Questões TRF - 2ª REGIÃO 2012 para Analista Judiciário - Engenharia Elétrica

Q243343

Ano: 2012 Banca: FCC Órgão: TRF - 2ª REGIÃO Provas: FCC - 2012 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica | FCC - 2012 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia - Eletrônica |

Q243343 Engenharia Eletrônica

Um diodo de silício com especificação Imagem 007.jpg

= 1A @ VFmax = 1,2 V, quando está operando na região de condução, possui resistência de condução aproximadamente

maior que 1,2 Ω.

menor que 0,3 Ω.

entre 0,5 e 0,6 Ω.

entre 0,8 e 1,4 Ω.

entre 0,2 e 0,5 Ω.

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Q243350

Ano: 2012 Banca: FCC Órgão: TRF - 2ª REGIÃO Prova: FCC - 2012 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |

Q243350 Engenharia Eletrônica

Sobre o IGBT, é correto afirmar que é um dispositivo

de elevada impedância, mas de baixa corrente.

de baixíssima impedância de entrada, mas de alta velocidade.

usado em sistemas de comutação de cargas de alta corrente, mas de baixa velocidade.

usado em sistemas de comutação de cargas de alta corrente em alta velocidade.

usado em sistemas de comutação de cargas de baixa corrente, mas de elevada velocidade.

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Questões de Concurso Público TRF - 2ª REGIÃO 2012 para Analista Judiciário - Engenharia Elétrica