Questões de Eletrônica - Diodos, transistores e outros componentes de potência para Concurso

Q4218529

Ano: 2026 Banca: FGV Órgão: NAV Brasil Prova: FGV - 2026 - NAV Brasil - Técnico em Infraestrutura e Manutenção - Eletrônica |

Q4218529 Eletrônica

Um técnico analisa um circuito utilizado para controlar a potência entregue a uma lâmpada alimentada por corrente alternada em um sistema de automação predial.
O circuito emprega um TRIAC, cujo disparo é comandado por um sinal aplicado ao terminal de gate em diferentes instantes de cada semiciclo da rede.
Nesse tipo de aplicação, o TRIAC é adequado porque

A

permite controlar a potência entregue à lâmpada nos dois semiciclos da tensão alternada, pois pode conduzir corrente em ambos os sentidos após o disparo pelo gate.

B

permite controlar a potência entregue à lâmpada somente no semiciclo positivo da rede, pois bloqueia permanentemente a corrente no semiciclo negativo.

C

mantém a lâmpada com potência constante durante todo o ciclo da rede, pois regula linearmente a tensão eficaz aplicada à carga.

D

aumenta a frequência da tensão aplicada à lâmpada, reduzindo a cintilação sem alterar o valor eficaz da tensão na carga.

E

interrompe automaticamente a corrente da lâmpada antes da passagem por zero, dispensando o sincronismo do circuito de disparo com a rede.

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Q4185506

Ano: 2026 Banca: DEPSEC Órgão: UNIFAP Prova: DEPSEC - 2026 - UNIFAP - Engenheiro Eletricista |

Q4185506 Eletrônica

Uma equipe da Engenharia Elétrica está desenvolvendo um conversor CC-CC e discute qual dispositivo semicondutor utilizar entre BJT, MOSFET e IGBT. Um dos engenheiros explica que esses dispositivos possuem características distintas. Nesse contexto, é CORRETO afirmar que:

A

O transistor BJT é um dispositivo controlado por corrente, enquanto o MOSFET possui controle por tensão e elevada impedância de entrada.

B

O MOSFET é controlado por corrente elétrica no terminal gate, apresentando comportamento semelhante ao BJT.

C

O IGBT não é utilizado em eletrônica de potência, pois suporta apenas pequenas correntes e baixas tensões.

D

O BJT, o MOSFET e o IGBT possuem exatamente o mesmo princípio de acionamento e desempenho em frequência.

E

O MOSFET é sempre inferior ao BJT em velocidade de chaveamento, sendo raramente utilizado em conversores eletrônicos.

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Q4185505

Ano: 2026 Banca: DEPSEC Órgão: UNIFAP Prova: DEPSEC - 2026 - UNIFAP - Engenheiro Eletricista |

Q4185505 Eletrônica

Durante o projeto de um inversor de frequência para acionamento de motores elétricos no laboratório de eletrônica de potência, um aluno analisou o uso de dispositivos semicondutores de chaveamento. Inicialmente, considerou a utilização de um MOSFET para aplicações em alta frequência, mas também avaliou o uso de um IGBT para operação em níveis mais elevados de tensão e potência.

Com base nas características dos dispositivos MOSFET e IGBT, é CORRETO afirmar que:

A

O MOSFET apresenta baixíssima impedância de entrada e é controlado por corrente, enquanto o IGBT é controlado exclusivamente por tensão.

B

O IGBT combina características do MOSFET e do BJT, sendo geralmente empregado em aplicações de média e alta potência, enquanto o MOSFET é amplamente utilizado em chaveamentos de alta frequência.

C

O MOSFET é recomendado exclusivamente para aplicações em baixa tensão contínua, não podendo operar em circuitos de chaveamento.

D

O IGBT possui velocidade de chaveamento superior à do MOSFET, sendo sempre preferido em frequências muito elevadas.

E

Tanto o MOSFET quanto o IGBT operam obrigatoriamente em saturação contínua, não sendo adequados para aplicações de chaveamento eletrônico.

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Q4090268

Ano: 2026 Banca: INSTITUTO AOCP Órgão: IF-CE Prova: INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |

Q4090268 Eletrônica

Em conversores chaveados de alta frequência, o diodo utilizado deve apresentar

A

alta corrente de fuga.

