Questões de Concurso
Comentadas sobre eletrônica analógica em eletroeletrônica em eletroeletrônica
Foram encontradas 46 questões
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Radares de Abertura Sintética |
Q2523762
Eletroeletrônica
A função ambiguidade é uma importante ferramenta para analisar o
desempenho de diferentes formas de onda utilizada em radares. É
uma transformação bilinear que permite a análise no domínio
tempo-frequência de sinais não-estacionários no domínio do tempo.
Com relação à função ambiguidade, analise as afirmativas a seguir.
I. A função ambiguidade é uma função linear.
II. O máximo da função ambiguidade sempre ocorre quando a frequência Doppler é nula e na posição real do alvo.
III. A função ambiguidade é par.
Está correto o que se afirma em
I. A função ambiguidade é uma função linear.
II. O máximo da função ambiguidade sempre ocorre quando a frequência Doppler é nula e na posição real do alvo.
III. A função ambiguidade é par.
Está correto o que se afirma em
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Radares de Abertura Sintética |
Q2523760
Eletroeletrônica
Idealmente, o diagrama de ambiguidade de uma forma de onda
baseada em ruído branco possui o formato de “uma tachinha”; um
platô retangular com um único pico ao centro. Isto ocorre pois o
ruído branco é um sinal aleatório. Consequentemente, a precisão
nas medidas de retardo e frequência são independentes e
determinadas, respectivamente, a partir da largura de banda e da
duração do pulso.
O código de Costas, uma forma de onda que busca replicar o diagrama de ambiguidade descrito acima, consiste em
O código de Costas, uma forma de onda que busca replicar o diagrama de ambiguidade descrito acima, consiste em
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Radares de Abertura Sintética |
Q2523758
Eletroeletrônica
Radares embarcados em plataformas espaciais podem ser utilizados
para realizar uma fotografia bidimensional da superfície terrestre a
partir do processamento do sinal retroespalhado.
Assinale a opção que indica o radar mais utilizado, pois obtém uma excelente resolução sem a necessidade de antenas grandes.
Assinale a opção que indica o radar mais utilizado, pois obtém uma excelente resolução sem a necessidade de antenas grandes.
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Radares de Abertura Sintética |
Q2523756
Eletroeletrônica
A relação sinal-ruído na entrada e na saída da cadeia de recepção de
um radar é igual a 15 dB e 13 dB, respectivamente.
A figura de ruído da cadeia de recepção do referido radar, em dB, é igual a
A figura de ruído da cadeia de recepção do referido radar, em dB, é igual a
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Integração entre Sensores, Coletores e Transmissores de Dados e Manutenção de Equipamentos e Sistemas Elétricos/Eletrônicos |
Q2515765
Eletroeletrônica
As antenas podem ser analisadas como um elemento do circuito.
Nesse sentido, sua largura de banda pode ser medida pelo
coeficiente de onda estacionária VSWR (do inglês, Voltage Standing
Wave Ratio), que está relacionado ao percentual da onda que é
refletido na entrada da antena, quando ela é considerada uma carga.
Sabendo disso, assinale o valor de VSWR que representa uma menor reflexão na porta de entrada da carga.
Sabendo disso, assinale o valor de VSWR que representa uma menor reflexão na porta de entrada da carga.
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Integração entre Sensores, Coletores e Transmissores de Dados e Manutenção de Equipamentos e Sistemas Elétricos/Eletrônicos |
Q2515764
Eletroeletrônica
Em sistemas embarcados, muitas vezes, para a transmissão e
recepção dos dados, são usadas antenas planares, ou de microfita,
por conta de diversas características interessantes para
equipamentos móveis.
Entre as características das antenas planares, ou de microfita, é correto citar:
Entre as características das antenas planares, ou de microfita, é correto citar:
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Integração entre Sensores, Coletores e Transmissores de Dados e Manutenção de Equipamentos e Sistemas Elétricos/Eletrônicos |
Q2515763
Eletroeletrônica
Em sistemas de comunicação móveis, geralmente é adotado um nó
concentrador, que é responsável por encaminhar os dados de sua
área de atendimento. Os sistemas desse tipo são classificados como
ponto-área e necessitam de antenas com determinadas
características.
