Questões de Concurso Sobre engenharia eletrônica para if-rn
Foram encontradas 20 questões
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Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Observe a figura abaixo que representa um conversor analógico-digital adequado para implementação em tecnologia CMOS, do tipo conversor por distribuição de cargas, 8 bits e com tensão de referência 8 V.
Para o conversor do diagrama esquemático, a máxima tensão de conversão e a palavra digital
correspondente à entrada analógica VA = 3 V são, respectivamente,
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Analise a figura abaixo que projeta um circuito representando o diagrama esquemático de um sensor de temperatura de estado sólido.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Considerando os transistores Q1 e Q2 idênticos (Is1= Is2) com parâmetro de processo n= 1, o valor da
constante de Boltzmann (k) igual a 1,38x10-23 J/K, a carga do elétron (q) igual a 1,6x10-19 C e ln 3 = 1,1, a
sensibilidade obtida para o dispositivo sensor é de
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Para responder a questão, considere o texto abaixo.
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação 
em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm2 /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm2 .
Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 kΩ com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação
em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm2 /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm2 . Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 μA, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é
Para responder à questão, quando necessário, considere:
π = 3,14 √2 = 1,41
Observe a figura abaixo que representa um circuito em que as resistências de entrada e saída do amplificador operacional são, respectivamente, infinita e zero, bem como a = 104 é o seu ganho de malha aberta.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Para R1= 8,2 kΩ e R2= 82 kΩ, o ganho de malha fechada do circuito é de