B

alta capacitância reversa.

C

alto tempo de recuperação reversa.

D

baixo tempo de recuperação reversa.

E

alta tensão direta.

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Q4090267

Ano: 2026 Banca: INSTITUTO AOCP Órgão: IF-CE Prova: INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |

Q4090267 Eletrônica

O IGBT combina características estruturais de dois dispositivos semicondutores. Ele é estruturalmente equivalente à combinação de

A

MOSFET + SCR.

B

MOSFET + DIAC.

C

BJT + Diodo.

D

SCR + TRIAC.

E

MOSFET + BJT.

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Q4090266

Ano: 2026 Banca: INSTITUTO AOCP Órgão: IF-CE Prova: INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |

Q4090266 Eletrônica

Em aplicações de eletrônica de potência, o MOSFET é amplamente utilizado como chave estática de alta eficiência. Considerando seu comportamento estático, o MOSFET de potência opera como uma chave de baixa resistência quando está na região

A

de corte.

B

de ruptura.

C

ôhmica (triodo).

D

de avalanche.

E

de saturação.

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Q4090260

Ano: 2026 Banca: INSTITUTO AOCP Órgão: IF-CE Prova: INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |

Q4090260 Eletrônica

Após disparo de um SCR, ele permanece conduzindo até que

A

a tensão de gate seja zero.

B

o gate negativo seja aplicado.

C

a tensão seja alternada.

D

a corrente de ânodo seja inferior à corrente de manutenção.

E

a frequência aumente.

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Q4090257

Ano: 2026 Banca: INSTITUTO AOCP Órgão: IF-CE Prova: INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |

Q4090257 Eletrônica

O IGBT é amplamente utilizado em aplicações de média e alta potência devido à sua baixa perda em condução e facilidade de acionamento. Entretanto, comparado ao MOSFET, o IGBT apresenta

A

maior velocidade de comutação.

B

ausência de corrente de cauda.

C

presença de corrente de cauda no desligamento.

D

operação puramente capacitiva.

E

ganho infinito.

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Q4027614

Ano: 2026 Banca: FUNDATEC Órgão: IFC-SC Prova: FUNDATEC - 2026 - IFC-SC - Técnico de Laboratório: Automação |

Q4027614 Eletrônica

Em módulos de saída de CLP, digitais controlam estados on/off (ex.: contatores, solenoides) via transistor/relé/triac; analógicas geram sinais contínuos (0-10 V, 4-20 mA) para inversores/válvulas. Qual alternativa abaixo descreve corretamente sua aplicação?

A

Saídas digitais a transistor são preferidas para cargas CA de alta potência; triac para CC com alta comutação.

B

Saídas analógicas 0-10 V superam 4-20 mA em imunidade a ruído, mesmo em longas distâncias.

C

Módulos de saída digital a relé são indicados só para CC, não para CA devido a desgaste.

D

Saídas analógicas 4-20 mA são vantajosas em distâncias longas e ruído; digitais especificadas por carga e tecnologia.

E

Toda saída digital aciona qualquer carga de campo se o programa lógico estiver correto.

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Q3981890

Ano: 2026 Banca: SELECON Órgão: EMGEPRON Prova: SELECON - 2026 - EMGEPRON - Técnico em Eletrônica |

Q3981890 Eletrônica

A retificação de corrente alternada é, usualmente, feita com o uso de:

A

junções PN

B

pontes de Wheatstone

C

arranjos capacitivos em série

D

arranjos indutivos em paralelo

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Q3454586

Ano: 2025 Banca: FAU Órgão: Prefeitura de Céu Azul - PR Prova: FAU - 2025 - Prefeitura de Céu Azul - PR - Médico Veterinário |

Q3454586 Veterinária

Qual dos seguintes fatores é mais crítico a ser considerado durante a elaboração de um programa de imunização eficaz para animais de companhia, visando a proteção individual e a saúde pública?

A

A avaliação individual do risco de exposição do animal a diferentes patógenos, considerando sua idade, estilo de vida, localização geográfica e histórico vacinal.