Desconsiderando-se os conjuntos de antenas, que exigem projetos mais complexos, dos tipos de antenas apresentados a seguir, a antena fisicamente realizável que melhor se adequa aos sistemas ponto-área é:
Desconsiderando-se os conjuntos de antenas, que exigem projetos mais complexos, dos tipos de antenas apresentados a seguir, a antena fisicamente realizável que melhor se adequa aos sistemas ponto-área é:
Q2480662
Eletroeletrônica
Um amplificador operacional, operando como amplificador
inversor, apresenta, ligado à sua entrada inversora, uma fonte
de 5V (em corrente contínua) em série, com um resistor de 2kΩ
e, em sua entrada não-inversora, o terra do circuito. Para que a
tensão de saída seja -15V, o resistor de realimentação deve ter o
valor de:
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
LNA
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - LNA - Tecnologista – Especialidade: Sistemas de Controle com Foco em Eletrônica, Automação e Programação de Instrumentação Científica |
Q2478692
Eletroeletrônica
Assinale a opção correta, acerca da configuração dos transistores.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
LNA
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - LNA - Tecnologista – Especialidade: Sistemas de Controle com Foco em Eletrônica, Automação e Programação de Instrumentação Científica |
Q2478690
Eletroeletrônica
No que diz respeito ao funcionamento e à polarização de
transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
I O transistor estará conduzindo corrente na sua capacidade plena quando estiver na região de saturação, onde grandes variações na corrente de coletor acontecem com pequenas variações de tensão de coletor-emissor.
II A região de corte está associada a uma corrente de coletor muito baixa.
III A realimentação da tensão de coletor para a base pode ser utilizada para obter uma polarização mais estável em relação ao ganho, também denominada de autopolarização.
Assinale a opção correta.
I O transistor estará conduzindo corrente na sua capacidade plena quando estiver na região de saturação, onde grandes variações na corrente de coletor acontecem com pequenas variações de tensão de coletor-emissor.
II A região de corte está associada a uma corrente de coletor muito baixa.
III A realimentação da tensão de coletor para a base pode ser utilizada para obter uma polarização mais estável em relação ao ganho, também denominada de autopolarização.
Assinale a opção correta.
Ano: 2023
Banca:
UFES
Órgão:
UFES
Prova:
UFES - 2023 - UFES - Técnico de laboratório/Área: Industrial (perfil: Elétrica) |
Q2255973
Eletroeletrônica
Sobre componentes passivos, é CORRETO afirmar que,
Ano: 2022
Banca:
Instituto Consulplan
Órgão:
Itaipu Parquetec
Prova:
Instituto Consulplan - 2022 - Itaipu Parquetec - Técnico I - Eletroeletrônica |
Q4051345
Eletroeletrônica
Os dispositivos eletroeletrônicos possuem um conjunto de
componentes que, conectados, constituem circuitos, que conforme suas funções e propriedades, se aplicam nas mais diversas finalidades. Um desses componentes é o diodo. “Diodos são
dispositivos que permitem que a _____________ flua em um
sentido, mas não no outro. Os diodos possuem dois terminais,
denominados anodo e catodo. Quando o ___________ está
conectado a uma tensão positiva com relação ao ___________,
a corrente pode fluir através do diodo. Se a polaridade é
revertida, nenhuma corrente fluirá através do diodo. Os diodos
mais comuns são os de silício e os de germânio. Os de
____________ começam a conduzir com uma tensão aproximada de 0,2 V, enquanto os de _____________ conduzem a
partir de, aproximadamente, 0,6 V.” Assinale a alternativa que
completa correta e sequencialmente a afirmativa anterior.
