Questões de Concurso
Comentadas sobre eletrônica analógica em eletroeletrônica em eletroeletrônica
Foram encontradas 41 questões
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Radares de Abertura Sintética |
Q2523756
Eletroeletrônica
A relação sinal-ruído na entrada e na saída da cadeia de recepção de
um radar é igual a 15 dB e 13 dB, respectivamente.
A figura de ruído da cadeia de recepção do referido radar, em dB, é igual a
A figura de ruído da cadeia de recepção do referido radar, em dB, é igual a
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Integração entre Sensores, Coletores e Transmissores de Dados e Manutenção de Equipamentos e Sistemas Elétricos/Eletrônicos |
Q2515765
Eletroeletrônica
As antenas podem ser analisadas como um elemento do circuito.
Nesse sentido, sua largura de banda pode ser medida pelo
coeficiente de onda estacionária VSWR (do inglês, Voltage Standing
Wave Ratio), que está relacionado ao percentual da onda que é
refletido na entrada da antena, quando ela é considerada uma carga.
Sabendo disso, assinale o valor de VSWR que representa uma menor reflexão na porta de entrada da carga.
Sabendo disso, assinale o valor de VSWR que representa uma menor reflexão na porta de entrada da carga.
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Integração entre Sensores, Coletores e Transmissores de Dados e Manutenção de Equipamentos e Sistemas Elétricos/Eletrônicos |
Q2515764
Eletroeletrônica
Em sistemas embarcados, muitas vezes, para a transmissão e
recepção dos dados, são usadas antenas planares, ou de microfita,
por conta de diversas características interessantes para
equipamentos móveis.
Entre as características das antenas planares, ou de microfita, é correto citar:
Entre as características das antenas planares, ou de microfita, é correto citar:
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Integração entre Sensores, Coletores e Transmissores de Dados e Manutenção de Equipamentos e Sistemas Elétricos/Eletrônicos |
Q2515763
Eletroeletrônica
Em sistemas de comunicação móveis, geralmente é adotado um nó
concentrador, que é responsável por encaminhar os dados de sua
área de atendimento. Os sistemas desse tipo são classificados como
ponto-área e necessitam de antenas com determinadas
características.
Desconsiderando-se os conjuntos de antenas, que exigem projetos mais complexos, dos tipos de antenas apresentados a seguir, a antena fisicamente realizável que melhor se adequa aos sistemas ponto-área é:
Desconsiderando-se os conjuntos de antenas, que exigem projetos mais complexos, dos tipos de antenas apresentados a seguir, a antena fisicamente realizável que melhor se adequa aos sistemas ponto-área é:
Q2480662
Eletroeletrônica
Um amplificador operacional, operando como amplificador
inversor, apresenta, ligado à sua entrada inversora, uma fonte
de 5V (em corrente contínua) em série, com um resistor de 2kΩ
e, em sua entrada não-inversora, o terra do circuito. Para que a
tensão de saída seja -15V, o resistor de realimentação deve ter o
valor de:
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
LNA
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - LNA - Tecnologista – Especialidade: Sistemas de Controle com Foco em Eletrônica, Automação e Programação de Instrumentação Científica |
Q2478692
Eletroeletrônica
Assinale a opção correta, acerca da configuração dos transistores.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
LNA
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - LNA - Tecnologista – Especialidade: Sistemas de Controle com Foco em Eletrônica, Automação e Programação de Instrumentação Científica |
Q2478690
Eletroeletrônica
No que diz respeito ao funcionamento e à polarização de
transistores bipolares, julgue os itens a seguir.
I O transistor estará conduzindo corrente na sua capacidade plena quando estiver na região de saturação, onde grandes variações na corrente de coletor acontecem com pequenas variações de tensão de coletor-emissor.
II A região de corte está associada a uma corrente de coletor muito baixa.
III A realimentação da tensão de coletor para a base pode ser utilizada para obter uma polarização mais estável em relação ao ganho, também denominada de autopolarização.
Assinale a opção correta.
I O transistor estará conduzindo corrente na sua capacidade plena quando estiver na região de saturação, onde grandes variações na corrente de coletor acontecem com pequenas variações de tensão de coletor-emissor.
II A região de corte está associada a uma corrente de coletor muito baixa.
III A realimentação da tensão de coletor para a base pode ser utilizada para obter uma polarização mais estável em relação ao ganho, também denominada de autopolarização.
Assinale a opção correta.
Ano: 2023
Banca:
UFES
Órgão:
UFES
Prova:
UFES - 2023 - UFES - Técnico de laboratório/Área: Industrial (perfil: Elétrica) |
Q2255973
Eletroeletrônica
Sobre componentes passivos, é CORRETO afirmar que,
Q1000409
Eletroeletrônica
Para as curvas características de transistores, a respeito do Efeito Early podemos afirmar que
Q999549
Eletroeletrônica
Assinale a alternativa que apresenta a
funcionalidade de um diodo zener que se encontra
na saída de um retificador e em paralelo com a carga
elétrica.
Q981791
Eletroeletrônica
Analise as afirmativas sobre os transistores bipolares, marcando (V) para verdadeiro e (F) para falso.
( ) A operação do transistor NPN é análoga à do PNP, porém com os papeis desempenhados pelos elétrons e lacunas trocados.
( ) A camada que corresponde à base, num transistor bipolar, deve ser fortemente dopada para que os portadores minoritários apareçam em número reduzido.
( ) A região ativa de operação de um transistor bipolar é caracterizada pela existência de duas junções diretamente polarizadas.
( ) Um transistor bipolar fortemente saturado deverá ser mais facilmente comutado para o corte que um outro fracamente saturado.
( ) O fator de amplificação, para a configuração emissor comum é representado pelo símbolo β (BETA), sendo dado por β = Ic / Ib , com valor sempre maior que 1.