B

A preferência do tutor em relação à marca da vacina disponível no mercado.

C

A disponibilidade imediata de todas as vacinas polivalentes em uma única aplicação.

D

A aplicação de reforços anuais de todas as vacinas, independentemente do tipo de vacina e das diretrizes mais recentes.

E

O custo total do programa de vacinação, priorizando as opções mais econômicas, mesmo que com menor cobertura de proteção.

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Q3449174

Ano: 2025 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: CAESB-DF Prova: CESPE / CEBRASPE - 2025 - CAESB-DF - Técnico de Sistemas de Saneamento - Especialidade: Técnico Eletrônico |

Q3449174 Eletrônica

Assinale a opção correta, no que diz respeito aos motores de indução trifásicos.

A

O termo potência convertida corresponde exatamente à potência entregue no eixo mecânico do motor para a carga.

B

A potência de entreferro é obtida após retirar as perdas no cobre do estator, as perdas no núcleo e as perdas no cobre do rotor.

C

O aumento do valor da resistência equivalente conectada no rotor dos motores de rotor bobinado permite aumentar o torque máximo, na curva rotação versus torque induzido.

D

A frequência da tensão induzida no rotor no momento inicial da partida é igual à frequência da rede na qual a máquina está conectada.

E

Próximo do ponto de operação nominal do motor, quanto maior for o torque induzido, menor será o escorregamento.

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Q3225201

Ano: 2024 Banca: VUNESP Órgão: UNIFESP Prova: VUNESP - 2024 - UNIFESP - Tecnólogo | Tecnólogo em Eletrônica |

Q3225201 Eletrônica

Uma instalação elétrica industrial é alimentada pela rede primária de distribuição, em 13,8 kV. O transformador principal da instalação tem potência nominal de 750 kVA. Nessa configuração, pode-se afirmar que a proteção geral em média tensão da instalação é realizada por

A

religador automático associado a relé de proteção.

B

chave seccionadora sob carga.

C

fusíveis HH.

D

disjuntor de média tensão associado a relé de proteção.

E

chave seccionadora associada a relé de proteção.

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Q3012496

Ano: 2024 Banca: FADURPE Órgão: UFRPE Prova: FADURPE - 2024 - UFRPE - Técnico de Laboratório/Área Eletrônica/Eletrotécnica |

Q3012496 Eletrônica

Quanto aos transistores, assinale a alternativa incorreta.

A

O transistor de efeito campo tem como principal característica uma elevada impedância de entrada.

B

O CMOS tem baixa impedância de entrada e baixa imunidade a ruído.

C

O MOSFET é composto por terminais de fonte, porta e dreno.

D

Uma aplicação típica do MOSFET-E é em circuitos de chaveamento.

E

O Transistor de Efeito de Campo tem três terminais que usam um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente.

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Q3012491

Ano: 2024 Banca: FADURPE Órgão: UFRPE Prova: FADURPE - 2024 - UFRPE - Técnico de Laboratório/Área Eletrônica/Eletrotécnica |

Q3012491 Eletrônica

Quanto aos transistores, assinale a afirmativa correta entre as alternativas a seguir.

A

Os transistores de efeito de campo (FET) são formados por duas camadas semicondutoras.

B

Os transistores bipolares de junção (TBJ) são dispositivos controlados por tensão.

C

Os transistores de efeito campo (FET) apresentam alta impedância de entrada.

D

Há três tipos disponíveis de MOSFETs: de depleção, de polarização reversa e de polarização direta.

E

Um MOSFET tem resistência de entrada típica da ordem de centenas de Ohms, inferior à resistência de um JFET, que é da ordem de megaohms.

