Questões de Concurso
Comentadas sobre transistor em eletroeletrônica
Foram encontradas 13 questões
Ano: 2024
Banca:
IV - UFG
Órgão:
Prefeitura de Rio Branco - AC
Prova:
IV - UFG - 2024 - Prefeitura de Rio Branco - AC - Engenheiro de Telecomunicações |
Q3036033
Eletroeletrônica
A invenção dos transistores revolucionou a indústria da
eletrônica para a computação. Ao substituir as válvulas, os
transistores permitiram que dispositivos eletrônicos fossem
reduzidos drasticamente de tamanho. Dentre as funções
dos transistores em circuitos está a amplificação de sinal.
Em um circuito transistorizado como amplificador de sinais,
assumindo-o bem projetado para aplicações modernas, o
valor do ganho variará de maneira significativa em função
do(a)
Ano: 2024
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
IF-SC
Prova:
FUNDATEC - 2024 - IF-SC - Técnico de Laboratório – Área: Eletroeletrônica |
Q3021376
Eletroeletrônica
O regulador de tensão com transistor e diodo Zener utiliza um transistor como
____________________, enquanto o diodo Zener atua como _____________________. O Zener
_____________________________________, e a tensão é utilizada para polarizar a base do
transistor, ______________________________, mantendo a tensão de saída estável.
Assinale a alternativa que preenche, correta e respectivamente, as lacunas do trecho acima.
Assinale a alternativa que preenche, correta e respectivamente, as lacunas do trecho acima.
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Radares de Abertura Sintética |
Q2523762
Eletroeletrônica
A função ambiguidade é uma importante ferramenta para analisar o
desempenho de diferentes formas de onda utilizada em radares. É
uma transformação bilinear que permite a análise no domínio
tempo-frequência de sinais não-estacionários no domínio do tempo.
Com relação à função ambiguidade, analise as afirmativas a seguir.
I. A função ambiguidade é uma função linear.
II. O máximo da função ambiguidade sempre ocorre quando a frequência Doppler é nula e na posição real do alvo.
III. A função ambiguidade é par.
Está correto o que se afirma em
I. A função ambiguidade é uma função linear.
II. O máximo da função ambiguidade sempre ocorre quando a frequência Doppler é nula e na posição real do alvo.
III. A função ambiguidade é par.
Está correto o que se afirma em
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
LNA
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - LNA - Tecnologista – Especialidade: Sistemas de Controle com Foco em Eletrônica, Automação e Programação de Instrumentação Científica |
Q2478692
Eletroeletrônica
Assinale a opção correta, acerca da configuração dos transistores.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
LNA
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - LNA - Tecnologista – Especialidade: Sistemas de Controle com Foco em Eletrônica, Automação e Programação de Instrumentação Científica |
Q2478690
Eletroeletrônica
No que diz respeito ao funcionamento e à polarização de
transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
I O transistor estará conduzindo corrente na sua capacidade plena quando estiver na região de saturação, onde grandes variações na corrente de coletor acontecem com pequenas variações de tensão de coletor-emissor.
II A região de corte está associada a uma corrente de coletor muito baixa.
III A realimentação da tensão de coletor para a base pode ser utilizada para obter uma polarização mais estável em relação ao ganho, também denominada de autopolarização.
Assinale a opção correta.
I O transistor estará conduzindo corrente na sua capacidade plena quando estiver na região de saturação, onde grandes variações na corrente de coletor acontecem com pequenas variações de tensão de coletor-emissor.
II A região de corte está associada a uma corrente de coletor muito baixa.
III A realimentação da tensão de coletor para a base pode ser utilizada para obter uma polarização mais estável em relação ao ganho, também denominada de autopolarização.
Assinale a opção correta.
Q1000409
Eletroeletrônica
Para as curvas características de transistores, a respeito do Efeito Early podemos afirmar que
Q981791
Eletroeletrônica
Analise as afirmativas sobre os transistores bipolares, marcando (V) para verdadeiro e (F) para falso.
( ) A operação do transistor NPN é análoga à do PNP, porém com os papeis desempenhados pelos elétrons e lacunas trocados.
( ) A camada que corresponde à base, num transistor bipolar, deve ser fortemente dopada para que os portadores minoritários apareçam em número reduzido.
( ) A região ativa de operação de um transistor bipolar é caracterizada pela existência de duas junções diretamente polarizadas.