A sequência correta é:
Ano: 2017
Banca:
FUNDEP (Gestão de Concursos)
Órgão:
UFVJM-MG
Prova:
FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2017 - UFVJM-MG - Técnico de Laboratório/Eletreletrônica |
Q810804
Eletroeletrônica
Analise as afirmativas a seguir relativas ao emprego de
tiristores em eletrônica de potência.
I. Comutação natural e comutação forçada são dois
métodos de disparo de SCRs.
II. Os SCRs podem ser disparados por sobretensão,
taxa de crescimento da tensão direta elevada e
elevação acentuada da temperatura, embora
estas formas devam ser evitadas.
III. O método de disparo de SCRs por pulso de
gatilho é o preferencial, por permitir maior
controlabilidade.
IV. O IGBT apresenta as vantagens de comando por
corrente e alta queda de tensão VCE em condução.
Estão corretas as afirmativas:
Ano: 2017
Banca:
FUNDEP (Gestão de Concursos)
Órgão:
UFVJM-MG
Prova:
FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2017 - UFVJM-MG - Técnico em Eletroeletrônica |
Q805886
Eletroeletrônica
O ângulo de condução dos diodos de um retificador
trifásico de onda completa não controlado com carga
resistiva é igual a:
Ano: 2017
Banca:
FUNDEP (Gestão de Concursos)
Órgão:
UFVJM-MG
Prova:
FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2017 - UFVJM-MG - Técnico em Eletroeletrônica |
Q805885
Eletroeletrônica
São características de um amplificador operacional
ideal, EXCETO:
Ano: 2017
Banca:
IF-PE
Órgão:
IF-PE
Prova:
IF-PE - 2017 - IF-PE - Técnico de laboratório – Eletroeletrônica |
Q771594
Eletroeletrônica
Quanto a amplificadores operacionais, analise as afirmativas abaixo.
I. A alimentação simétrica é dispensável para aplicações inversoras.
II. A alimentação simétrica é dispensável para aplicações não-inversoras.
III. A alimentação simétrica é dispensável para aplicações não-inversoras, apenas para sinais com excursão dentro da polaridade da fonte.
IV. Amplificadores operacionais que usam a faixa completa de tensão (positiva e negativa) da alimentação simétrica são conhecidos como AmpOp Rail-to-Rail.
V. Slew Rate é a taxa máxima de variação da tensão de saída, em resposta à variação do sinal de entrada.
Estão CORRETAS apenas as afirmativas que constam nos itens
Ano: 2016
Banca:
IF-PE
Órgão:
IF-PE
Prova:
IF-PE - 2016 - IF-PE - Técnico de Laboratório - Eletroeletrônica |
Q758578
Eletroeletrônica
Sobre os transistores, pode-se afirmar que
I. um transistor tem três regiões dopadas: um emissor, uma base e um coletor. Existe uma
região pn entre a base e o emissor. Essa parte do transistor é chamada de diodo emissor e a
junção entre a base e o coletor é chamada de diodo coletor.
II. o gráfico da corrente da base versus tensão base-emissor tem a mesma aparência do gráfico
de um diodo comum.
III. a definição do ganho de corrente é dada por ßcc = Ic / Ib .
IV. para uma operação normal, polariza-se o diodo emissor inversamente e o diodo coletor
reversamente. Sob essas condições, o emissor injeta elétrons livres na base. A maioria
desses elétrons livres passa do coletor para a base.
V. na zona de corte o transistor equivale a um interruptor aberto quando no coletor a corrente
não é nula.
Está(ão) CORRETO(S) apenas
Ano: 2014
Banca:
COSEAC
Órgão:
UFF
Prova:
COSEAC - 2014 - UFF - Técnico em Equipamentos Médico - Odontológicos |
Q514374
Eletroeletrônica
A diferença básica entre as válvulas Klyston e as válvulas comuns (como os triodos), é que:
Ano: 2014
Banca:
IF-SC
Órgão:
IF-SC
Prova:
IF-SC - 2014 - IF-SC - Técnico de Laboratório - Eletroeletrônica |
Q452622
Eletroeletrônica
Um transistor NPN está ligado em configuração emissor comum. A base do transistor está conectada diretamente a uma fonte de tensão VB . O coletor está conectado a uma fonte de tensão Vc através de um resistor de coletor. O emissor está conectado a um resistor de emissor que, por sua vez, está conectado ao terra comum do circuito. Com base na configuração apresentada para o transistor NPN, julgue as asserções a seguir.
“O circuito é caracterizado como fonte de corrente
PORQUE
há uma fonte de tensão alimentando a base do transistor.”
Assinale a alternativa CORRETA.
“O circuito é caracterizado como fonte de corrente
PORQUE
há uma fonte de tensão alimentando a base do transistor.”
Assinale a alternativa CORRETA.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2010 - ABIN - Agente Técnico de Inteligência – Área de Eletrônica |
Q184165
Eletroeletrônica
Texto associado
Com relação às tecnologias de microeletrônica utilizadas na
implementação de sistemas digitais, julgue os itens que se seguem.
implementação de sistemas digitais, julgue os itens que se seguem.
Os dispositivos TTL padrão são fabricados com uma tecnologia que utiliza transistores bipolares em conjunto com transistores do tipo MOS; por isso, é desnecessário o uso de resistores nesse tipo de porta lógica.
Ano: 2005
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TRE-GO
Prova:
CESPE - 2005 - TRE-GO - Técnico Judiciário - Telecomunicações e Eletricidade |
Q411643
Eletroeletrônica
O estudo, o desenvolvimento e as aplicações de dispositivos sensíveis à luz constituem o segmento conhecido como opto-eletrônica. Acerca desses dispositivos, assinale a opção incorreta.
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