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Q890324

Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor , Eletrônica Digital na Engenharia Eletrônica , Álgebra Booleana e Circuitos Lógicos em Engenharia Eletrônica ( assuntos)

Ano: 2018 Banca: INSTITUTO AOCP Órgão: ITEP - RN Prova: INSTITUTO AOCP - 2018 - ITEP - RN - Perito Criminal - Engenharia Elétrica |

Q890324 Engenharia Eletrônica

Com base na Figura 10 e no conhecimento de portas lógicas em eletrônica digital, assinale a alternativa correta.

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Alternativas

A Figura 10 apresenta em (a) o diagrama esquemático de uma porta OR e em (b) o diagrama esquemático de uma porta NOR.

A Figura 10 apresenta em (a) o diagrama esquemático de uma porta NOR e em (b) o diagrama esquemático de uma porta XOR.

A Figura 10 apresenta em (a) o diagrama esquemático de uma porta NAND e em (b) o diagrama esquemático de uma porta NOR.

A Figura 10 apresenta em (a) o diagrama esquemático de uma porta AND e em (b) o diagrama esquemático de uma porta NOR.

A Figura 10 apresenta em (a) o diagrama esquemático de uma porta AND e em (b) o diagrama esquemático de uma porta XOR.

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Q890323

Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,

Ano: 2018 Banca: INSTITUTO AOCP Órgão: ITEP - RN Prova: INSTITUTO AOCP - 2018 - ITEP - RN - Perito Criminal - Engenharia Elétrica |

Q890323 Engenharia Eletrônica

Dado o circuito da Figura 9, assinale a alternativa que apresenta os valores de I b, I_c e v_O, considerando V_BE=0,7 V e β = 50.

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Alternativas

I_b = 45 mA, I_c = 1,5 mA e v_O = 3,5 V.

I_b = 590 µA, I_c = -7,36 mA e v_O = 4,75 V.

I_b = 500 µA, I_c = 635 mA e v_O = 6,25 V.

I_b = 15 mA, I_c = 25 mA e v_O = 2,55 V.

I_b = 165 µA, I_c = 8,25 mA e v_O = 5,175 V.

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Q890322

Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,

Ano: 2018 Banca: INSTITUTO AOCP Órgão: ITEP - RN Prova: INSTITUTO AOCP - 2018 - ITEP - RN - Perito Criminal - Engenharia Elétrica |

Q890322 Engenharia Eletrônica

Assinale a alternativa que apresenta o valor do ganho de tensão V_O/V_S, considerando V_BE = 0,7 V e I_b = 0,07 mA, para o circuito da Figura 8.

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Alternativas

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Q890299

Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica ,

Ano: 2018 Banca: INSTITUTO AOCP Órgão: ITEP - RN Prova: INSTITUTO AOCP - 2018 - ITEP - RN - Perito Criminal - Engenharia Elétrica |

Q890299 Engenharia Eletrônica

O diodo de junção é um dispositivo amplamente utilizado em circuitos analógicos e dispositivos eletrônicos e apresenta características específicas que definem a relação entre a corrente e a tensão. De acordo com as definições de diodos de junção, assinale a alternativa correta, considerando “v” a tensão para a polarização da junção do diodo.

Alternativas

A região de polarização direta de um diodo de junção é onde v<0.

A tensão de ruptura se dá quando o diodo de junção entra na região de saturação e v > - V_ZK.

A região de polarização inversa de um diodo de junção é onde v>0.

Quando um diodo de junção está diretamente polarizado, a relação “i – v” é rigorosamente aproximada por: .

A tensão térmica de um diodo de junção é dada por: .

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