( ) Um transistor bipolar fortemente saturado deverá ser mais facilmente comutado para o corte que um outro fracamente saturado.
( ) O fator de amplificação, para a configuração emissor comum é representado pelo símbolo β (BETA), sendo dado por β = Ic / Ib , com valor sempre maior que 1.
A sequência correta é:
Ano: 2017
Banca:
FUNDEP (Gestão de Concursos)
Órgão:
UFVJM-MG
Prova:
FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2017 - UFVJM-MG - Técnico de Laboratório/Eletreletrônica |
Q810804
Eletroeletrônica
Analise as afirmativas a seguir relativas ao emprego de
tiristores em eletrônica de potência.
I. Comutação natural e comutação forçada são dois
métodos de disparo de SCRs.
II. Os SCRs podem ser disparados por sobretensão,
taxa de crescimento da tensão direta elevada e
elevação acentuada da temperatura, embora
estas formas devam ser evitadas.
III. O método de disparo de SCRs por pulso de
gatilho é o preferencial, por permitir maior
controlabilidade.
IV. O IGBT apresenta as vantagens de comando por
corrente e alta queda de tensão VCE em condução.
Estão corretas as afirmativas:
Ano: 2017
Banca:
FUNDEP (Gestão de Concursos)
Órgão:
UFVJM-MG
Prova:
FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2017 - UFVJM-MG - Técnico de Laboratório/Eletreletrônica |
Q810801
Eletroeletrônica
São características típicas de um transistor bipolar
operando como chave eletrônica em saturação,
EXCETO:
Ano: 2016
Banca:
IF-PE
Órgão:
IF-PE
Prova:
IF-PE - 2016 - IF-PE - Técnico de Laboratório - Eletroeletrônica |
Q758578
Eletroeletrônica
Sobre os transistores, pode-se afirmar que
I. um transistor tem três regiões dopadas: um emissor, uma base e um coletor. Existe uma
região pn entre a base e o emissor. Essa parte do transistor é chamada de diodo emissor e a
junção entre a base e o coletor é chamada de diodo coletor.
II. o gráfico da corrente da base versus tensão base-emissor tem a mesma aparência do gráfico
de um diodo comum.
III. a definição do ganho de corrente é dada por ßcc = Ic / Ib .
IV. para uma operação normal, polariza-se o diodo emissor inversamente e o diodo coletor
reversamente. Sob essas condições, o emissor injeta elétrons livres na base. A maioria
desses elétrons livres passa do coletor para a base.
V. na zona de corte o transistor equivale a um interruptor aberto quando no coletor a corrente
não é nula.
Está(ão) CORRETO(S) apenas
Ano: 2014
Banca:
IF-SC
Órgão:
IF-SC
Prova:
IF-SC - 2014 - IF-SC - Técnico de Laboratório - Eletroeletrônica |
Q452622
Eletroeletrônica
Um transistor NPN está ligado em configuração emissor comum. A base do transistor está conectada diretamente a uma fonte de tensão VB . O coletor está conectado a uma fonte de tensão Vc através de um resistor de coletor. O emissor está conectado a um resistor de emissor que, por sua vez, está conectado ao terra comum do circuito. Com base na configuração apresentada para o transistor NPN, julgue as asserções a seguir.
“O circuito é caracterizado como fonte de corrente
PORQUE
há uma fonte de tensão alimentando a base do transistor.”
Assinale a alternativa CORRETA.
“O circuito é caracterizado como fonte de corrente
PORQUE
há uma fonte de tensão alimentando a base do transistor.”
Assinale a alternativa CORRETA.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2010 - ABIN - Agente Técnico de Inteligência – Área de Eletrônica |
Q184165
Eletroeletrônica
Texto associado
Com relação às tecnologias de microeletrônica utilizadas na
implementação de sistemas digitais, julgue os itens que se seguem.
implementação de sistemas digitais, julgue os itens que se seguem.
Os dispositivos TTL padrão são fabricados com uma tecnologia que utiliza transistores bipolares em conjunto com transistores do tipo MOS; por isso, é desnecessário o uso de resistores nesse tipo de porta lógica.
Ano: 2005
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TRE-GO
Prova:
CESPE - 2005 - TRE-GO - Técnico Judiciário - Telecomunicações e Eletricidade |
Q411639
Eletroeletrônica
O dispositivo denominado UJT
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