Ano: 2022
Banca:
Instituto Consulplan
Órgão:
Itaipu Parquetec
Prova:
Instituto Consulplan - 2022 - Itaipu Parquetec - Técnico I - Eletroeletrônica |
Q4051339
Eletroeletrônica
Considerando os semicondutores, destaca-se o transístor
de efeito de campo – FET, cujas propriedades se diferem de
um transistor bipolar. Portanto, quando comparado a um
transistor bipolar, é INCORRETO afirmar que:
Q1000409
Eletroeletrônica
Para as curvas características de transistores, a respeito do Efeito Early podemos afirmar que
Q999549
Eletroeletrônica
Assinale a alternativa que apresenta a
funcionalidade de um diodo zener que se encontra
na saída de um retificador e em paralelo com a carga
elétrica.
Q981791
Eletroeletrônica
Analise as afirmativas sobre os transistores bipolares, marcando (V) para verdadeiro e (F) para falso.
( ) A operação do transistor NPN é análoga à do PNP, porém com os papeis desempenhados pelos elétrons e lacunas trocados.
( ) A camada que corresponde à base, num transistor bipolar, deve ser fortemente dopada para que os portadores minoritários apareçam em número reduzido.
( ) A região ativa de operação de um transistor bipolar é caracterizada pela existência de duas junções diretamente polarizadas.
( ) Um transistor bipolar fortemente saturado deverá ser mais facilmente comutado para o corte que um outro fracamente saturado.
( ) O fator de amplificação, para a configuração emissor comum é representado pelo símbolo β (BETA), sendo dado por β = Ic / Ib , com valor sempre maior que 1.
A sequência correta é:
Ano: 2017
Banca:
FUNDEP (Gestão de Concursos)
Órgão:
UFVJM-MG
Prova:
FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2017 - UFVJM-MG - Técnico de Laboratório/Eletreletrônica |
Q810804
Eletroeletrônica
Analise as afirmativas a seguir relativas ao emprego de
tiristores em eletrônica de potência.
I. Comutação natural e comutação forçada são dois
métodos de disparo de SCRs.
II. Os SCRs podem ser disparados por sobretensão,
taxa de crescimento da tensão direta elevada e
elevação acentuada da temperatura, embora
estas formas devam ser evitadas.
III. O método de disparo de SCRs por pulso de
gatilho é o preferencial, por permitir maior
controlabilidade.
IV. O IGBT apresenta as vantagens de comando por
corrente e alta queda de tensão VCE em condução.
Estão corretas as afirmativas:
Ano: 2017
Banca:
FUNDEP (Gestão de Concursos)
Órgão:
UFVJM-MG
Prova:
FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2017 - UFVJM-MG - Técnico em Eletroeletrônica |
Q805886
Eletroeletrônica
O ângulo de condução dos diodos de um retificador
trifásico de onda completa não controlado com carga
resistiva é igual a:
Ano: 2017
Banca:
FUNDEP (Gestão de Concursos)
Órgão:
UFVJM-MG
Prova:
FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2017 - UFVJM-MG - Técnico em Eletroeletrônica |
Q805885
Eletroeletrônica
São características de um amplificador operacional
ideal, EXCETO:
Ano: 2017
Banca:
IF-PE
Órgão:
IF-PE
Prova:
IF-PE - 2017 - IF-PE - Técnico de laboratório – Eletroeletrônica |
Q771594
Eletroeletrônica
Quanto a amplificadores operacionais, analise as afirmativas abaixo.
I. A alimentação simétrica é dispensável para aplicações inversoras.
II. A alimentação simétrica é dispensável para aplicações não-inversoras.
III. A alimentação simétrica é dispensável para aplicações não-inversoras, apenas para sinais com excursão dentro da polaridade da fonte.
IV. Amplificadores operacionais que usam a faixa completa de tensão (positiva e negativa) da alimentação simétrica são conhecidos como AmpOp Rail-to-Rail.
V. Slew Rate é a taxa máxima de variação da tensão de saída, em resposta à variação do sinal de entrada.
Estão CORRETAS apenas as afirmativas que constam nos itens
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