Questões de Concurso
Comentadas sobre eletrônica analógica em eletrônica
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Com relação à polarização do transistor, analise as seguintes alternativas:
I. A polarização direta no diodo emissor controla o número de elétrons livres injetados na base. Quanto maior VBE, maior o número de elétrons injetados.
II. A polarização reversa no diodo coletor tem muita influência no número de elétrons que entram no coletor. Aumentando-se VCB tornase menos inclinada a barreira de energia do coletor.
III. A tensão de ruptura não depende da largura da camada de depleção e dos níveis de dopagem.
IV. Aumentando-se VCB a polarização reversa do diodo coletor aumenta a largura do canal p, o que equivale a uma diminuição na resistência de espalhamento da base.
A seqüência correta é:
Em um diodo típico de silício, em estado de condução, não há queda de tensão entre seus terminais.
Para determinado referencial de circuito, se o potencial no catodo é superior ao potencial no anodo, então o dispositivo está reversamente ou inversamente polarizado.
Em um diodo típico para aplicações de retificação, a presença de corrente convencional atravessando o dispositivo, fluindo do anodo para o catodo, é indicação de que o diodo apresenta algum defeito.
Com relação a transistores de efeito de campo é correto afirmar que
I. O seguidor de fonte proporciona um ganho de tensão menor do que a unidade, mas sua característica de resistência de saída é baixa.
II. O ganho de tensão do amplificador CMOS básico é aproximadamente de (gmro/2).
III. A porta de transmissão CMOS é amplamente usada no chaveamento de sinais analógicos.
Qual(is) está (ão) correta(s)?
O fato de o produto ganho × banda passante de um AO ser finito faz que haja limitação na banda passante de amplificadores que utilizam AOs em sua construção.
A impedância de saída de um AO deve ser grande o suficiente, de forma que o dispositivo possa operar como uma fonte de corrente.