proibida é o valor mínimo de energia necessário para liberar um elétron de sua ligação covalente.

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.

Na ausência de um campo elétrico, os portadores de carga se movem da região de maior concentração para a região de menor concentração; esse movimento define uma corrente elétrica denominada corrente de difusão.

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.

Uma junção p-n entra em equilíbrio quando o campo elétrico da região de depleção atinge um valor nulo e interrompe as correntes de deriva, ou seja, no equilíbrio, as correntes de deriva criadas pelo campo elétrico são canceladas, resultando na junção somente as correntes de difusão, criadas pelos gradientes de concentração.