Questões de Concurso Público UFMG 2023 para Engeheiro Eletricista

Na junção de uma camada dopada do tipo N com outra do tipo P, é criada a chamada camada de depleção.

Os diodos são formados a partir de cristais de semicondutores.

A introdução de átomos trivalentes em um dos lados do cristal semicondutor caracteriza a dopagem do tipo P.

 A queda de tensão na camada de depleção dá origem à chamada tensão barreira e o diodo somente conduzirá corrente elétrica quando essa tensão não for superada.