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Q2515761

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Integração entre Sensores, Coletores e Transmissores de Dados e Manutenção de Equipamentos e Sistemas Elétricos/Eletrônicos |

Q2515761 Eletrônica

O diodo é o mais simples dos dispositivos semicondutores, contudo desempenha um importante papel em sistemas eletrônicos. A compreensão da física que governa o comportamento deste dispositivo permite o desenvolvimento de modelos para uso em projetos e análise de circuitos eletrônicos.
Com base nisso, analise os itens a seguir.
I. Quando a junção PN de um diodo é polarizada de forma reversa ainda assim existe uma corrente que flui através do dispositivo, chamada corrente de saturação reversa.
II. Diodos emissores de luz (LEDs) geram luz pela descarga de elétrons com alto nível de energia que colidem com uma camada de fósforo excitando seus átomos, que por sua vez emitem fótons no espectro visível quando retornam a níveis energéticos menores.
III. O diodo Zener pode ser modelado como uma fonte de corrente em série com uma resistência dinâmica, que varia com a tensão aplicada e temperatura do dispositivo.
Está correto o que se apresenta em:

A

I, apenas.

B

I e II, apenas.

C

I e III, apenas.

D

II e III, apenas.

E

I, II e III.

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Q2514385

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica |

Q2514385 Eletrônica

A frequência de chaveamento é um parâmetro importante no projeto de conversores CC-CC.
Sobre a frequência de chaveamento em conversores CC-CC analise as afirmativas a seguir.

I. Ao aumentar a frequência de chaveamento é possível reduzir os valores e, consequentemente, o tamanho dos capacitores e indutores utilizados nos conversores CC-CC.
II. Ao reduzir a frequência de chaveamento aumentam-se as perdas decorrentes do chaveamento nas chaves digitais (TBJ, MOSFET, ...).
III. Conversores CC-CC que utilizam transistores como elementos de chaveamento usam, tipicamente, frequências de chaveamento de 1 GHz a 5 GHz.

Está correto o que se afirma em

A

I, apenas.

B

II, apenas.

C

III, apenas.

D

I e III, apenas.

E

I, II e III.

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Q2514382

Ano: 2024 Banca: FGV Órgão: INPE Prova: FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica |

Q2514382 Eletrônica

Um conversor CC-CC do tipo boost, com apenas um estágio de conversão, utilizando frequência de chaveamento de 25kHz alimenta uma carga com tensão média de 15 Volts e corrente média de 0,7 Ampéres. Por critérios de projeto é desejado que o ciclo de trabalho (duty cycle) do conversor seja limitado entre 0,2 e 0,5 e que a corrente média em regime permanente da fonte seja limitada a, no máximo, 1A.
Desconsiderando as perdas, os valores mínimo e máximo da faixa de tensão, em Volts, que a fonte que alimenta o conversor pode assumir de forma que os critérios estabelecidos sejam respeitados, são

A

5 e 7,5.

B

7,5 e 10.

C

7,5 e 12.

D

10,5 e 12.

E

10,5 e 15.

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Q2480661

Ano: 2024 Banca: SELECON Órgão: SAD-MS Prova: SELECON - 2024 - SAD-MS - Engenheiro Clínico |

Q2480661 Eletrônica

Um circuito é composto por um SCR em série com uma carga puramente resistiva, alimentados por uma fonte de 25V em corrente contínua. A folha de dados deste SCR mostra que V_GT=1,5V, V_TM=1V, I_GT=10mA e I_H=20mA. Seu gatilho recebe um pulso de corrente de 10mA. Para que o SCR continue conduzindo, mesmo após cessar o pulso de corrente em seu gatilho, a carga resistiva deve apresentar uma resistência elétrica de:

A

0,6 kΩ

B

1,2kΩ

C

2,4kΩ

D

3,6kΩ

E

4,8kΩ

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Q2383400

Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: ITAIPU BINACIONAL Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - ITAIPU BINACIONAL - Profissional de Nível Universitário Júnior - Função: Engenheiro Eletricista |

Q2383400 Eletrônica

Em relação à eletrônica de potência, assinale a opção correta.

A

A transmissão de energia elétrica em corrente contínua é uma das aplicações da eletrônica de potência.

B

A retificação nada mais é que a conversão CC-CA.

C

Tiristor é a denominação técnica correta para transistor de potência.

D

A conversão denominada inversão não é aplicável à eletrônica de potência.

E

Uma das limitações da eletrônica de potência é a viabilidade de utilização da filtragem de corrente alternada apenas na saída dos retificadores.

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Questões de Concurso Comentadas sobre diodos, transistores e outros componentes de potência em eletrônica

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