Questões de Concurso Público ABIN 2010 para Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica
Foram encontradas 6 questões
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE - 2010 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica |
Q184697
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A figura acima mostra um modelo de circuito para pequenos
sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão
constituído de um transistor bipolar de junção na configuração
emissor-comum. Nesse circuito, considere os seguintes dados:
= 19 × 10-3 S, = 8,0 kΩ e = 70 kΩ.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A figura acima mostra um modelo de circuito para pequenos
sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão
constituído de um transistor bipolar de junção na configuração
emissor-comum. Nesse circuito, considere os seguintes dados:
= 19 × 10-3 S, = 8,0 kΩ e = 70 kΩ.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Para que haja máxima absorção de potência pela carga conectada à saída do circuito amplificador, é necessário que a resistência da carga seja exatamente de 2,5 kΩ.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE - 2010 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica |
Q184698
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A figura acima mostra um modelo de circuito para pequenos
sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão
constituído de um transistor bipolar de junção na configuração
emissor-comum. Nesse circuito, considere os seguintes dados:
= 19 × 10-3 S, = 8,0 kΩ e = 70 kΩ.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A figura acima mostra um modelo de circuito para pequenos
sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão
constituído de um transistor bipolar de junção na configuração
emissor-comum. Nesse circuito, considere os seguintes dados:
= 19 × 10-3 S, = 8,0 kΩ e = 70 kΩ.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A resistência de entrada do circuito amplificador, designada por na figura, corresponde exatamente a 20 kΩ.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE - 2010 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica |
Q184699
Engenharia Eletrônica
Texto associado
A figura acima mostra um modelo de circuito para pequenos
sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão
constituído de um transistor bipolar de junção na configuração
emissor-comum. Nesse circuito, considere os seguintes dados:
= 19 × 10-3 S, = 8,0 kΩ e = 70 kΩ.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
A figura acima mostra um modelo de circuito para pequenos
sinais e baixas frequências de um amplificador de tensão
constituído de um transistor bipolar de junção na configuração
emissor-comum. Nesse circuito, considere os seguintes dados:
= 19 × 10-3 S, = 8,0 kΩ e = 70 kΩ.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
O ganho de tensão do circuito amplificador é aproximadamente igual a 32 . Para alimentação senoidal, os sinais de entrada e saída estão em fase.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE - 2010 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica |
Q184706
Engenharia Eletrônica
Texto associado
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas ) são idênticos e do tipo
enriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída não excederá 0,3 V;
II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas ) são idênticos e do tipo
enriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída não excederá 0,3 V;
II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
Enquanto ambas as entradas estiverem fixadas no nível lógico baixo, é possível que haja dissipação apreciável de potência pelo circuito.
Ano: 2010
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ABIN
Prova:
CESPE - 2010 - ABIN - Oficial Técnico de Inteligência – Área de Engenharia Elétrica |
Q184707
Engenharia Eletrônica
Texto associado
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas ) são idênticos e do tipo
enriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída não excederá 0,3 V;
II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
O circuito acima representa uma porta lógica digital
implementada com a tecnologia NMOS. Os transistores de
chaveamento (com entradas ) são idênticos e do tipo
enriquecimento, mas o transistor de carga é do tipo depleção. As
tensões de limiar dos transistores de chaveamento e carga são 1 V
e !3 V, respectivamente. Para esse circuito, o nível lógico alto (1
digital) é definido como qualquer tensão analógica compreendida
entre 3,5 V e 5 V, e o nível lógico baixo (0 digital) corresponde às
tensões analógicas entre 0 e 1,8 V. Esse circuito apresenta duas
peculiaridades:
I se pelo menos um dos transistores de chaveamento operar com
entrada em 5 V, a tensão de saída não excederá 0,3 V;
II somente com ambas as entradas simultaneamente no nível
lógico baixo, a saída atinge o nível lógico alto.
Com base nessas informações, julgue os itens subsequentes.
O circuito desempenha a função de porta NAND (complemento da porta lógica E) de duas entradas.